一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极，所述磁极由冲压成形硅钢片叠压组成，包括一环状本体，所述本体上设有四个隔磁桥，在相邻的两隔磁桥之间设有两个齿部，齿部位于本体的内圆周壁上，相邻两隔磁桥之间的两个齿部形成磁极。四组磁极之间直接相连，因此相对位置固定，磁轴承产品的一致性和稳定性不会因磁极位置偏差而改变；磁极组件外轮廓为圆柱体，因此在壳体中的安装定位简单可靠；隔磁桥结构可以大大减少漏磁、减少干扰，因此磁轴承控制较为简单，可以沿用常规磁极磁轴承的控制系统。

An integral radial magnetic bearing magnetic pole with a magnetic bridge

【技术实现步骤摘要】
一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极
：本技术涉及一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极。
技术介绍
：磁轴承是利用受控磁场使转子处于悬浮状态的轴承。由于磁轴承中的转子处于悬浮状态，与固定零件没有物理接触，因此能够适用于常规滚动轴承无法负荷的高转速的转子。但是以往的磁轴承磁极结构也有一些缺陷和问题：1、常规磁轴承磁极结构的一致性和稳定性较差；常见的磁轴承磁极为四个分开的U形电磁铁，由于四个磁极之间并不相互连接，因此需要借助其他结构件将四个磁极间接连接起来。但由于结构件本身加工误差和装配间隙的存在，磁极之间的相对位置会有微小的偏差和松动；而磁轴承磁极与转子之间间隙的大小对磁轴承性能影响较大。因此常规磁轴承磁极的这种分离式结构会导致磁轴承产品的一致性和稳定性较差，往往需要进行反复矫正和微调。2、整体式磁轴承磁极漏磁严重，控制难度大；整体式磁轴承磁极通过将四个磁极连接为一个圆环，解决了磁轴承产品的一致性和稳定性问题。但是由于磁极之间相互连通，所以当转子实际位置偏离中心时，磁通路会从气隙较小、同时磁阻较小的非工作磁极中产生漏磁。漏磁通路的存在使得磁轴承的吸力方向发生偏斜，即实际吸力方向与控制系统所期望的吸力方向不一致。为了克服这种漏磁产生的吸力偏斜干扰，就需要在磁轴承控制系统中额外增加识别并对抗这种干扰的功能，从而增加磁轴承控制的难度。
技术实现思路
：本技术是为了解决上述现有技术存在的问题而提供一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极。本技术所采用的技术方案有：一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极，所述磁极由冲压成形硅钢片叠压组成，包括一环状本体，所述本体上设有四个隔磁桥，在相邻的两隔磁桥之间设有两个齿部，齿部位于本体的内圆周壁上，相邻两隔磁桥之间的两个齿部形成磁极。进一步地，所述隔磁桥为具有两个侧壁和一个底壁的U形槽状结构。进一步地，所述隔磁桥的宽度远小于环形本体和磁极宽度。本技术具有如下有益效果：1)四组磁极之间直接相连，因此相对位置固定，磁轴承产品的一致性和稳定性不会因磁极位置偏差而改变；2)磁极组件外轮廓为圆柱体，因此在壳体中的安装定位简单可靠；3)隔磁桥结构可以大大减少漏磁、减少干扰，因此磁轴承控制较为简单，可以沿用常规磁极磁轴承的控制系统。附图说明：图1为本技术结构图。具体实施方式：下面结合附图对本技术作进一步的说明。如图1所示，本技术公开一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极，所述磁极由冲压成形硅钢片叠压组成，包括一环状本体1，本体1上设有四个隔磁桥11，在相邻的两隔磁桥11之间设有两个齿部12，齿部12位于本体1的内圆周壁上，相邻两隔磁桥11之间的两个齿部12形成磁极。隔磁桥11为具有两个侧壁和一个底壁的U形槽状结构。隔磁桥11的宽度远小于环形本体1的宽度，以及隔磁桥11的宽度远小于磁极的宽度。本技术中的隔磁桥11可大大减轻磁极之间的漏磁现象。由于磁极之间的连接结构仅用于保证磁极相对位置的精确与稳定，并不需要承受较大的载荷力，因此可以做得很薄，只需要考虑硅钢片冲压模具能够达到的精度即可。由于隔磁桥11的宽度只有磁极宽度的几十分之一、甚至更薄，所以当磁极之间产生漏磁时，极少量的漏磁磁通就会在磁桥中达到磁饱和，从而使磁通不能继续增加。因此带磁桥的整体式磁极中漏磁的干扰比整体式磁极要低得多，磁轴承控制可以忽略这种误差，直接采用常规磁极磁轴承的控制方法。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下还可以做出若干改进，这些改进也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极，所述磁极由冲压成形硅钢片叠压组成，其特征在于：包括一环状本体(1)，所述本体(1)上设有四个隔磁桥(11)，在相邻的两隔磁桥(11)之间设有两个齿部(12)，齿部(12)位于本体(1)的内圆周壁上，相邻两隔磁桥(11)之间的两个齿部(12)形成磁极。

【技术特征摘要】
1.一种带隔磁桥的整体式径向磁轴承磁极，所述磁极由冲压成形硅钢片叠压组成，其特征在于：包括一环状本体(1)，所述本体(1)上设有四个隔磁桥(11)，在相邻的两隔磁桥(11)之间设有两个齿部(12)，齿部(12)位于本体(1)的内圆周壁上，相邻两隔磁桥(11)之间的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡思宁，林英哲，吴立华，董继勇，
申请(专利权)人：南京磁谷科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32