用于在光刻设备中识别掩模版的设备和方法技术

一种用于诸如掩模版的掩模版的码标记，其中标记的各个元件包括衍射光栅，使得元件的视亮度取决于来自元件的光是否被衍射到读取器的透镜的数值孔径内或数值孔径外。的透镜的数值孔径内或数值孔径外。的透镜的数值孔径内或数值孔径外。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在光刻设备中识别掩模版的设备和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月12日提交的美国申请62/885,561的优先权，该申请通过引用被整体并入本文中。


[0003]本专利技术涉及用于在光刻设备中识别衬底(诸如光刻设备内的掩模版或晶片)的方法和系统。

技术介绍

[0004]光刻设备是将所需图案施加到诸如半导体材料的晶片的衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。掩模版(或者被称为掩模或掩模版)可以用于生成将在晶片的单个层上形成的电路图案。图案的转移通常通过在晶片上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像来实现。通常，单个晶片将包含连续图案化的相邻目标部分。
[0005]光刻系统采用在用于照射晶片的光束上成像的某种形式的掩模版。本文所用的“掩模版”应被广义地解释为是指可以用于在辐射束的横截面上向辐射束赋予图案以便在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。DUV和EUV光刻系统中的掩模版采用条形码读取器以通过读取被印刷在其上的条形码来识别掩模版。光刻系统中最先进的条形码读取器依赖于由包括条形码图案的具有不同透射和/或反射的掩模版涂层形成的条形码目标对比度。
[0006]用于光刻系统的涂层的特性是针对光刻性能要求而设计的并且由光刻性能要求控制，在适合于条形码读取器可靠性能的镜面反射和/或透射特性的优化中提供非常有限的(如果有的话)可能性。对通过先进的掩模版涂层而实现的半导体电路特征的减小的临界尺寸(CD)的成像的苛刻的光刻光学要求导致衰减的条形码对比度，因此妨碍可靠的条形码读取。在许多情况下，条形码对比度值低至百分之几，从而导致条形码读取器失效。

技术实现思路

[0007]以下呈现了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对这些实施例的基本理解。本
技术实现思路
不是对所有预期实施例的广泛综述，并且不旨在标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
[0008]根据实施例的一个方面，公开了一种掩模版，该掩模版包括图案和码标记，该码标记包括多个单元，多个单元中的单元的子集各自包括衍射光栅。多个单元可以被布置为单元阵列。该阵列可以是规则阵列。该阵列可以是矩形阵列。衍射光栅可以包括二维衍射光栅。衍射光栅可以包括衍射元件的矩形栅格。矩形栅格包括衍射元件的经对齐的行和列。矩形栅格可以包括衍射元件的经偏移的行和列。衍射元件可以从间隔距离d的精确周期性位置位移一定量，该量在d和透镜的数值孔径的乘积的量级上，该透镜被布置为接收来自栅格的光。
[0009]根据实施例的另一方面，公开了一种光刻设备，该光刻设备用于将图案从掩模版转移到衬底上，该光刻设备包括具有码标记的掩模版，码标记包括多个单元，多个单元中的单元的子集各自包括衍射光栅。多个单元可以被布置为单元阵列。该阵列可以是规则阵列。该阵列可以是矩形阵列。衍射光栅可以包括二维衍射光栅。衍射光栅可以包括衍射元件的矩形栅格。矩形栅格包括衍射元件的经对齐的行和列。矩形栅格可以包括衍射元件的经偏移的行和列。衍射元件可以从间隔距离d的精确周期性位置位移一定量，该量在d和透镜的数值孔径的乘积的量级上，该透镜被布置为接收来自栅格的光。
[0010]根据实施例的另一方面，公开了一种器件制造方法，包括：使用包括多个单元的码标记来识别掩模版，多个单元中的单元的子集各自包括衍射光栅；以及将掩模版上的图案转移到衬底。
[0011]下面参考附图详细描述本专利技术的其它特征和优势以及本专利技术的各种实施例的结构和操作。注意，本专利技术不限于本文中所描述的特定实施例。本文中所呈现的这些实施例仅用于说明的目的。基于本文中所包含的教导，额外实施例对相关领域的技术人员而言将是明显的。
附图说明
[0012]结合于此并形成说明书一部分的附图示出了本专利技术，与说明书一起进一步用于解释本专利技术的原理，并且使相关领域的技术人员能够制造和使用本专利技术。
[0013]图1是根据本专利技术的实施例的掩模版的非按比例的图。
[0014]图2是根据本专利技术的实施例的一方面的条形码图案的图。
[0015]图3是根据实施例的一方面的具有同轴照射的反射式条形码读取布置的非按比例的图。
[0016]图4是根据实施例的一方面的具有离轴照射的反射式条形码读取布置的非按比例的图。
[0017]图5是根据实施例的一方面的具有同轴照射的透射式条形码读取布置的非按比例的图。
[0018]图6是根据实施例的一方面的具有离轴照射的透射式条形码读取布置的非按比例的图。
[0019]本专利技术的特征和优势将从以下结合附图所阐述的详细描述中变得更加明显，在附图中相同的附图标记始终标识对应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同、功能类似和/或结构类似的元件。元件首次出现的附图由对应附图标记中最左边的(多个)数字表示。
具体实施方式
[0020]本说明书公开了包含本专利技术的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅例示本专利技术。本专利技术的范围不限于所公开的(多个)实施例。本专利技术由所附权利要求限定。
[0021]所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例可以不必包括该特定特征、结构或特性。此外，这些短语未必是指同一实施例。此外，当结合实
施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例影响该特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。
[0022]本专利技术的实施例的各方面可以以硬件、固件、软件或它们的任何组合来实现。本专利技术的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括：只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波，红外信号，数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应理解，此类描述仅为方便起见，并且此类动作实际上由执行固件、软件、例程、指令等的计算设备、处理器、控制器或其它设备产生。
[0023]图1示出了掩模版MA。掩模版可以是透射式的或反射式的。掩模版的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移的掩模类型、以及各种混合掩模类型。掩模版MA可以使用掩模版对准标记M1、M2与衬底对准。掩模版MA还可以包括用于识别掩模版的码标记BC。如本文中所使用的，术语码标记是指被放置在掩模上的任何一维或二维图案，以提供可以由光刻设备读取以识别掩模的信息。如此，术语码标记足够宽以涵盖条形码、QR码以及编码信息的图案。在本文中所描述的示例中使用了条形码，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种掩模版，包括：图案；以及码标记，包括多个单元，所述多个单元中的单元的子集各自包括衍射光栅。2.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述多个单元被布置为单元阵列。3.根据权利要求2所述的掩模版，其中所述阵列是规则阵列。4.根据权利要求2或3所述的掩模版，其中所述阵列是矩形阵列。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的掩模版，其中所述衍射光栅包括二维衍射光栅。6.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述衍射光栅包括衍射元件的矩形栅格。7.根据权利要求6所述的掩模版，其中所述矩形栅格包括衍射元件的经对齐的行和列。8.根据权利要求6所述的掩模版，其中所述矩形栅格包括衍射元件的经偏移的行和列。9.根据权利要求6所述的掩模版，其中所述衍射元件从间隔距离d...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y，
申请(专利权)人：ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：