掩膜版及掩膜版质量测试方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，掩膜版包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；所述掩膜曝光区设置有掩膜图形；所述非掩膜曝光区设置有测试区域；所述测试区域包括至少一个测试标记；所述测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量所述掩膜版的质量。本发明专利技术提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，以降低掩膜版容易出现质量问题而需要重新制作的风险。制作的风险。制作的风险。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版及掩膜版质量测试方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种掩膜版及掩膜版质量测试方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是制作半导体器件和集成电路微图形结构的关键性工艺，因此光刻工艺质量直接影响着半导体器件成品率、可靠性、器件性能以及使用寿命等参数指标的稳定和提高。
[0003]掩膜版是用来将芯片设计的图形定义至晶圆上的装置，掩膜版的质量的好坏直接影响晶圆质量，甚至是最后半导体器件成品的良率。随着微电子加工工艺技术的不断发展，掩模版图形越来越复杂，图形面积越做越大，线条要求越来越细，掩模版性能和精度要求越来越高。但是因工序环境、形成原材料等因素的影响，掩模版图形会产生畸变，也即，掩膜版非常容易出现质量问题，从而需要重新制作掩膜版，造成成本的浪费和光刻进程的延误。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种掩膜版及掩膜版质量测试方法，以降低掩膜版容易出现质量问题而需要重新制作的风险。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种掩膜版，包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；
[0006]所述掩膜曝光区设置有掩膜图形；
[0007]所述非掩膜曝光区设置有测试区域；所述测试区域包括至少一个测试标记；所述测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量所述掩膜版的质量。
[0008]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种掩膜版质量测试方法，适用于本专利技术任意实施例提供的掩膜版，包括：
[0009]测量非掩膜曝光区的测试区域的测试标记的实际尺寸；
[0010]获取所述测试标记的实际尺寸和设计尺寸之间的偏差；
[0011]若所述偏差大于误差允许阈值，则判定所述掩膜版不合格；若所述偏差小于所述误差允许阈值，则判定所述掩膜版合格。
[0012]本专利技术中，掩膜版包括掩膜曝光区和非掩膜曝光区，掩膜曝光区形成有用于在晶圆上形成曝光图形的掩膜图形，非掩膜曝光区中设置有测试区域，用于实现对掩膜版质量的测试，具体的，测试区域设置有至少一个测试标记，并且测试标记不在晶圆上形成曝光图形，仅用于通过测试标记在形成过程中发生的畸变，测试掩膜版因材料、制作工艺等因素造成的质量问题，该畸变程度可通过比较测试标记的实际尺寸和设计尺寸获知，本专利技术实施例提供的掩膜版以及质量测试方法，能够获知掩膜版的制作品质，例如，是否合格等，从而保证掩膜版的稳定性，进而保证掩膜图形的稳定性，增强掩膜精准性，增强晶圆乃至最终产品的良率，并降低掩膜版重新制作的风险，防止光刻工艺过程中的成本浪费。
附图说明
[0013]图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；
[0014]图2是图1中掩膜版的测试区域A的放大结构示意图；
[0015]图3是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0016]图4是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0017]图5是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0018]图6是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0019]图7是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0020]图8是图1中掩膜版的测试区域A的另一种放大结构示意图；
[0021]图9是本专利技术实施例提供的一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
[0022]图10是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
[0023]图11是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图；
[0024]图12是本专利技术实施例提供的另一种掩膜版质量测试方法的流程示意图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0026]在现有技术中，若用于光刻工艺的掩膜版的制作质量不够合格，则容易使得掩膜精度过低，影响最终成品的良率，甚至需要重新制作掩膜版，造成成本的浪费，为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种掩膜版，包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；
[0027]掩膜曝光区设置有掩膜图形；
[0028]非掩膜曝光区设置有测试区域；测试区域包括至少一个测试标记；测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量掩膜版的质量。
[0029]本专利技术实施例中，掩膜版包括掩膜曝光区和非掩膜曝光区，掩膜曝光区形成有用于在晶圆上形成曝光图形的掩膜图形，非掩膜曝光区中设置有测试区域，用于实现对掩膜版质量的测试，具体的，测试区域设置有至少一个测试标记，并且测试标记不在晶圆上形成曝光图形，仅用于通过测试标记在形成过程中发生的畸变，测试掩膜版因材料、制作工艺等因素造成的质量问题，该畸变程度可通过比较测试标记的实际尺寸和设计尺寸获知，本专利技术实施例提供的掩膜版以及质量测试方法，能够获知掩膜版的制作品质，例如，是否合格等，从而保证掩膜版的稳定性，进而保证掩膜图形的稳定性，增强掩膜精准性，增强晶圆乃至最终产品的良率，并降低掩膜版重新制作的风险，防止光刻工艺过程中的成本浪费。
[0030]以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]图1是本专利技术实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，如图1所示，掩膜版包括掩膜曝光区12和非掩膜曝光区11，掩膜曝光区12设置有掩膜图形121，掩膜图形121由掩膜本体设置镂空图案形成，在通过掩膜版对晶圆进行曝光和刻蚀工艺后，掩膜图形121形成在晶圆上，完成图形转移过程。此外，掩膜曝光区11还可以设置有对位标记122，对位标记122用
于形成在晶圆或光刻胶上已完成对位任务，示例性的，对位标记122可以包括曝光对位标记和薄膜对位标记等，其中，曝光对位标记进行光刻机与掩膜版的对位，而薄膜对位标记可完成晶圆上形成的各膜层之间的对位，从而保证晶圆的制作精度，提高成品良率。
[0032]本实施例中，为了避免因掩膜版质量的因素影响掩膜精度，在非掩膜曝光区11设置测试区域A，该测试区域A设置有测试标记111，该测试标记111不同于上述掩膜图形121和对位标记122，测试标记111不会形成曝光图形，则测试标记111不会对掩膜图形121产生影响，不会在晶圆上产生图形缺陷。也即，测试标记111测试的是因掩膜版本身材料或制作工艺造成的掩膜质量的问题，所以在进行曝光前，甚至在掩膜版制作形成掩膜图形121之前，通过测试标记111首先对掩膜版质量进行把控，从而避免掩膜精度低，甚至是掩膜图形121重新制作的问题，具体的，可通过测试标记111的实际尺寸和设计尺寸之间的差值，衡量在掩膜版图案形成过程中的畸变情况，从而对掩膜图形的畸变情况进行预测，进而判断该掩膜版本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：掩膜曝光区和非掩膜曝光区；所述掩膜曝光区设置有掩膜图形；所述非掩膜曝光区设置有测试区域；所述测试区域包括至少一个测试标记；所述测试标记的设计尺寸和实际尺寸之间的偏差用于测量所述掩膜版的质量。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述测试区域包括沿第一方向依次排布的多个第一测试标记；每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距相等，所述中线沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿第一方向上，所述第一测试标记沿第一方向上的宽度逐渐增大或逐渐减小。3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述测试区域包括沿第一方向依次排布的多个第一测试标记；每个所述第一测试标记沿所述第一方向上的宽度相同；沿第一方向上，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距逐渐增大或逐渐减小，所述中线沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述测试区域包括多组沿第一方向依次排布的多个第一测试标记；每组所述第一测试标记中，每相邻两个第一测试标记的中线之间的间距相等，每个所述第一测试标记沿所述第一方向上的宽度相同，所述中线沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；不同组的所述第一测试标记之间，相邻两个第一测试标记的中线之间的间距不相等，和/或所述第一测试标记沿所述第一方向上的宽度不相同。5.根据权利要求2-4中任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一测试标记的形状为长条形、梯形、L型中的至少一种。6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第一测试标记的形状为长条形；所述长条形沿所述第二方向的长度大于所述长条形沿所述第一方向的宽度；所述第一测试标记的长度范围为3μm～5μm；所述第一测试标记沿第一方向上的宽度范围为80nm～1200nm；相邻两个第一测试标记的中线之间的间距范围为80nm～1200nm。7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述多个第一测试标记包括沿所述第二方向的长度为第一长度的第一测试标记，和沿所述第二方向的长度为第二长度的第一测试标记，所述第二长度大于所述第一长度；相邻两个第二长度的第一测试标记之间包括预设个数的第一长度的第一测试标记。8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述测试区域包括阵列排布的多个第二测试标记；每相邻两个第二测试标记的中心之间的间距相等。9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述第二测试标记为圆形、正方形、正五边形、正六边形中的至少一种。10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪美里，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：