发光二极管制造方法技术

一种发光二极管制造方法，包括：提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片压入荧光胶内；固化覆盖层而形成覆盖发光芯片的封装体。由于采用压合的方式将荧光胶设置于发光芯片上，因此可获得较高的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种二极管，特别是指一种发光二极管制造方法。
技术介绍
发光二极管作为新兴的光源，已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括发光芯片及覆盖芯片的荧光粉。芯片发出的光线通过激发荧光粉而改变颜色，从而获得理想的光输出。现有的荧光粉通常是通过人工点胶的方式形成于芯片上的。然而，对于多个芯片而言，往往需要逐个对每个芯片进行点胶。因此，现有的发光二极管的制造过程需要耗费大量的时间，从而影响到发光二极管的生产效率。
技术实现思路
因此，有必要提供一种生产效率较高的发光二极管制造方法。一种发光二极管制造方法，包括：提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片压入荧光胶内；固化覆盖层而形成覆盖发光芯片的封装体。由于是通过压合的方式将发光芯片嵌入荧光胶内，对于多个发光芯片而言，可在同一压合制程当中同时与多个荧光胶进行结合。相比于现有技术当中逐个点胶的方式，本专利技术的制造方法可快速地对多个发光芯片设置荧光粉，从而提升发光二极管的生产效率。下面参照附图，结合具体实施例对本专利技术作进一步的描述。附图说明图1为本专利技术一实施例的发光二极管制造方法的第一个步骤。图2为发光二极管制造方法的第二个步骤。图3为发光二极管制造方法的第三个步骤。图4示出了图3中使用的覆盖层的底面。图5为发光二极管制造方法的第四个步骤。图6为发光二极管制造方法的第五个步骤。图7为发光二极管制造方法的第六个步骤。图8为发光二极管制造方法的第七个步骤。图9为制造完成的发光二极管。图10为图9的发光二极管的俯视图。主要元件符号说明基板10绝缘层12电极14第一电极16第二电极18绝缘带19发光芯片20导线22覆盖层30第一透光层32第二透光层34凹槽340底面342荧光胶36底面362封装体38模具40发光二极管50如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1-10，示出了本专利技术一实施例的发光二极管制造方法，其主要包括如下步骤：首先，如图1所示，提供一基板10。基板10包括一绝缘层12及形成于绝缘层12内的多对电极14。绝缘层12可由高分子树脂等绝缘性优良的材料通过射入成型、转移成型等方式制成。每对电极14相互之间隔开，以防止短路。每对电极14包括一第一电极16及与第一电极16间隔的第二电极18。第一电极16与第二电极18之间通过一绝缘带19隔开，以防止二者直接导通。然后，如图2所示在基板10上安装多个发光芯片20。每一发光芯片20通过固晶胶或其他方式固定于一相应的第二电极18上，然后通过导线22与相邻的第一电极16及第二电极18电连接。这些发光芯片20可采用诸如氮化镓、氮化铝镓、氮化铝铟镓等半导体材料制造，其可受电流的激发而发射光线。优选地，本实施例中所采用的发光芯片20均为蓝光晶片，以合成出白光。之后，如图3-4所示，再提供一覆盖层30。覆盖层30由第一透光层32及第二透光层34组合而成。本实施例中，第一透光层32与第二透光层34采用不同的透光材料(如玻璃、环氧树脂、硅胶等)制造，以具备不同的硬度。优选地，第一透光层32的硬度大于第二透光层34的硬度。比如，第一透光层32的硬度可为A 70或D，第二透光层34的硬度可为A 20。第一透光层32的厚度小于第二透光层34的厚度。第二透光层34贴设于第一透光层32的底部。第二透光层34底面342开设有多个分离的凹槽340。每一凹槽340大致呈矩形，其顶部与第二透光层34的顶面隔开，底部贯穿第二透光层34的底面342。多个荧光胶36填充于各个凹槽340内。每一荧光胶36可由钇铝石榴石、硅酸盐、氮氧化物等荧光材料混合透光胶体制成，其硬度可与第二透光层34的硬度相当或小于第二透光层34的硬度。当然，该透光胶体也可选用与第二透光层34相同的材料制造。每一荧光胶36在发光芯片20的蓝光激发下可发出黄光，继而与蓝光一起合成白光。每一荧光胶36的底面362与第二透光层34的底面342齐平。相邻的荧光胶36通过第二透光层34隔开。如图5-6所示，将覆盖层30置于基板10上方，使各荧光胶36对准各发光芯片20，然后通过一模具40下压覆盖层30的第一透光层32，使覆盖层30与基板10接合。由于第二透光层34中的荧光胶36的硬度较小，因此在接触到凸出于基板10上的发光芯片20之后，将会被发光芯片20所挤压而发生变形。随着覆盖层30与基板10之间的距离逐渐减小，荧光胶36的变形程度也越来越大，直至将整个发光芯片20逐渐包入其中。在模具40的压力作用下，此时第二透光层34及荧光胶36的底面340、360均与基板10的顶面紧密贴合。荧光胶36的底面直接与第一电极16、第二电极18及位于第一电极16及第二电极18之间的绝缘带19接触，第二透光层34的底面则直接与第一电极16及绝缘层12接触。随后，如图7所示，移开模具40，再固化覆盖层30。固化覆盖层30可采用紫外光照射、烘烤等方式实现。覆盖层30在固化之后硬度增大，从而形成与基板10紧密接合的封装体38。最后，如图8所示，沿着相邻两对电极14之间的位置处切割封装体38及基板10，形成如图9-10所示的多个独立的发光二极管50。由于采用压合的方式将荧光胶36设置于发光芯片20上，因此即使发光芯片20的数量较多，也可在同一制程内同时完成。相比于现有的点胶方式，本专利技术的发光二极管制造方法具有更高的生产效率。可以理解地，由于是通过压合的方式将发光芯片20压入荧光胶36内的，发光芯片20上的导线22可能会受到荧光胶36的压力而发生形变。为避免导线22出现形变的情况，可将发光芯片20换成倒装型发光芯片，使倒装型发光芯片的二电极直接与第一电极16及第二电极18连接。此种情况下无需使用导线22，因而也就不会出现导线22变形的问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管制造方法，包括：提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片被压入荧光胶内；固化覆盖层，形成覆盖发光芯片的封装体。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管制造方法，包括：
提供设有发光芯片的基板及设有荧光胶的覆盖层；
将覆盖层朝向基板移动，使发光芯片被压入荧光胶内；
固化覆盖层，形成覆盖发光芯片的封装体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：覆盖层包括第一透光层及第二透光层，荧光胶设于第二透光层内。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层的硬度大于第二透光层。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层及第二透光层采用不同的材料制造。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：第一透光层的厚度小于第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈滨全，陈隆欣，曾文良，罗杏芬，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44