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本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管的电子阻挡层包括依次层叠设置在有源层上的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层为AlGaN层，第二子层包括n个周期的AlGaN/InGaN超晶格结构，2≤n≤6，第三子层...
该专利属于华灿光电（浙江）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电（浙江）有限公司授权不得商用。

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