一种垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术提供的一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该垂直腔面发射激光器包括：衬底，以及位于衬底一侧的谐振腔层；谐振腔层包括在第一方向上依次设置的第一限制层、量子阱层、第二限制层和氧化层，其中量子阱层中的Al<subgt;x1</subgt;GaIn<subgt;y</subgt;P垒层中掺杂Sb元素的掺杂浓度的取值范围为1E17cm<supgt;‑3</supgt;‑5E19cm<supgt;‑3</supgt;；通过在所述量子阱层中的Al<subgt;x1</subgt;GaIn<subgt;y</subgt;P垒层掺杂Sb元素，Sb元素会改变Al<subgt;x1</subgt;GaIn<subgt;y</subgt;P材料的表面自由能和原子架构，增加Al<subgt;x1</subgt;GaIn<subgt;y</subgt;P材料的无序度，提高带隙，从而改善量子阱层内载流子的限制效果，优化垂直腔面发射激光器的性能和温度效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器（vertical-cavity surface-emitting laser，vcsel）是一种半导体微腔激光器，相较于传统的边发射激光器，垂直腔面发射激光器由于具有低阈值电流、体积小、圆对称光斑易于光纤耦合、高光束质量、单纵模、面发射易于集成等优势，使其在近年来得到了迅猛的发展，广泛应用于人脸识别等三维传感、光通信、激光雷达、无人驾驶等领域中；其中红光波段的垂直腔面发射激光器可应用于dvd读写，条形码扫描，葡萄糖监测，通过塑料光纤的数据通信，光学传感等方面。

2、红光波段的垂直腔面发射激光器的有源区结构不同于红外850nm波段和940nm波段的垂直腔面发射激光器的有源区结构，红外850nm波段和940nm波段的垂直腔面发射激光器的有源区结构通常采用的algaas/ingaas mqw材料体系，红光波段的垂直腔面发射激光器的有源区结构采用algainp/gainp mqw材料体系；但是algainp/gainp mqw材料体系的导带本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一限制层中掺杂Sb元素的掺杂浓度大于所述第二限制层中掺杂Sb元素的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一限制层中掺杂Sb元素的掺杂浓度的取值范围为1E17cm-3-5E19cm-3；

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述Alx1GaInyP垒层的Al组分的取值范围为0.1≤x1≤0.4。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第...

【技术特征摘要】

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述垂直腔面发射激光器包括：

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一限制层中掺杂sb元素的掺杂浓度大于所述第二限制层中掺杂sb元素的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一限制层中掺杂sb元素的掺杂浓度的取值范围为1e17cm-3-5e19cm-3；

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述alx1gainyp垒层的al组分的取值范围为0.1≤x1≤0.4。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第一限制层的材料为alx2gainyp材料，所述第二限制层的材料为alx2gainyp材料，x1≤x2。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述alx1ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴真龙，张鹏，曼玉选，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：