集成MEMS结构与互连和过孔制造技术

将导电层沉积到衬底上的牺牲层中的沟槽中。在导电层之上沉积蚀刻停止层。移除牺牲层以形成间隙。在一个实施例中，梁在衬底之上。互连在梁上。蚀刻停止层在梁之上。间隙在梁与蚀刻停止层之间。

Integrated MEMS structure and interconnect and cross hole

The conductive layer is deposited into the grooves in the sacrificial layer on the substrate. The etching stop layer is deposited on the conductive layer. Remove the sacrificial layer to form a gap. In one example, the beam is on the substrate. The interconnect is on the beam. The etch stop layer is above the beam. The gap is between the beam and the etch stop layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成MEMS结构与互连和过孔
如本文所描述的实施例涉及电子器件制造的领域，并且特别地涉及微机电系统（MEMS）结构集成。
技术介绍
一般地，微机电系统是指嵌入在半导体芯片中的最小化的机械和机电器件，例如传感器、阀门、齿轮、镜子和致动器。当前，随着对于器件的最小化和更高密度的需求持续增加，常规的电子器件封装方法正在达到其极限。典型地，以封装集成水平将MEMS组件集成到系统中。为了封装集成，将MEMS结构和互补金属氧化物半导体（CMOS）晶体管制作在不同的硅衬底上，作为分立的组件。然后将这些不同的分立组件集成到封装中。典型地，MEMS处理和CMOS处理具有不同的工艺要求。常规的MEMS集成技术之一是MEMS首先处理技术。根据MEMS首先处理技术，在晶体管和互连之前处理MEMS组件。常规的MEMS集成技术中的另一种是CMOS首先处理技术。根据CMOS首先处理技术，在MEMS处理之前处理晶体管。常规的MEMS集成技术是庞大的，其造成“硅面积”损失和增加的制造成本。附图说明可以通过参照以下描述和用于图示本专利技术的实施例的随附各图来最好地理解本专利技术的实施例。在附图中：图1A示出根据一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件包括：后端工艺（BEOL）结构，所述后端工艺（BEOL）结构包括衬底之上的梁，其中梁由一个或多个过孔固定。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子器件包括：后端工艺（BEOL）结构，所述后端工艺（BEOL）结构包括衬底之上的梁，其中梁由一个或多个过孔固定。2.权利要求1所述的电子器件，还包括梁之上的蚀刻停止层，以及梁与蚀刻停止层之间的第一间隙。3.权利要求1所述的电子器件，还包括梁下方的第二间隙。4.权利要求1所述的电子器件，其中所述一个或多个过孔在梁下方。5.权利要求1所述的电子器件，还包括梁上方的电极。6.权利要求1所述的电子器件，还包括梁上的至少一个互连。7.权利要求1所述的电子器件，还包括衬底上的第二过孔；第二过孔上的导电沟槽；以及邻近于第二过孔的沟槽下方的绝缘柱。8.一种制造电子器件的方法，包括：将第一导电层沉积到衬底上的后端工艺（BEOL）区域中的第一牺牲层中的沟槽中；在第一导电层之上沉积蚀刻停止层；以及移除第一牺牲层以形成由一个或多个过孔固定的梁。9.权利要求8所述的方法，其中梁是与互补金属氧化物半导体（CMOS）BEOL处理同时形成的MEMS器件的部分。10.权利要求8所述的方法，还包括移除第一导电层的部分以形成凹陷；将第二牺牲层沉积到凹陷中，其中在第二牺牲层上沉积蚀刻停止层；以及移除第二牺牲层。11.权利要求8所述的方法，还包括在第一导电层上沉积绝缘层。12.权利要求8所述的方法，还包括在第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：KL林，C帕瓦舍，R金，IA扬，KJ辛格，RL布里斯托尔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US