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本实用新型公开了一种MEMS流量传感器，涉及半导体器件技术领域，包括：SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护...
该专利属于河北美泰电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河北美泰电子科技有限公司授权不得商用。

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