一种背出光红光芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种背出光红光芯片，其中，所述背出光红光芯片包括：蓝宝石基板、透明键合层、发光外延层和电极，所述蓝宝石基板的一表面通过所述透明键合层与所述发光外延层的一表面连接，所述发光外延层的背离所述蓝宝石基板的表面连接所述电极，所述发光外延层能够发出红光，且所述发光外延层发出的红光能够透过所述透明键合层由所述蓝宝石基板射出。本发明专利技术还公开了一种背出光红光芯片的制作方法。本发明专利技术提供的背出光红光芯片通过将能够发出红光的发光外延层与蓝宝石基板通过透明键合层进行键合，发光外延层发出的红光能够透过透明键合层由蓝宝石基板射出，因而获得了背出光红光芯片，实现了红光芯片的倒装封装。

【技术实现步骤摘要】
一种背出光红光芯片及其制作方法
本专利技术涉及芯片制作
，尤其涉及一种背出光红光芯片及背出光红光芯片的制作方法。
技术介绍
红光LED因外延生长在GaAs衬底上的原因，只能采用垂直结构方案，由上表面出光，反极性红光也仅是将外延薄膜层转移到硅或者锗衬底上，亮度有较大幅度的提升，但依然是由上表面出光。随着GaN基蓝绿光倒装芯片技术的成熟，以及高清户内显示屏像素间距越来越小，在Pith0.6mm以下时，已无法采用传统的焊线封装工艺，倒装芯片封装势在必行。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种背出光红光芯片及背出光红光芯片的制作方法，以解决现有技术中的问题。作为本专利技术的第一个方面，提供一种背出光红光芯片，其中，所述背出光红光芯片包括：蓝宝石基板、透明键合层、发光外延层和电极，所述蓝宝石基板的一表面通过所述透明键合层与所述发光外延层的一表面连接，所述发光外延层的背离所述蓝宝石基板的表面连接所述电极，所述发光外延层能够发出红光，且所述发光外延层发出的红光能够透过所述透明键合层由所述蓝宝石基板射出。优选地，所述背出光红光芯片还包括反射绝缘层，所述反射绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背出光红光芯片，其特征在于，所述背出光红光芯片包括：蓝宝石基板、透明键合层、发光外延层和电极，所述蓝宝石基板的一表面通过所述透明键合层与所述发光外延层的一表面连接，所述发光外延层的背离所述蓝宝石基板的表面连接所述电极，所述发光外延层能够发出红光，且所述发光外延层发出的红光能够透过所述透明键合层由所述蓝宝石基板射出。

【技术特征摘要】
1.一种背出光红光芯片，其特征在于，所述背出光红光芯片包括：蓝宝石基板、透明键合层、发光外延层和电极，所述蓝宝石基板的一表面通过所述透明键合层与所述发光外延层的一表面连接，所述发光外延层的背离所述蓝宝石基板的表面连接所述电极，所述发光外延层能够发出红光，且所述发光外延层发出的红光能够透过所述透明键合层由所述蓝宝石基板射出。2.根据权利要求1所述的背出光红光芯片，其特征在于，所述背出光红光芯片还包括反射绝缘层，所述反射绝缘层设置在所述发光外延层的侧面和所述发光外延层背离所述蓝宝石基板的表面。3.根据权利要求1或2所述的背出光红光芯片，其特征在于，所述电极包括正电极和负电极。4.根据权利要求3所述的背出光红光芯片，其特征在于，所述发光外延层包括N-AlGaInP层、MQW量子阱层和P-GaP层，所述MQW量子阱层位于所述N-AlGaInP层和P-GaP层之间，所述P-GaP层与所述透明键合层连接，所述正电极贯穿所述N-AlGaInP层和MQW量子阱层与所述P-GaP层连接，所述N-AlGaInP层与所述负电极连接。5.一种背出光红光芯片的制作方法，其特征在于，所述背出光红光芯片的制作方法包括：提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上生长发光外延层；提供蓝宝石基板，在所述蓝宝石基板上涂覆透明键合层；将所述蓝宝石基底通过所述透明键合层与所述发光外延层键合；去除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧诗，张秀敏，王书宇，贾美玲，
申请(专利权)人：江苏新广联半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32