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本发明涉及一种Ge材料NMOS器件，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(1...该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种Ge材料NMOS器件，包括：Si1‑xGex/Si虚衬底(101)；P型应变Ge沟道层(102)，设置于所述Si1‑xGex/Si虚衬底(101)表面上；栅极区(103)，设置于所述P型应变Ge沟道层(102)表面上；源区(1...