一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其中，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底，所述衬底上设置发光外延层，所述发光外延层背离所述衬底的表面设置透明导电层，所述透明导电层背离所述发光外延层的表面设置Ag反射层，所述Ag反射层背离所述透明导电层的表面设置钝化层，所述Ag反射层包括从所述发光外延层至所述钝化层方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。本发明专利技术还公开了一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法。本发明专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片不仅具有较高的反射率，而且还具有较好的粘附性以及稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片及其制作方法
本专利技术涉及芯片制作
，尤其涉及一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片及一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法。
技术介绍
随着LED行业的发展,正装LED芯片技术日渐成熟,技术提升难度越来越大。倒装芯片因为其发光效率高散热性能好等优势，市场需求逐渐提升。Ag金属因为具有较好的反射率被用作倒装芯片反射层，但因为Ag与底层透明导电的ITO的接触性较差，且在芯片制作过程中容易溢出造成芯片漏电，因此需要用合适的工艺形成良好的欧姆接触、较高的反射率且要保证在使用过程中的稳定性。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片及一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法，以解决现有技术中的问题。作为本专利技术的第一个方面，提供一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其中，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底，所述衬底上设置发光外延层，所述发光外延层背离所述衬底的表面设置透明导电层，所述透明导电层背离所述发光外延层的表面设置Ag反射层，所述Ag反射层背离所述透明导电层的表面设置钝化层，所述Ag反射层包括从所述发光外延层至所述钝化层方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。优选地，所述发光外延层包括N-GAN层、量子阱层和P-GAN层，所述N-GAN层与所述衬底连接，所述量子阱层设置在所述N-GAN层和P-GAN层之间，所述P-GAN层与所述透明导电层连接。优选地，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括N焊盘电极和P焊盘电极，所述N焊盘电极的一端和P焊盘电极的一端均设置在所述钝化层背离所述Ag反射层的表面，所述N焊盘电极的另一端贯穿所述钝化层与所述N-GAN层连接，所述P焊盘电极的另一端贯穿所述钝化层与所述Ag反射层连接。优选地，所述衬底包括蓝宝石衬底。优选地，所述钝化层包括SiO2钝化层。优选地，所述透明导电层包括ITO导电层。作为本专利技术的第二个方面，提供一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法，其中，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法包括：提供衬底，在所述衬底上生长发光外延层；在所述发光外延层上制作透明导电层；在所述透明导电层上依次制作Ti、Ag、Ti、Al和Ti以形成Ag反射层；在所述Ag反射层上制作钝化层；在所述钝化层上制作N焊盘电极和P焊盘电极。优选地，所述衬底包括蓝宝石衬底。优选地，所述在所述衬底上生长发光外延层包括：在所述衬底上依次生长N-GAN层、量子阱层和P-GAN层以形成所述发光外延层。优选地，所述在所述透明导电层上依次制作Ti、Ag、Ti、Al和Ti以形成Ag反射层包括在所述透明导电层上依次蒸镀Ti、Ag、Ti、Al和Ti以形成Ag反射层。本专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，通过将Ag反射层结构设置成为Ti、Ag、Ti、Al和Ti这样复合结构，不仅具有较高的反射率，而且还具有较好的粘附性以及稳定性。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的结构示意图。图2为本专利技术提供的Ag反射层结构的示意图。图3为本专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法的流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。作为本专利技术的第一个方面，提供一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其中，如图1和图2所示，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底110，所述衬底110上设置发光外延层120，所述发光外延层120背离所述衬底110的表面设置透明导电层130，所述透明导电层130背离所述发光外延层120的表面设置Ag反射层140，所述Ag反射层140背离所述透明导电层130的表面设置钝化层150，所述Ag反射层140包括从所述发光外延层120至所述钝化层150方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。本专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，通过将Ag反射层结构设置成为Ti、Ag、Ti、Al和Ti这样复合结构，不仅具有较高的反射率，而且还具有较好的粘附性以及稳定性。需要说明的是，所述Ag反射层设置的第一层为Ti，该Ti为极薄金属层，其作用是增强基板与反射层金属之间的粘附性，需控制此层金属的厚度，若太薄会影响粘附性，太厚则会降低反射率；设置的第二层为Ag，该层为反射层的主要结构，Ag金属有较好的反射性能；设置的第三层为Ti，该层能够增强Ag反射层的第二层和第四层之间的粘附性；设置的第四层为Al，其目的是为了将Ag包裹住，防止Ag的扩散，增加反射层的稳定性。Al的溅镀分为两步进行，第一步以低功率（例如40瓦）进行，以保证包覆性，第二步以高功率（例如600瓦）进行，以达到足够的厚度。设置的第五层为Ti，该层在Al的表面增加保护层，防止在后续的工艺中被腐蚀破坏。需要说明的是，在做完反射层结构后，会做一层SiO2作为钝化层，因为在反射结构中含有金属Al，SiO2的图形化时使用干法刻蚀，防止湿法刻蚀时药液与Al反应，造成鼓泡，导致金属脱落。具体地，如图1所示，所述发光外延层包括N-GAN层121、量子阱层122和P-GAN层123，所述N-GAN层121与所述衬底110连接，所述量子阱层122设置在所述N-GAN层121和P-GAN层123之间，所述P-GAN层123与所述透明导电层130连接。具体地，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括N焊盘电极161和P焊盘电极162，所述N焊盘电极161的一端和P焊盘电极162的一端均设置在所述钝化层150背离所述Ag反射层140的表面，所述N焊盘电极161的另一端贯穿所述钝化层150与所述N-GAN层121连接，所述P焊盘电极162的另一端贯穿所述钝化层150与所述Ag反射层140连接。优选地，所述衬底包括蓝宝石衬底。优选地，所述钝化层包括SiO2钝化层。优选地，所述透明导电层包括ITO导电层。作为本专利技术的第二个方面，提供一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法，其中，如图3所示，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法包括：S110、提供衬底，在所述衬底上生长发光外延层；S120、在所述发光外延层上制作透明导电层；S130、在所述透明导电层上依次制作Ti、Ag、Ti、Al和Ti以形成Ag反射层；S140、在所述Ag反射层上制作钝化层；S150、在所述钝化层上制作N焊盘电极和P焊盘电极。本专利技术提供的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片的制作方法，通过将Ag反射层结构设置成为Ti、Ag、Ti、Al和Ti这样复合结构，不仅具有较高的反射率，而且还具有较好的粘附性以及稳定性。优选地，所述衬底包括蓝宝石衬底。具体地，所述在所述衬底上生长发光外延层包括：在所述衬底上依次生长N-GAN层、量子阱层和P-GAN层以形成所述发光外延层。具体地，所述在所述透明导电层上依次制作Ti、Ag、Ti、Al和Ti以形成Ag反射层包括在所述透本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底，所述衬底上设置发光外延层，所述发光外延层背离所述衬底的表面设置透明导电层，所述透明导电层背离所述发光外延层的表面设置Ag反射层，所述Ag反射层背离所述透明导电层的表面设置钝化层，所述Ag反射层包括从所述发光外延层至所述钝化层方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。

【技术特征摘要】
1.一种带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括：衬底，所述衬底上设置发光外延层，所述发光外延层背离所述衬底的表面设置透明导电层，所述透明导电层背离所述发光外延层的表面设置Ag反射层，所述Ag反射层背离所述透明导电层的表面设置钝化层，所述Ag反射层包括从所述发光外延层至所述钝化层方向依次设置Ti、Ag、Ti、Al和Ti。2.根据权利要求1所述的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光外延层包括N-GAN层、量子阱层和P-GAN层，所述N-GAN层与所述衬底连接，所述量子阱层设置在所述N-GAN层和P-GAN层之间，所述P-GAN层与所述透明导电层连接。3.根据权利要求2所述的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述带有Ag反射层结构的倒装LED芯片包括N焊盘电极和P焊盘电极，所述N焊盘电极的一端和P焊盘电极的一端均设置在所述钝化层背离所述Ag反射层的表面，所述N焊盘电极的另一端贯穿所述钝化层与所述N-GAN层连接，所述P焊盘电极的另一端贯穿所述钝化层与所述Ag反射层连接。4.根据权利要求1所述的带有Ag反射层结构的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王书宇，黄慧诗，华斌，
申请(专利权)人：江苏新广联半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32