用于手环的MicroLED显示模块制作方法技术

本发明专利技术提供一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述制作方法步骤依次包括：形成LED外延片；暴露N‑GaN层部分上表面；制作反射层；制作列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；制备行电极绝缘层；暴露行电极电流通孔区域下的N‑GaN层；制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。本发明专利技术利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PM IC驱动，直接对微型显示阵列驱动，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。

The method of making MicroLED display module for hand ring

The invention provides a manufacturing method of a display module for Bracelet MicroLED, the method sequentially comprises the steps of: forming a LED epitaxial wafer exposure; N GaN layer on the surface; making a reflection layer; making column electrode insulating layer, exposed column electrode current through reflective layer hole under the column; making the electrode layer. The column electrode layer and column electrode current through hole connection; preparation for electrode insulating layer; exposed line electrode current through the N GaN layer hole under the production line; the electrode layer, the electrode layer and electrode current hole connection; using laser technology will be crystal on the circle cutting device, and the use of chip technology will separate lobes, forming a device independent units; using flip chip technology, the processing unit will display chip, connected with the ranks of the electrode is affixed with flexible circuit board of SSD1306 IC. The invention uses MicroLED technology, making micro display array, driven by PM IC, directly on the array driving micro display, instead of the OLED screen, the screen module to reduce energy consumption, improve the standby time.

【技术实现步骤摘要】
用于手环的MicroLED显示模块制作方法
本专利技术涉及液晶显示模块
，具体涉及一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法。
技术介绍
运动手环已成为大众消费品，大多数的手环采用的是OLED屏幕，由于OLED屏幕能耗较大，因此使得手环的待机时间一般只能持续：3~7天，且OLED发光效率低，显示亮度低，在户外强光下，很难识别屏幕内容；近年来MicroLED技术的日渐发展起来，MicroLED即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列即LED微缩化和矩阵化技术，由于能够将独立的红色、绿色和蓝色子像素作为独立可控光源，能行成高对比度，宽示角的显示器，因此基于MicroLED的运动手环已成为大众消费品，但是用于手环的MicroLED显示模块的制作工艺仍不成熟。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种手环的MicroLED显示模块制作方法，此种MicroLED显示模块制作方法能够使得MicroLED显示模块的工作电流更低，亮度更高，有利于降低手环的能耗，提高待机时间。根据本专利技术提供的技术方案，一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；所述方法还包括以下步骤：步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；步骤九：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306IC的柔性线路板的行列电极连接。进一步地，步骤一中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5um。进一步地，所述反射层采用高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。进一步地，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si3N4或SiO2。从以上所述可以看出本专利技术提供的一种手环的MicroLED显示模块制作方法与现有技术相比具备以下优点：本专利技术利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PMIC驱动，直接对微型显示阵列驱动，利用LED发光效率高、显示亮度高、相应快的优势，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。附图说明图1为本专利技术的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。如图1所示，一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述方法包括以下步骤：步骤一：利用MOCVD设备在蓝宝石衬底上依次生长N-GaN层，量子阱和P-GaN层，形成完整的LED外延结构，通过改变量子阱生长过程中温度和量子阱层中In、Al组分可以改变发光波长；步骤二：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；步骤三：利用负性光刻胶掩膜技术，在P-GaN层制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；步骤四：利用PECVD或者磁控溅射技术，在所述反射层上表面和N-GaN层上表面制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在反射层上表面位置处的列电极绝缘层上制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；步骤五：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；步骤六：利用PECVD或者磁控溅射技术，在列电极绝缘层上表面制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在N-GaN层上表面位置处的行电极绝缘层上制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域处的的行电极绝缘层和列电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；步骤七：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；步骤八：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；步骤九：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；步骤十：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306IC的柔性线路板的行列电极连接。优选地，上述步骤二中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5um。优选地，反射层采用：Al或Ag或Pt高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。优选地，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si3N4或SiO2。所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本专利技术的具体实施例而已，并不用于限制本专利技术，凡在本专利技术的主旨之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N‑GaN层、量子阱和P‑GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N‑GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N‑GaN层上表面部分外露；步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N‑GaN层；步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；步骤九：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在行电极绝缘层的上表面制作行电极电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄慧诗，周锋，张秀敏，田淑芬，
申请(专利权)人：江苏新广联半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32