一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构制造技术

技术编号:25652557 阅读:144 留言:0更新日期:2020-09-15 21:46
一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,它涉及磁悬浮轴承技术领域。它包含磁轴承座本体和压圈,所述的磁轴承座本体的内部设置有通孔,所述的通孔的底部设置有凸台,所述的磁轴承座本体的外部上下两侧均设置有空槽,所述的压圈安装在与凸台相反对应的通孔的另外一侧,通过提高磁轴承座的阻尼,降低轴承座的支撑刚度,辅助磁轴承在主动控制的基础上,更加容易实现跨临界转速工作。

【技术实现步骤摘要】
一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构
本技术涉及磁悬浮轴承
,具体涉及一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构。
技术介绍
磁悬浮轴承作为唯一一种主动控制型轴承,在可控的范围内能够实现随支撑刚度与阻尼的调节。现有技术的磁浮轴承虽然能够实现一定程度的主动控制,但调节范围有限且依赖于控制算法、策略,实现跨阶工作技术难度较高,而磁轴承支撑的转子因为没有机械接触,往往又期望工作在较高的工作转速,目前绝大多数磁浮转子的工作转速都在其一阶临界转速以下,这样做的好处在于在编写控制程序的时候将转子处理成刚性轴可以比较简单,而随着转速需求的提高,一味的提高一阶临界转速是不现实的,受制于机械强度,结构尺寸等因素,但可以将一阶临界转速设计在远离工作转速的区间内,只是采用这种方案就不得不面临跨临界转速的问题,跨越临界转速时,转子系统将产生共振。磁轴承轴承座的一般形式如图1所示,轴承座接近一整块材料,刚度非常高,转子的支撑特性(刚度、阻尼)此时完全依赖于磁轴承贡献,当转子出线扰动时,所产生的能量完全由转子-磁轴承系统承担。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,通过提高磁轴承座的阻尼,降低轴承座的支撑刚度,辅助磁轴承在主动控制的基础上,更加容易实现跨临界转速工作。为实现上述目的,本技术采用以下技术方案是:它包含磁轴承座本体1和压圈2,所述的磁轴承座本体1的内部设置有通孔11,所述的通孔11的底部设置有凸台,所述的磁轴承座本体1的外部上下两侧均设置有空槽3,所述的压圈2安装在与凸台相反对应的通孔11的另外一侧。所述的空槽3呈三角形结构,且两侧空槽3的位置相对应。所述的通孔11的内径尺寸大于轴向磁轴承的外径尺寸。采用上述技术方案后,本技术有益效果为:通过提高磁轴承座的阻尼,降低轴承座的支撑刚度,辅助磁轴承在主动控制的基础上,更加容易实现跨临界转速工作。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术的轴承座;图2是本技术中磁轴承座本体1与轴向磁轴承的连接结构示意图;图3是本技术中磁轴承座本体1的结构示意图。附图标记说明:磁轴承座本体1、压圈2、空槽3、通孔11。具体实施方式参看图1-图3所示,本具体实施方式采用的技术方案是:它包含磁轴承座本体1和压圈2,所述的磁轴承座本体1的内部设置有通孔11,所述的通孔11的底部设置有凸台,凸台为轴向磁轴承放置的限位装置,所述的磁轴承座本体1的外部上下两侧均设置有空槽3,所述的压圈2安装在与凸台相反对应的通孔11的另外一侧。所述的空槽3呈三角形结构,且两侧空槽3的位置相对应,可以降低轴承座本体1的刚性,使得系统的一阶频率降低,能够将降低后的一阶频率控制在远离工作转速的区间里。所述的通孔11的内径尺寸大于轴向磁轴承的外径尺寸,便于轴向磁轴承安装在通孔11的内部,并通过压圈2进行限位。本技术的工作原理:轴向磁轴承安装于刚度相对较低的磁轴承座本体1上通孔11的内部,此时磁轴承座本体1的刚度不再视作无限大的情况,转子的支撑特性,除了由磁轴承主动决定,也受到磁轴承座本体1的影响。转子在工作过程中所产生的不平衡扰动,通过磁轴承传递到磁轴承座本体1的“支架”结构上,如同“弹簧避震”一样,轴承座的阻尼特性能够吸收转子扰动所产生的能量,整个支撑系统此时转变为转子、磁轴承和轴承座共同组成。采用上述技术方案后,本技术有益效果为:通过提高磁轴承座的阻尼,降低轴承座的支撑刚度,辅助磁轴承在主动控制的基础上,更加容易实现跨临界转速工作。以上所述,仅用以说明本技术的技术方案而非限制,本领域普通技术人员对本技术的技术方案所做的其它修改或者等同替换,只要不脱离本技术技术方案的精神和范围,均应涵盖在本技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,其特征在于:它包含磁轴承座本体(1)和压圈(2),所述的磁轴承座本体(1)的内部设置有通孔(11),所述的通孔(11)的底部设置有凸台,所述的磁轴承座本体(1)的外部上下两侧均设置有空槽(3),所述的压圈(2)安装在与凸台相反对应的通孔(11)的另外一侧。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高磁轴承阻尼的轴承座结构,其特征在于:它包含磁轴承座本体(1)和压圈(2),所述的磁轴承座本体(1)的内部设置有通孔(11),所述的通孔(11)的底部设置有凸台,所述的磁轴承座本体(1)的外部上下两侧均设置有空槽(3),所述的压圈(2)安装在与凸台相反对应的通孔(11)的另外一侧。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:周亦骏林英哲吴立华董继勇
申请(专利权)人:南京磁谷科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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