Ge材料NMOS器件制造技术

本发明专利技术涉及一种Ge材料NMOS器件，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(104)和漏区(105)，设置于所述栅极区(103)两侧的所述P型应变Ge沟道层(102)内；介质层(106)，设置于所述栅极区(103)、所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；接触电极(107)，设置于所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；本发明专利技术提供的NMOS器件基于高质量的Si1‑xGex/Si虚衬底和P型应变Ge沟道层，相对于传统Ge材料NMOS器件，其载流子迁移率有了很大提升，在减小NMOS器件尺寸的同时提高了NMOS器件的电流驱动与频率特性。

【技术实现步骤摘要】
Ge材料NMOS器件
本专利技术属于半导体集成电路
，特别涉及一种Ge材料NMOS器件。
技术介绍
自1958年JackKilby制作了第一块集成电路后，集成电路产业便遵循着摩尔定律迅猛发展。摩尔定律自上世纪六十年代被第一次提出，就一直影响着半导体行业，指导着集成电路的发展。随着工艺技术的不断进步，器件的特征尺寸沿着摩尔定律逐渐缩小，但是当器件尺寸缩小到纳米级别是，传统的缩小器件尺寸的方法变得越来越困难，如何在后摩尔时代使得摩尔定律仍然发挥作用是半导体领域研究的一个重点。沟道内载流子的迁移率与晶体管的驱动电流相关，随着集成电路速度的增加，必须提高其驱动电流，而提高驱动电流的关键就是将其沟道载流子的迁移率提高，即载流子迁移率的提高能促进半导体刚也快速有效地发展。在实际生产中，伴随着不断缩小的MOS器件特征尺寸，对生产规模也有了更高的要求；同时制造工艺的复杂度也在不断地增加，要想再继续提高沟道内载流子的迁移率，必须通过改进器件的工艺、结构或者利用新材料。由于Ge的电子迁移率是Si的2.5倍，而应变技术能够更加提升其迁移率的大小，所以应变Ge备受研究者们关注。应变锗技术能够显著提高载本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ge材料NMOS器件，其特征在于，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(104)和漏区(105)，设置于所述栅极区(103)两侧的所述P型应变Ge沟道层(102)内；介质层(106)，设置于所述栅极区(103)、所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；接触电极(107)，设置于所述源区(104)和所述漏区(105)表面上。

【技术特征摘要】
1.一种Ge材料NMOS器件，其特征在于，包括：Si1-xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1-xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(104)和漏区(105)，设置于所述栅极区(103)两侧的所述P型应变Ge沟道层(102)内；介质层(106)，设置于所述栅极区(103)、所述源区(104)和所述漏区(105)表面上；接触电极(107)，设置于所述源区(104)和所述漏区(105)表面上。2.根据权利要求1所述的Ge材料NMOS器件，其特征在于，所述Si1-xGex/Si虚衬底(101)包括Si衬底(1011)和设置于所述Si衬底(1011)上的Si1-xGex外延层(1012)，所述Si衬底(1011)和所述Si1-xGex外延层(1012)经过激光再晶化工艺处理后形成所述Si1-xGex/Si虚衬底(101)。3.根据权利要求2所述的Ge材料NMOS器件，其特征在于，所述激光再晶化工艺为通过激光扫描热处理，将所述Si衬底(1011)上的所述Si1-xGex外延层(1012)熔化再结晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹晓雪，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61