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本发明公开了一种半导体器件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有氧化层；源极和漏极之间的氧化层、P型阱和N型阱覆盖第一介质层；...
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