相位移光掩模制造技术

提供一种相位移光掩模，其包括透光基板、透光基板上的蚀刻停止层、以及蚀刻停止层上的可调的透光材料层。可调的透光材料层图案化以具有开口，其设计以提供相位移并具有大于90％的透光度。

【技术实现步骤摘要】
相位移光掩模
本专利技术实施例关于半导体结构的形成方法，更特别关于其采用的相位移光掩模。
技术介绍
在半导体技术中，光学干扰与其他效应常造成关键尺寸的变异。如此一来，对次波长图案化中较小的结构(特别是是接点孔)的尺寸而言，光掩模误差参数将过高而无法接受。多种技术已用于改善光掩模误差参数，比如采用相位移光掩模(如无铬的相位移光掩模)定义电路图案。在无铬的相位移光掩模中，电路结构定义于透光光掩模中，且透明光掩模的相邻的透光区之间具有相位移。如此一来，当成像至半导体基板时，破坏性干涉将产生暗结构。然而现有无铬的相位移光掩模对改善成像品质与其他问题的弹性受限，比如相对于预期相位移的蚀刻制程容忍度。此外，现有无铬的相位移光掩模在形成与使用光掩模时，对透光基板的保护有限。如此一来，目前亟需无铬的相位移光掩模结构、其形成方法、与其应用方法以改善上述问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的相位移光掩模，包括：透光基板；蚀刻停止层，位于透光基板上；以及可调的透光材料层，位于蚀刻停止层上，且可调的透光材料层图案化以具有开口，其中蚀刻停止层完全覆盖开口中的部份透光基板，且可调的透光材料层设计为提供相位移本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相位移光掩模，包括：一透光基板；一蚀刻停止层，位于该透光基板上；以及一可调的透光材料层，位于该蚀刻停止层上，且该可调的透光材料层图案化以具有一开口，其中该蚀刻停止层完全覆盖该开口中的部份该透光基板，且该可调的透光材料层设计为提供相位移。

【技术特征摘要】
2016.08.25 US 62/379,547;2017.05.17 US 15/597,9921.一种相位移光掩模，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云跃，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71