密封膜形成装置和密封膜形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供密封膜形成装置和密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室4，其对基材W进行容纳；覆盖膜形成部2，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至第一减压腔室4内所容纳的基材W而形成覆盖膜93；第二减压腔室5，其对基材W进行容纳；被减压的减压输送路6，其是基材W从第一减压腔室4到第二减压腔室5的输送路径；以及密封膜形成部3，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在第二减压腔室5内所容纳的基材W上的覆盖膜93而形成密封膜90。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封膜形成装置和密封膜形成方法
本专利技术涉及将防止水分浸入的密封膜形成为对象物的密封膜形成装置和密封膜形成方法。
技术介绍
在有机EL、薄膜太阳能电池等耐水性差的电子器件的制造中，需要对器件进行密封以使水分不浸入到器件中。以往使用玻璃、阻隔性高的膜等对器件进行密封，但为了使制品更薄且轻量化，近年来正在采用下述方法：通过CVD法等干法工艺使阻隔性高的薄膜(密封膜)成膜在器件表面，从而对电子器件进行保护而免受外部气体影响。但是，这样利用密封膜进行保护的情况下，在如图5那样工序上产生的颗粒等异物91附着在电子器件(基材W)上时，若从其上起形成密封膜90，则如部位92那样在具有密封膜材料未绕回那样的陡峭的凹处的部位，密封膜90容易中断，水分有可能从此处浸入而产生电子器件的劣化。即，密封膜的阻隔性有可能降低。因此，例如在专利文献1中提出了如图6所示那样通过电喷雾法、喷墨法等湿法工艺在基材W的表面形成具有流动性的覆盖膜93，利用覆盖膜93将异物91埋入后，在覆盖膜93的表面形成密封膜90。由此，能够在覆盖膜93的平缓的表面形成密封膜90，因此能够得到无中断且阻隔性高的密封膜90。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特愿2014-105566号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，若为专利文献1记载的密封膜的形成方法，则即便如此，密封膜的阻隔性也有可能降低。具体而言，为了在形成了覆盖膜之后利用干法工艺形成密封膜，将基材输送至干法工艺装置并对基材周边进行减压，此时产生较大的气流，因此有可能在覆盖膜上附着颗粒等异物。其结果是，如图7所示密封膜90在异物94的周边产生中断，阻隔性有可能降低。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种密封膜形成装置和密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。用于解决课题的手段为了解决上述课题，本专利技术的密封膜形成装置的特征在于，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室，其容纳基材；覆盖膜形成部，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至上述第一减压腔室内所容纳的基材而形成覆盖膜；第二减压腔室，其容纳基材；被减压的减压输送路，其是基材从上述第一减压腔室到上述第二减压腔室的输送路径；以及密封膜形成部，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在上述第二减压腔室内所容纳的基材上的上述覆盖膜而形成密封膜。根据上述密封膜形成装置，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言，通过具有第一减压腔室、减压输送路和第二减压腔室，能够在形成覆盖膜之后始终维持减压环境直至在覆盖膜的表面形成密封膜为止，因此能够防止在覆盖膜的表面附着异物，能够在平缓的覆盖膜表面稳定地形成阻隔性高的密封膜。另外，上述覆盖膜材料可以是无溶剂系的液体。通过如此进行，能够防止在减压环境下进行湿法工艺时覆盖膜内的溶剂挥发而在涂布完成前发生固化。另外，上述覆盖膜材料可以是加热固化型、紫外线固化型或吸水固化型的液体。通过如此进行，即使在减压环境下也能够容易地使覆盖膜固化。另外，上述覆盖膜形成部可以是电喷雾装置，上述覆盖膜材料供给时的上述第一减压腔室内的压力可以为0.2Pa以下。通过这样进行，即使在减压环境下也能够防止在第一减压腔室与电喷雾装置之间、喷嘴与载台之间产生异常放电，能够稳定地形成覆盖膜。另外，为了解决上述课题，本专利技术的密封膜形成方法的特征在于，该密封膜形成方法具有如下的工序：覆盖膜形成工序，在减压环境下利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至第一减压腔室内所容纳的基材而形成覆盖膜；减压输送工序，在减压环境下将基材从上述第一减压腔室输送至第二减压腔室；以及密封膜形成工序，在减压环境下利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在上述第二减压腔室内所容纳的基材上的上述覆盖膜而形成密封膜。根据上述密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。具体而言，通过具有覆盖膜形成工序、减压输送工序和密封膜形成工序，能够在形成覆盖膜之后始终维持减压环境直至在覆盖膜的表面形成密封膜为止，因此能够防止在覆盖膜的表面附着异物，能够在平缓的覆盖膜表面稳定地形成阻隔性高的密封膜。专利技术效果根据本专利技术的密封膜形成装置和密封膜形成方法，能够稳定地形成阻隔性高的密封膜。附图说明图1是示出本专利技术的一个实施方式的密封膜形成装置的示意图。图2是示出本专利技术的一个实施方式的密封膜形成方法的流程图。图3是示出电喷雾涂布中的减压腔室内压力与放电电压之间的关系的曲线图。图4是示出其它实施方式的密封膜形成装置的示意图。图5是示出利用现有的密封膜形成方法形成在基材上的密封膜的示意图。图6是示出利用本专利技术的密封膜形成方法形成在基材上的密封膜的示意图。图7是示出利用现有的密封膜形成方法形成在基材上的密封膜的示意图。具体实施方式使用附图，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是示出本专利技术的一个实施方式的密封膜形成装置的示意图，是截面图。密封膜形成装置1具有覆盖膜形成部2和密封膜形成部3，通过覆盖膜形成部2在基材W的表面形成覆盖膜93，通过密封膜形成部3在该覆盖膜93的表面形成密封膜90。另外，覆盖膜形成部2被容纳在第一减压腔室4，在减压环境下形成覆盖膜93。另外，密封膜形成部3被容纳在第二减压腔室5，在减压环境下形成密封膜90。另外，第一减压腔室4与第二减压腔室5经由减压输送路6连结起来，该减压输送路6是基材W从第一减压腔室4到第二减压腔室5的输送路径，通过对减压输送路6的内部进行减压，能够在维持减压的状态下在基材W上形成覆盖膜93和密封膜90。覆盖膜形成部2是利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至基材W的装置，在本实施方式中，覆盖膜形成部2是电喷雾装置。需要说明的是，利用湿法工艺能够在成膜对象上形成数百nm～数十um的膜厚的覆盖膜93。需要说明的是，覆盖膜93的阻隔性不高，利用后述的密封膜90来确保阻隔性。覆盖膜形成部2具有喷嘴21、注射器22、电源23和载台24，电源23对在内部填充有从注射器22供给的覆盖膜材料的喷嘴21施加电压，从而朝向载置于载台24的基材W喷雾溶液材料。喷嘴21是导电体制的管状的部件，开口朝向Z轴方向(上下方向)。另外，喷嘴21与注射器22连接，从注射器22向喷嘴的中空部填充覆盖膜材料。需要说明的是，在本实施方式中，使用内径0.8mm、外径1.2mm的管状体作为喷嘴21。另外，构成为在喷嘴21上连接有电源23，在对通过喷嘴21的中空部的覆盖膜材料施加电压的状态下，使溶液材料从下方朝向上方喷雾。并且，从喷嘴21喷雾的溶液材料在喷嘴21与基材W之间形成喷雾，在基材W上堆积形成覆盖膜93。注射器22具有筒状的筒体和在该筒体的内壁滑动的活塞，活塞相对于筒体在推入的方向上驱动，由此贮留在筒体内的覆盖膜材料相对于活塞从相反的一侧被挤出，被挤出的覆盖膜材料供给至喷嘴21。另外，活塞与未图示的驱动源连接，活塞利用该驱动源进行精密驱动而将5～100ul/分钟左右的微量的覆盖膜材料送出至喷嘴21。需要说明的是，注射器22也可以不设置在第一减压腔室4内，而设置在腔室外的大气侧。载台24是具有对基材W进行把持的机构的板，具有导电性。在本实施方式中，载台24是金属板。载台24构成为：在覆盖膜的形成时相对于基材W从与喷嘴21相反的一侧与基材W接触而对基材W进行把持，并且接地。由此，在利用电源23施加电压的喷嘴21与载台24之间产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密封膜形成装置，其特征在于，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室，其容纳基材；覆盖膜形成部，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至所述第一减压腔室内所容纳的基材而形成覆盖膜；第二减压腔室，其容纳基材；被减压的减压输送路，其是基材从所述第一减压腔室到所述第二减压腔室的输送路径；和密封膜形成部，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在所述第二减压腔室内所容纳的基材上的所述覆盖膜而形成密封膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.27 JP 2015-1479651.一种密封膜形成装置，其特征在于，该密封膜形成装置具备：第一减压腔室，其容纳基材；覆盖膜形成部，其利用湿法工艺将覆盖膜材料供给至所述第一减压腔室内所容纳的基材而形成覆盖膜；第二减压腔室，其容纳基材；被减压的减压输送路，其是基材从所述第一减压腔室到所述第二减压腔室的输送路径；和密封膜形成部，其利用干法工艺将密封膜材料供给至形成在所述第二减压腔室内所容纳的基材上的所述覆盖膜而形成密封膜。2.如权利要求1所述的保护膜形成装置，其特征在于，所述覆盖膜材料是无溶剂系的液体。3.如权利要求1或2中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下雅充，中北和德，山本清人，
申请(专利权)人：东丽工程株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP