半导体封装件中的再分布层及其形成方法技术

实施例封装件包括第一集成电路管芯，围绕第一集成电路管芯的密封剂以及将第一导电通孔电连接到第二导电通孔的导线。该导线包括位于第一集成电路管芯上方并且具有沿第一方向延伸的第一长度方向尺寸的第一段，以及具有沿与第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸的第二段。第二段在第一集成电路管芯和密封剂之间的边界上方延伸。本发明专利技术的实施例还提供了一种形成半导体器件的方法。

Redistribution layer in semiconductor packaging and its formation method

The embodiment includes a first integrated circuit core, a sealant around the first integrated circuit core, and a conducting wire electrically connecting the first conductive hole to the second conductive through hole. The conductor comprises a first segment positioned above the first integrated circuit core and having a first length direction extending along the first direction, and a second segment with second longitudinal dimensions extending along the second direction which is different from the first direction. The second section extends over the boundary between the first integrated circuit core and the sealant. The embodiment of the invention also provides a method for forming a semiconductor device.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件中的再分布层及其形成方法
本专利技术的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体封装件中的再分布层及其形成方法。
技术介绍
由于许多电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度的不断提高，半导体工业经历了快速发展。大多数情况下，这种集成度的改进来自于最小特征尺寸的连续减小，这允许更多的组件集成到给定的区域。随着对缩小电子器件的需求的增长，已经出现了对更小和更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这种封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上以提供高水平的集成和部件密度。PoP技术通常能够生产具有增强的功能和在印刷电路板(PCB)上占用小封装面积(footprint)的半导体器件。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种封装件，包括：第一集成电路管芯；密封剂，围绕所述第一集成电路管芯；导线，将第一导电通孔电连接到第二导电通孔，其中，所述导线包括：第一段，在所述第一集成电路管芯上方，并且具有沿第一方向延伸的第一纵向尺寸；和第二段，具有沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸，其中，所述第二段在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的边界上方延伸。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；密封剂，设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间；多个通孔，延伸穿过所述密封剂并且电连接到所述第一集成电路管芯；再分布层，在所述第一集成电路管芯、所述第二集成电路管芯和所述密封剂上方，其中，所述再分布层中的导线将所述第一集成电路管芯上方的第一导电通孔连接到所述第二集成电路管芯上方的第二导电通孔，并且所述导线包括：第一段，在第一集成电路管芯上方；第二段，在所述器件的平面图中以与所述第一段不同的角度设置，其中，所述第二段在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的第一界面上方延伸；和第三段，在第二集成电路管芯上方并且在所述器件的平面图中以与所述第二段不同的角度布置。根据本专利技术的又一个方面，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：将第一集成电路管芯封装在密封剂中；在所述第一集成电路管芯和所述密封剂上形成再分布层(RDL)，其中，所述RDL包括：第一导电通孔，在第一集成电路管芯上方；和导线，将所述第一导电通孔电连接到第二导电通孔，其中，所述导线包括：第一段，在所述第一集成电路管芯上方并且沿第一方向延伸；第二段，以与第一方向不同的第二方向在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的边界上延伸；和第三段，以与所述第二方向不同的第三方向延伸，其中，所述第二段设置在所述第一段和所述第三段之间。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本专利技术的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。图1至图15示出了根据一些实施例的用于形成第一封装件结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图16至图18示出了根据一些实施例的导电层布线的平面图。图19至图23示出了根据一些实施例的用于进一步形成第一封装件和用于将其它封装件结构附接到第一封装件的工艺期间的中间步骤的截面图。具体实施方式以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。而且，为了便于描述，在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下”、“在…之上”、“上”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且在此使用的空间相对描述符可以同样地做出相应的解释。本文讨论的实施例可以在特定的背景中讨论，即，包括再分布层(RDL)布线设计的封装结构，该再分布层(RDL)布线设计能够在半导体-封装剂的边界处(例如，硅/模塑料(Si/MC)边界)实现更大的可靠稳健性。封装结构可以包括扇出式封装件或扇入式封装件，并且可以包括一个或多个RDL。例如，由于热膨胀系数(CTE)不匹配而导致的曲率变化，将晶圆形式的封装件从室温加热至220摄氏度(℃)导致半导体-封装剂边界处的RDL上的高弯曲应力。半导体可以是管芯/芯片。跨越这种边界的应力会导致RDL开裂。因此，在一些实施例中，RDL布线设计可以根据该CTE不匹配来配置，并且用于提高可靠稳健性和更少的制造缺陷。此外，本公开的教导适用于包括横跨具有不同CTE的不同材料的一个或导电层的任何封装结构。其他实施例预期其他应用，诸如本领域普通技术人员在阅读本专利技术之后将显而易见的不同封装件类型或不同配置。应该注意，本文讨论的实施例不必示出可能存在于结构中的每一个元件或部件。例如，可从附图中省略多个部件，诸如当讨论一个元件可能足以表达实施例的各个方面时。此外，可将本文讨论的方法实施例讨论为按特殊顺序实施；然而，可按任何逻辑顺序实施其他方法实施例。图1至图15示出了根据一些实施例的用于形成第一封装结构的工艺期间的中间步骤的截面图。图1示出了载体衬底100和形成在载体衬底100上的释放层102。分别示出了用于形成第一封装件和第二封装件的第一封装区域600和第二封装区域602。载体衬底100可以是玻璃载体衬底、陶瓷载体衬底等。载体衬底100可以是晶圆，从而使得可以在载体衬底100上同时形成多个封装件。释放层102可以由基于聚合物的材料形成，其与载体衬底100一起从将在随后的步骤中形成的上面的结构处去除。在一些实施例中，释放层102是加热时失去其粘性的基于环氧树脂的热释放材料，诸如光热转换(LTHC)释放涂层。在其他实施例中，释放层102可以是紫外(UV)胶，当紫外(UV)胶暴露于UV光时失去其粘性。释放层102可以作为液体分配然后固化，释放层102可以是层压在载体衬底100上的层压膜等。可使释放层102的顶面齐平并且所述顶面可具有高度的平面性。在图2中，形成介电层104和金属化图案106。如图2所示，在释放层102上形成介电层104。介电层104的底表面可以与释放层102的顶表面接触。在一些实施例中，介电层104可以由诸如聚苯并恶唑(PBO)、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)等聚合物形成。在其他实施例中，介电层104由诸如氮化硅的氮化物；诸如氧化硅、磷硅酸盐玻璃(PSG)、硼硅酸盐玻璃(BSG)、掺杂硼的磷硅酸盐玻璃(BPSG)等氧化物等形成。介电层104可以通过任何可接受的沉积工艺(诸如旋涂、化学汽相沉积(CVD)、层压等或它们的组合)形成。在电介质层104上形成金属化图案106。作为形成金属化图案106的实例，在电介质层104上形成晶种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件，包括：第一集成电路管芯；密封剂，围绕所述第一集成电路管芯；导线，将第一导电通孔电连接到第二导电通孔，其中，所述导线包括：第一段，在所述第一集成电路管芯上方，并且具有沿第一方向延伸的第一纵向尺寸；和第二段，具有沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸，其中，所述第二段在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的边界上方延伸。

【技术特征摘要】
2016.09.09 US 15/261,2021.一种封装件，包括：第一集成电路管芯；密封剂，围绕所述第一集成电路管芯；导线，将第一导电通孔电连接到第二导电通孔，其中，所述导线包括：第一段，在所述第一集成电路管芯上方，并且具有沿第一方向延伸的第一纵向尺寸；和第二段，具有沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二纵向尺寸，其中，所述第二段在所述第一集成电路管芯和所述密封剂之间的边界上方延伸。2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述导线还包括：第三段，具有沿与所述第二方向不同的第三方向延伸的第三纵向尺寸，其中，所述第二段设置在所述第一段和所述第三段之间。3.根据权利要求1所述的封装件，其中，沿着所述第一方向设置的第一线不平行于延伸穿过所述第一导电通孔的中心和所述第二导电通孔的中心的第二线。4.根据权利要求3所述的封装件，其中，所述第一线和所述第二线之间的角度为约30°至约60°。5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一段和所述第二段之间的角度为约120°至约150°。6.一种半导体器件，包括：第一集成电路管芯；第二集成电路管芯；密封剂，设置在所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯之间；多个通孔，延伸穿过所述密封剂并且电连接到所述第一集成电路管芯；再分布层，在所述第一集成电路管芯、所述第二集成电路管芯和所述密封剂上方，其中，所述再分布层中的导线将所述第一集成电路管芯上方...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢正贤，许立翰，吴伟诚，陈宪伟，叶德强，吴集锡，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71