MEMS流量传感器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MEMS流量传感器，涉及半导体器件技术领域，包括：SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护层；所述钝化保护层上开设有引线焊盘窗口；所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中设有背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层的位置对应；所述SOI基底的表面硅层厚度为预设厚度，所述预设厚度大于1微米。本实用新型专利技术能够增大MEMS流量传感器支撑膜薄厚度，提高MEMS流量传感器的稳定性和可靠性。

MEMS flow sensor

The utility model discloses a MEMS flow sensor, which belongs to the technical field of semiconductor devices, including: SOI substrate; on the surface of the SOI substrate for the first silicon oxide layer under the surface of the SOI substrate is a silicon dioxide layer; on the surface of the first silicon oxide layer for patterning the conductive metal layer; on the surface of the patterned conductive metal layer as the passivation layer; the protective layer is arranged on the bond pad window; silicon substrate layer of the SOI substrate and the second silicon oxide layer is arranged in the back cavity, the back cavity with the location of the patterned conductive metal layer corresponding to the position the surface of the SOI substrate; the silicon layer thickness as the preset thickness, the preset thickness greater than 1 microns. The utility model can increase the thin thickness of the support membrane of the MEMS flow sensor, and improve the stability and reliability of the MEMS flow sensor.

【技术实现步骤摘要】
MEMS流量传感器
本技术涉及半导体器件
，特别涉及一种MEMS流量传感器。
技术介绍
与传统的热式质量传感器相比，微机电系统（MicroelectromechanicalSystems，MEMS）流量传感器具有成本低、功耗低、一致性高、可批量制造等优点。MEMS流量传感器通常需要采用支撑膜结构以降低加热功耗、提高灵敏度、避免与环境温度的交叉串扰。目前，通常采用化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition，CVD）生长SiO2层、Si3N4层或者其复合层作为支撑膜，受限于CVD生长物理化学机理，这种方法形成的支撑膜厚度通常不超过1微米，薄的支撑膜结构使得传感器结构强度减弱，可靠性和稳定性降低。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种MEMS流量传感器，以解决现有技术中MEMS流量传感器支撑膜薄的技术问题。为解决上述技术问题，本技术所采取的技术方案是：一种MEMS流量传感器，包括：SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护层；所述钝化保护层上开设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS流量传感器，其特征在于，包括：SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护层；所述钝化保护层上开设有引线焊盘窗口；所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中设有背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层的位置对应；所述SOI基底的表面硅层厚度为预设厚度，所述预设厚度大于1微米。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS流量传感器，其特征在于，包括：SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护层；所述钝化保护层上开设有引线焊盘窗口；所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中设有背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层的位置对应；所述SOI基底的表面硅层厚度为预设厚度，所述预设厚度大于1微米。2.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述钝化保护层的上表面为抗油...

【专利技术属性】
技术研发人员：张旭辉，徐爱东，卞玉民，杨拥军，
申请(专利权)人：河北美泰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13