一种微型薄膜外延结构层转移方法技术

本发明专利技术提供一种微型薄膜外延结构层转移方法，包括如下步骤：制作外延层‑制作磁性金属层‑制作粘合层‑形成外延层单元结构‑去除掩膜层‑转移到中转基板上‑剥离衬底‑转移到吸头上‑转移到基板上‑布线；本发明专利技术通过磁性中转基板和具有磁性的转移吸头，可以实现LED薄膜外延层周期性、批量化的转移至基板上，进一步实现单色、双色、全彩的柔性显示。

A layer transfer method for micro thin film epitaxial structure

The present invention provides a method for the transfer of micro film epitaxial layer structure, which comprises the following steps: making epitaxial layer made of magnetic metal layer making adhesive layer epitaxial layer formed unit structure removal mask layer to transfer substrate stripping substrate transfer to the suction head transfer to the substrate transfer of the wiring; through the invention of magnetic substrate and transit with magnetic suction head, can achieve LED film epitaxial layer, periodic mass transfer to the substrate, further realize the flexible display color, double color, full color.

【技术实现步骤摘要】
一种微型薄膜外延结构层转移方法
本专利技术涉及一种转移方法，尤其是一种微型薄膜外延结构层转移方法，属于半导体外延结构的

技术介绍
LED具有高光效、高响应、高色域、低光衰、低能耗等特点，在微型显示应用领域已广受关注。目前微星显示领域内均采用整面键合的方式将LED发光单元与驱动IC连接，并且在柔性显示单色、双色、彩色应用领域还无可行性方案；同时微型显示屏在生产流程中，将LED外延结构的转移采用整面键合的方式，这样只能一个一个外延结构进行键合，效率较低，进而影响微型显示屏的生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微型薄膜外延结构层转移的方法，实现薄膜外延层周期性、批量化的转移操作，可转移至基板或其他柔性自支撑基板，实现单色、双色、全彩的柔性显示。为实现以上技术目的，本专利技术采用的技术方案是：一种微型薄膜外延结构层转移方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一.制作外延层：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上依次生长N-GaN层、MQW发光层、P-GaN层，完成GaN外延层的制作；步骤二.制作磁性金属层：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层上表面制作磁性金属层；步骤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型薄膜外延结构层转移方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一. 制作外延层：提供一蓝宝石衬底（1），在所述蓝宝石衬底（1）上依次生长N‑GaN层（2）、MQW发光层（3）、P‑GaN层（4），完成GaN外延层（11）的制作；步骤二. 制作磁性金属层（5）：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层（11）上表面制作磁性金属层（5）；步骤三. 制作粘合层（6）：利用旋涂或喷淋技术，在磁性金属层（5）表面制作粘合层（6）；步骤四. 形成外延层单元结构：在粘合层（6）表面制作有图形的掩膜层，利用湿法腐蚀液将非掩膜区域的粘合层（6）和磁性金属层（5）去除，再利用ICP刻蚀工艺，将非掩膜区域的GaN...

【技术特征摘要】
1.一种微型薄膜外延结构层转移方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一.制作外延层：提供一蓝宝石衬底（1），在所述蓝宝石衬底（1）上依次生长N-GaN层（2）、MQW发光层（3）、P-GaN层（4），完成GaN外延层（11）的制作；步骤二.制作磁性金属层（5）：利用电子束蒸镀或磁控溅射技术，在GaN外延层（11）上表面制作磁性金属层（5）；步骤三.制作粘合层（6）：利用旋涂或喷淋技术，在磁性金属层（5）表面制作粘合层（6）；步骤四.形成外延层单元结构：在粘合层（6）表面制作有图形的掩膜层，利用湿法腐蚀液将非掩膜区域的粘合层（6）和磁性金属层（5）去除，再利用ICP刻蚀工艺，将非掩膜区域的GaN外延层刻蚀掉，形成若干个独立的外延层单元结构；步骤五.去除掩膜层：通过湿法去胶液将掩膜层去除；步骤六.转移到中转基板上：在粘合层（6）表面，利用磁性金属层（5）的电磁力将GaN外延层（11）与磁性中转基板（7）连接，形成临时键合；步骤七.剥离衬底：利用激光剥离技术，将蓝宝石衬底（1）与GaN外延层分离，使得若干个独立的外延层单元结构转移到磁性中转基板（7）上；步骤八.转移到吸头上：采用具有磁性的转移吸头（8）吸住外延层单元结构的下表面，将磁性中转基板（7）上的外延层单元结构与磁性中转基板（7）分离；步骤九.转移到基板（10）上：...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧诗，张秀敏，田淑芬，贾美琳，
申请(专利权)人：江苏新广联半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32