一种黄绿光发光二极管及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。

A yellow green light emitting diode and its fabrication method

The invention discloses a yellow green light-emitting diode and manufacturing method, the manufacturing method comprises: providing a substrate to a preset crystal growth; buffer layer on one side of the substrate; from one side of the substrate growth distributed Prague reflection layer on the buffer layer; from one side the first type buffer layer growth limiting layer in distributed Prague reflector; the growth in the side of the first type limiting layer deviates from the distributed Prague reflector layer non doped superlattice active layer; in the non doped superlattice active layer from the side of the first confinement layer growth limiting layer type second; from side of non doped superlattice active layer growth transition layer in type second confinement layer type second layer; deviation limit one side of the window layer growth in the transition layer; deviating side transition layer of the first type electrode in the growth window layer; from one side buffer layer growth on a substrate second Type electrode. The yellow green light emitting diode (OLED) method has higher light intensity and high chip brightness.

【技术实现步骤摘要】
一种黄绿光发光二极管及制作方法
本专利技术涉及光电子半导体
，更具体地说，尤其涉及一种黄绿光发光二极管及制作方法。
技术介绍
随着科学技术的不断发展，发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，为一种重要的固态照明装置。四元系AGIP材料生长短波产品时，需要增加有源区的Al组分使波长变短，但是随着Al组分的增加，导致AGIP材料由直接带隙变为间接带隙，内量子效率低，进而使短波产品难以达到较高的芯片亮度。传统的LED行业中红光功率效率约52％、蓝光功率效率约62％、而黄绿光功率效率只有约22％，无法更好的满足市场需求。因此，如何提供一种高亮度的黄绿光发光二极管是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种黄绿光发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在所述衬底的一侧生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极。优选的，在上述制作方法中，所述预设晶向的衬底为晶向为1.5度-2.5度的N-GaAs衬底。优选的，在上述制作方法中，所述在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层包括：在第一温度下，在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长第一预设厚度的分布式布拉格反射层；其中，所述第一温度的范围为610℃-630℃，包括端点值，所述第一预设厚度的范围为50nm-100nm，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层。优选的，在上述制作方法中，所述在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层包括：在第二温度下，在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；其中，所述第一型限制层为N型限制层，所述第二温度的范围为650℃-670℃，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述第一型限制层为掺杂Te的第一型限制层。优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层包括：在第三温度下，在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长第三预设厚度的非掺杂超晶格有源层；其中，所述第三温度的范围为620℃-640℃，包括端点值，所述第三预设厚度的范围为10nm-50nm，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层包括：在第四温度下，在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；其中，所述窗口层为GaP窗口层，所述第四温度的范围为600℃-610℃，包括端点值。优选的，在上述制作方法中，所述第二型限制层为掺杂Mg的P型限制层，所述过渡层为掺杂Mg的P型过渡层，所述窗口层为掺杂Mg的窗口层。本专利技术还提供了一种黄绿光发光二极管，基于上述任一项所述的制作方法制作，所述黄绿光发光二极管包括：预设晶向的衬底；设置在所述衬底一侧的缓冲层；设置在所述缓冲层背离所述衬底一侧的分布式布拉格反射层；设置在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层一侧的第一型限制层；设置在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层一侧的非掺杂超晶格有源层；设置在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层一侧的第二型限制层；设置在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层一侧的过渡层；设置在所述过渡层背离所述第二型限制层一侧的窗口层；设置在所述窗口层背离所述过渡层一侧的第一型电极；设置在所述衬底背离所述缓冲层一侧的第二型电极。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种黄绿光发光二极管的制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在所述衬底的一侧生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极。也就是说，在预设晶向的衬底上，生长外延层结构，其中，外延层结构中的分布式布拉格反射层以及第一型限制层的掺杂元素为Te，使得最终的黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种黄绿光发光二极管的制作方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种黄绿光发光二极管的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。现有技术中，黄绿光发光二极管外延生长时，所使用的衬底为晶向为15度的衬底，N型掺杂元素为Si，但是，由于Si元素存在吸光问题，且当Si掺杂浓度高于5E18cm3时，其Ⅳ族元素的两性特征使Ⅲ-Ⅴ族化合物中出现严重的自补偿现象，阻碍掺杂浓度的进一步提高，导致黄绿光发光二极管的法相光强低。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种黄绿光发光二极管的制作方法的流程示意图。所述制作方法包括：S101：提供一预设晶向的衬底。具体的，由于掺杂元素Te在晶向为15度的衬底上难以实现理想的载流子浓度和迁移率，因此在本专利技术实施例中，所述预设晶向的衬底为晶向为1.5度-2.5度的N-GaAs衬底。S102：在所述衬底的一侧生长缓冲层。具体的，将所述衬底放入外延层生长反应室中，将温度调节至生长缓冲层所需的温度下，在衬底的一侧生长缓冲层，其中，所述缓冲层可选为GaAs缓冲层。S103：在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黄绿光发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在所述衬底的一侧生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极。

【技术特征摘要】
1.一种黄绿光发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在所述衬底的一侧生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设晶向的衬底为晶向为1.5度-2.5度的N-GaAs衬底。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层包括：在第一温度下，在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长第一预设厚度的分布式布拉格反射层；其中，所述第一温度的范围为610℃-630℃，包括端点值，所述第一预设厚度的范围为50nm-100nm，包括端点值。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层包括：在第二温度下，在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；其中，所述第一型限制层为N型限制层，所述第二温度的范围为650℃-670℃，包括端点值。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：伏兵，杜石磊，韩效亚，张双翔，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32