一种发光二极管外延片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的电子阻挡层包括依次层叠设置在有源层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为AlGaN层，第二子层包括n个周期的AlGaN/InGaN超晶格结构，2≤n≤6，第三子层为InGaN层，第二子层中的InGaN层和第三子层中均掺杂有Mg。本发明专利技术通过将电子阻挡层分成三个子层，第一子层可以阻挡电子泄露到P型层，第二子层可以进一步地对电子进行多次的间隔阻挡，且能让空穴更容易向有源层移动，第三子层中的In是Mg的激活剂，可以降低Mg所需要的激活能，从而提供更多的空穴，从而提高发光二极管晶体的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管外延片及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高LED芯片发光效率是LED不断追求的目标。LED外延片是LED芯片中的重要结构，现有的LED外延片包括衬底和依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、MQW(MultipleQuantumWell，多量子阱)层、电子阻挡层和P型层。其中，电子阻挡层的作用主要是阻挡电子，减少电子泄露到P型层导致非辐射复合发光。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：由于电子阻挡层位于P型层和有源层之间，在阻挡电子的同时，也会阻挡一部分空穴进入到有源层中与电子复合发光，降低发光二极管晶体的发光效率。
技术实现思路
为了解决现有技术中电子阻挡层会阻挡一部分空穴进入到有源层中与电子复合发光，降低发光二极管晶体的发光效率的问题，本专利技术实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠设置在所述有源层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为AlGaN层，所述第二子层包括n个周期的AlGaN/InGaN超晶格结构，2≤n≤6，所述第三子层为InGaN层，所述第二子层中的InGaN层和所述第三子层中均掺杂有Mg。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠设置在所述有源层上的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为AlGaN层，所述第二子层包括n个周期的AlGaN/InGaN超晶格结构，2≤n≤6，所述第三子层为InGaN层，所述第二子层中的InGaN层和所述第三子层中均掺杂有Mg。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层中的Al的浓度大于所述第二子层中的AlGaN层中的Al的浓度。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中的InGaN层中的Mg的掺杂浓度小于所述第三子层中的Mg的掺杂浓度。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二子层中的InGaN层中的ln的浓度小于所述第三子层中的ln的浓度。5.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层的厚度大于所述第一子层的厚度，所述第一子层的厚度大于所述第二子层的厚度。6.一种发光二极管外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振，从颖，胡加辉，李鹏，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33