一种高功率密度径向永磁耦合器制造技术

本发明专利技术涉及一种耦合器，具体涉及一种高功率密度径向永磁耦合器。该耦合器包括外基体、外隔板、外磁体、外包封、内包封、内磁体及内基体，内磁体和外磁体的数量分别为十四个，通过十四个内外磁体间相互作用的磁力来实现功率沿径向方向的传递，两相邻磁体的充磁方向相反，相邻外磁体间放置外隔板，外隔板为隔磁材料，典型材料为铜，相邻内磁体紧密排列，且不放置隔板；外隔板的总厚度；为外磁体平均半径；处周长的13.8%至14.2%。本发明专利技术能节约永磁体的用量，减少相邻磁极间的无效磁通量，从而提高了径向永磁耦合器所能传递的功率密度，可以大规模地推广和使用。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及一种耦合器，具体涉及一种高功率密度径向永磁耦合器。
技术介绍
：径向永磁耦合器依靠永磁体间的相互作用力传递功率，使得输入端与输出端无需接触即可传扭。径向永磁耦合器工作原理简单、结构紧凑、运转可靠性高、使用寿命较长，已经被广泛地应用于军工、化工、石油、医药、节能等工业生产领域。由于传统径向永磁耦合器中相邻磁体紧密排列，会导致相邻磁体间的部分磁感线在磁体内部产生闭合回路，不能达到传递功率的目的。这部分磁通属于无效磁通，严重影响了径向永磁耦合器所能传递的功率密度。故此，设计一种高功率密度径向永磁耦合器是十分必要的。
技术实现思路
：为了解决传统径向永磁耦合器内部存在大量无效磁通，从而影响装置所能传递的功率密度问题，本专利技术在传统径向永磁耦合器的基础上，对其永磁体的结构布置进行改进，提供了一种新型径向永磁耦合器，能节约永磁体的用量，减少相邻磁极间的无效磁通量，从而提高了径向永磁耦合器所能传递的功率密度，可以大规模地推广和使用。本专利技术采用的技术方案为：一种高功率密度径向永磁耦合器，该耦合器包括外基体、外隔板、外磁体、外包封、内包封、内磁体及内基体，内磁体和外磁体的数量分别为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高功率密度径向永磁耦合器，其特征在于：该耦合器包括外基体（10）、外隔板（20）、外磁体（30）、外包封（40）、内包封（50）、内磁体（60）及内基体（70），内磁体（60）和外磁体（30）的数量分别为十四个，通过十四个内外磁体间相互作用的磁力来实现功率沿径向方向的传递，两相邻磁体的充磁方向相反，相邻外磁体间放置外隔板（20），外隔板（20）为隔磁材料，相邻内磁体紧密排列。

【技术特征摘要】
1.一种高功率密度径向永磁耦合器，其特征在于：该耦合器包括外基体（10）、外隔板（20）、外磁体（30）、外包封（40）、内包封（50）、内磁体（60）及内基体（70），内磁体（60）和外磁体（30）的数量分别为十四个，通过十四个内外磁体间相互作用的磁力来实现功率沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫泽，曲盛楠，王学志，高旭文，战庆欣，陈克鑫，王勇帆，宋成军，张祥，王春玲，魏君波，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七零三研究所，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23