一种半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有氧化层；源极和漏极之间的氧化层、P型阱和N型阱覆盖第一介质层；源极和漏极之间的第一介质层覆盖第二介质层，第二介质层上形成有栅极；栅极上跨设金属拱形场板；第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体极板，任意一个半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体极板垂直连接，与上层相邻的另一个导体极板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体极板分别与P型阱和N型阱垂直连接。本发明专利技术能够提高器件的击穿电压。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体器件。
技术介绍
半导体器件工作在高源漏电压下时，其栅极靠近漏极一端附近会形成高电场尖峰，这种局部区域的高电场可以引起非常大的栅极泄漏电流，从而容易降低器件的击穿电压，最终可能导致有源区发生击穿使得器件失效。为了防止器件被击穿，目前广泛使用的方法是采用场板结构，即在栅极靠漏端一侧放置一个场板，场板通常与源极或栅极相连，在栅漏区域产生一个附加电势，增加了耗尽区的面积，提高了耗尽区的耐压，并且该场板对栅漏区域的电场线分布进行了调制，尤其是对栅极近漏端边缘的密集电场线进行了有效的调制，使得电场线分布更加均匀，以此来降低栅极近漏端边缘的电场，减小栅极泄露电流，提高器件的击穿电压。但是在这样的场板结构中，场板都是直接覆盖在介质层上面的，而介质层一般比较薄，此时场板与栅极金属距离非常接近，并且大面积的场板金属与其下方的栅极完全交叠，寄生栅源电容与场板同栅极金属的距离成反比，与场板同栅极金属的交叠面积成正比，再加上介质层的介电常数相对较大，所以器件工作过程中会产生很大的寄生栅源电容，导致器件频率特性变差。虽然增加场板下方的介质层的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；源极，所述源极位于所述P型阱上；漏极，所述漏极位于所述N型阱上；氧化层，所述氧化层位于所述N型硅层上；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述氧化层、P型阱和N型阱；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述第一介质层，所述第二介质层上设有凹槽，所述凹槽内形成有栅极；金属拱形场板，所述金属拱形场板跨过所述栅极，且所述金属拱形场板的一端与源极...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；源极，所述源极位于所述P型阱上；漏极，所述漏极位于所述N型阱上；氧化层，所述氧化层位于所述N型硅层上；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述氧化层、P型阱和N型阱；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述第一介质层，所述第二介质层上设有凹槽，所述凹槽内形成有栅极；金属拱形场板，所述金属拱形场板跨过所述栅极，且所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上；其中，所述第一介质层内具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳，
申请(专利权)人：四川九鼎智远知识产权运营有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51