LED封装结构制造技术

技术编号:17517348 阅读:35 留言:0更新日期:2018-03-21 01:51
本发明专利技术涉及一种LED封装结构,该结构包括:LED底板(11)、第一硅胶层(12)、半球形透镜区(13)以及第二硅胶层(14);其中,所述第一硅胶层(12)设置于所述LED底板(11)上,所述半球形透镜区(13)设置于所述第一硅胶层(12)上,所述第二硅胶层(14)设置于所述第一硅胶层(12)和所述透镜区(13)上层。本发明专利技术提供的LED封装结构采用第一硅胶层、半球透镜区和第二硅胶层的结构;利用第一硅胶层、半球透镜区和第二硅胶层的结构中不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点,在硅胶中形成透镜,改善LED芯片发光分散的问题,使光源发出的光能够更加集中;同时,第一硅胶层、第二硅胶层以及半球透镜区的折射率依次增加;可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出。

LED packaging structure

The invention relates to a LED package structure, the structure comprises a LED plate (11), the first silicon layer (12), hemispherical lens area (13) and a second silicon layer (14); wherein, the first silicon layer (12) arranged on the LED plate (11), the the hemispherical lens area (13) is arranged on the first silicon layer (12), the second silicon layer (14) disposed on the first silicon layer (12) and the upper lens area (13). The LED package structure provided by the invention adopts the structure of the first silicon layer, hemispherical lens area and second silicon layer; the use of different characteristics of different kinds of silica gel and fluorescent powder glue refractive index structure of the first silicon layer, hemispherical lens and second silicon layer, forming a lens in silica gel, improved LED chip light emitting dispersion problems the light emitted by the light source can be more concentrated; at the same time, the first silicon layer, second silicon layer and refractive lens area in order to increase the rate of hemisphere; can ensure that the LED chip can more light through packaging materials.

【技术实现步骤摘要】
LED封装结构
本专利技术属LED封装
,特别涉及一种LED封装结构。
技术介绍
上世纪末,以GaN基材料为代表的III-V族化合物半导体在蓝光芯片领域的突破,带来了一场照明革命,这场革命的标志是以大功率发光二极管(Light-EmittingDiode,LED)为光源的半导体照明技术(SolidStateLighting,SSL)。LED具有寿命长、发光效率高、显色性好、安全可靠、色彩丰富和易于维护的特点。在当今环境污染日益严重,气候变暖和能源日益紧张的背景下,基于大功率LED发展起来的半导体照明技术已经被公认为是21世纪最具发展前景的高
之一。这是自煤气照明、白炽灯和荧光灯之后,人类照明史上的一次大飞跃,迅速提升了人类生活的照明质量。现在,LED多采用GaN基蓝光灯芯加黄色荧光的方式产生白光,以实现照明,这种方式具有以下几个问题。1、目前,芯片多数是封装在薄金属散热基板上,由于金属散热基板较薄、热容较小,而且容易变形,导致其与散热片底面接触不够紧密而影响散热效果。2、由于LED光源发出的光一般呈发散式分布,即朗伯分布,这引起光源照明亮度不够集中,一般需要通过外部透镜进行二次整形,以适应具体场合的照明需求,这增加了生产成本。
技术实现思路
为了提高LED芯片的工作性能,本专利技术提供了一种LED封装结构;本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现:本专利技术的实施例提供了一种LED封装结构,包括:LED底板11、第一硅胶层12、半球形透镜区13以及第二硅胶层14;其中,所述第一硅胶层12设置于所述LED底板11上,所述半球形透镜区13设置于所述第一硅胶层12上,所述第二硅胶层14设置于所述第一硅胶层12和所述透镜区13上。在本专利技术的一个实施例中,所述LED底板11包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。在本专利技术的一个实施例中,所述散热基板为铜材料散热基板。在本专利技术的一个实施例中,所述散热基板设置有若干圆槽;其中,所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。在本专利技术的一个实施例中,所述圆槽的直径为0.3--2毫米、所述圆槽之间间距为0.5-10毫米。在本专利技术的一个实施例中,所述第一硅胶层12的硅胶不含荧光粉,所述第二硅胶层14的硅胶含有荧光粉。在本专利技术的一个实施例中,所述荧光粉为红色、绿色、蓝色三种荧光粉。在本专利技术的一个实施例中,所述半球透镜区13包括若干个呈矩形或菱形分布的硅胶半球,其中,所述硅胶半球的硅胶不含荧光粉。在本专利技术的一个实施例中,所述第二硅胶层14为覆盖整个所述第一硅胶层12和所述半球形透镜区13的半球硅胶层。在本专利技术的一个实施例中,所述LED芯片为紫外LED芯片。与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:1、本专利技术提供的LED封装结构,采用设置有圆槽的散热基板,在强度几乎没有变化的同时,降低了散热基板成本,增加空气流通的通道,利用空气的热对流,增加了散热效果。2、本专利技术提供的LED封装结构采用第一硅胶层、半球透镜区和第二硅胶层的结构;利用第一硅胶层、半球透镜区和第二硅胶层的结构中不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点,在硅胶中形成透镜,改善LED芯片发光分散的问题,使光源发出的光能够更加集中;同时,第一硅胶层、第二硅胶层和半球透镜区的折射率依次增加;可以保证LED芯片的能够更多的透过封装材料照射出去。3、本专利技术提供的硅胶半球可以呈矩形均匀排列,或者菱形排列。可以保证光源的光线在集中区均匀分布。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。通过以下参考附图的详细说明,本专利技术的其它方面和特征变得明显。但是应当知道,该附图仅仅为解释的目的设计,而不是作为本专利技术的范围的限定,这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道,除非另外指出,不必要依比例绘制附图,它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。图1为本专利技术一实施例提供的LED封装结构示意图;图2为本专利技术一实施例提供的LED封装的散热基板示意图;图3为本专利技术另一实施例提供的LED封装方法流程图;图4a-图4b为本专利技术另一实施例提供的半球形透镜分布示意图;图5为本专利技术再一实施例提供的高透光LED封装结构示意图;图6为本专利技术再一实施例提供的紫外LED芯片的结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术做进一步详细的描述,但本专利技术的实施方式不限于此。实施例一请参见图1,图1为本专利技术一实施例提供的LED封装结构示意图,包括:LED底板11、第一硅胶层12、半球形透镜区13以及第二硅胶层14;其中,所述第一硅胶层12设置于所述LED底板11上,所述半球形透镜区13设置于所述第一硅胶层12上,所述第二硅胶层14设置于所述第一硅胶层12和所述透镜区13上。具体地,第一硅胶层12、第二硅胶层14以及半球形透镜区13的硅胶折射率依次增加。具体地,所述LED底板11包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。优选地,所述散热基板为铜材料散热基板。进一步地,请参见图2,图2为本专利技术一实施例提供的LED封装的散热基板示意图,所述散热基板设置有若干圆槽;其中,所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。优选地,所述圆槽的直径为0.3--2毫米、所述圆槽之间间距为0.5-10毫米。具体地,所述第一硅胶层12的硅胶不含荧光粉,所述第二硅胶层14的硅胶含有荧光粉。具体地,所述荧光粉为红色、绿色、蓝色三种荧光粉。优选地,所述半球透镜区13包括若干个呈矩形或菱形分布的硅胶半球,其中,所述硅胶半球的硅胶不含荧光粉。具体地,所述第二硅胶层14为覆盖整个所述第一硅胶层12和所述半球形透镜区13的半球硅胶层。其中,所述LED芯片为紫外LED芯片。本实施例提供的LED封装结构采用荧光粉与LED芯片分离的工艺,解决了高温引起的荧光粉的量子效率下降的问题;与LED芯片接触的硅胶为耐高温的硅胶,解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题;同时,同时,第一硅胶层、第二硅胶层以及透镜区的硅胶折射率依次增加;可以保证LED芯片的光线能够更多的透过封装材料照射出去。实施例二请参照图3,图3为本专利技术另一实施例提供的LED封装方法流程图,本实施例在上述实施例的基础上,对本专利技术的LED封装结构的封装方法进行详细描述如下。具体地,包括如下步骤:S21、选取散热基板;S22、选取LED芯片;S23、将所述LED芯片焊接于所述散热基板;S24、在所述LED芯片上方涂敷第一硅胶形成第一硅胶层;S25、在所述第一硅胶层上方制备半球形透镜区;S26、配置荧光粉胶;S27、在所述第一硅胶层和所述半球形透镜区上方涂敷荧光粉胶形成第二硅胶层;以完成所述LED封装。具体地,步骤S21可以包括:S211、选取散热基板及支架;S212、清洗所述散热基板和所述支架;S213、将所述散热基板和所述支架烘烤干。优选地,所述散热基板采用铜材料,厚度大于0.5毫米、小于10毫米,在散热基板中沿宽度方向形成圆槽,圆槽在散热基板中沿宽度方向、与散热基板平面平行;散热本文档来自技高网...
LED封装结构

【技术保护点】
一种LED封装结构,其特征在于,包括:LED底板(11)、第一硅胶层(12)、半球形透镜区(13)以及第二硅胶层(14);其中,所述第一硅胶层(12)设置于所述LED底板(11)上,所述半球形透镜区(13)设置于所述第一硅胶层(12)上,所述第二硅胶层(14)设置于所述第一硅胶层(12)和所述透镜区(13)上。

【技术特征摘要】
1.一种LED封装结构,其特征在于,包括:LED底板(11)、第一硅胶层(12)、半球形透镜区(13)以及第二硅胶层(14);其中,所述第一硅胶层(12)设置于所述LED底板(11)上,所述半球形透镜区(13)设置于所述第一硅胶层(12)上,所述第二硅胶层(14)设置于所述第一硅胶层(12)和所述透镜区(13)上。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述LED底板(11)包括散热基板和LED芯片,其中,所述LED芯片设置于所述散热基板上。3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于,所述散热基板为铜材料散热基板。4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述散热基板设置有若干圆槽;其中,所述圆槽沿所述散热基板宽度方向且与所述散热基板平面平行。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:张亮
申请(专利权)人:西安科锐盛创新科技有限公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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