相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种相移掩模坯板，抑制制作相移掩模时的蚀刻液的消耗量，且用于得到精细且高精度的图案和不产生凹缺陷的相移掩模。相移掩模坯板(10)在透明基板(11)上将相移膜(12)、蚀刻阻止膜(13)、遮光膜(14)依次形成，相移膜(12)由含有铬和选自氧、氮、碳、氟中的至少一种的铬化合物构成，蚀刻阻止膜(13)由含有金属和硅的金属硅化物构成，相移膜(12)和遮光膜(14)是能够用同一蚀刻液A进行蚀刻的材料，且调整为蚀刻液A对遮光膜(14)的湿法蚀刻速度比蚀刻液A对相移膜(12)的湿法蚀刻速度更快，蚀刻阻止膜(13)是对于遮光膜(14)的蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整蚀刻阻止膜(13)的膜厚、材料、组成比，以使蚀刻阻止膜(13)被能够蚀刻蚀刻阻止膜(13)的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为15分钟以下。

Phase shifting mask, blank plate, phase shifting mask and method for manufacturing display device

The present invention provides a phase shifting die blank, which suppresses the consumption of etching liquid when producing a phase shifting mask, and is used to obtain fine and high-precision patterns and phase shifting masks without generating concave defects. \u76f8\u79fb\u63a9\u6a21\u576f\u677f(10)\u5728\u900f\u660e\u57fa\u677f(11)\u4e0a\u5c06\u76f8\u79fb\u819c(12)\u3001\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u3001\u906e\u5149\u819c(14)\u4f9d\u6b21\u5f62\u6210\uff0c\u76f8\u79fb\u819c(12)\u7531\u542b\u6709\u94ec\u548c\u9009\u81ea\u6c27\u3001\u6c2e\u3001\u78b3\u3001\u6c1f\u4e2d\u7684\u81f3\u5c11\u4e00\u79cd\u7684\u94ec\u5316\u5408\u7269\u6784\u6210\uff0c\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u7531\u542b\u6709\u91d1\u5c5e\u548c\u7845\u7684\u91d1\u5c5e\u7845\u5316\u7269\u6784\u6210\uff0c\u76f8\u79fb\u819c(12)\u548c\u906e\u5149\u819c(14)\u662f\u80fd\u591f\u7528\u540c\u4e00\u8680\u523b\u6db2A\u8fdb\u884c\u8680\u523b\u7684\u6750\u6599\uff0c\u4e14\u8c03\u6574\u4e3a\u8680\u523b\u6db2A\u5bf9\u906e\u5149\u819c(14)\u7684\u6e7f\u6cd5\u8680\u523b\u901f\u5ea6\u6bd4\u8680\u523b\u6db2A\u5bf9\u76f8\u79fb\u819c(12)\u7684\u6e7f\u6cd5\u8680\u523b\u901f\u5ea6\u66f4\u5feb\uff0c\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u662f\u5bf9\u4e8e\u906e\u5149\u819c(14)\u7684\u8680\u523b\u6db2A\u5177\u6709\u8010\u8680\u523b\u6027\u7684\u6750\u6599\uff0c\u4e14\u8c03\u6574\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u7684\u819c\u539a\u3001\u6750\u6599\u3001\u7ec4\u6210\u6bd4\uff0c\u4ee5\u4f7f\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u88ab\u80fd\u591f\u8680\u523b\u8680\u523b\u963b\u6b62\u819c(13)\u7684\u8680\u523b\u6db2B\u5265\u79bb\u4e3a\u6b62\u6240\u9700\u7684\u65f6\u95f4\u6210\u4e3a15\u5206\u949f\u4ee5\u4e0b\u3002

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相移掩模坯板、相移掩模及显示装置的制造方法。
技术介绍
目前，液晶显示装置采用VA(Verticalalignment)方式或IPS(InPlaneSwitching)方式等。通过采用这些方式，期望明亮且省电，并且实现高精细、高速显示、广视角等的显示性能的提高。例如，在采用了这些方式的液晶显示装置中对像素电极应用形成线－间隔图案(lineandspacepattern)状的透明导电膜，为了提高显示装置的显示性能，期望这样的图案越来越精细。例如，期望将线－间隔图案的间距宽度P(线宽L和间隔宽度S的合计)从6μm向5μm缩小，进一步从5μm向4μm缩小。在该情况下，线宽L、间隔宽度S中的至少一项低于3μm的情况较多。例如，L＜3μm、或L≦2μm、或S＜3μm、或S≦2μm情况不少。另一方面，就液晶显示装置或EL(electroluminescence)显示装置所使用的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)而言，在构成TFT的多个图案中，形成于钝化层(绝缘层)的接触孔贯穿绝缘层，与处于绝缘层的下层侧的连接部导通。此时，如果未能使上层侧和下层侧的图案精确本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相移掩模坯板，其特征在于，所述相移掩模坯板是相移掩模的原版，所述相移掩模是在透明基板上将相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜分别通过湿法蚀刻进行构图，形成包含遮光部、相移部、透光部的转印图案而制成的相移掩模，所述相移掩模使透过所述相移部的光的相位和透过所述透光部的光的相位不同，由此使通过所述相移部和所述透光部的边界部附近的光相互抵消而提高边界部的对比度，所述相移掩模坯板中，在所述透明基板上依次形成有相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜，所述相移膜由含有铬和选自氧、氮、碳、氟中的至少一种的铬化合物构成，所述蚀刻阻止膜由含有金属和硅的金属硅化物构成，所述相移膜和所述遮光膜是能够用同一蚀刻液A进行蚀刻的材料，且调整...

【技术特征摘要】
2016.03.24 JP 2016-059487;2017.01.27 JP 2017-013101.一种相移掩模坯板，其特征在于，所述相移掩模坯板是相移掩模的原版，所述相移掩模是在透明基板上将相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜分别通过湿法蚀刻进行构图，形成包含遮光部、相移部、透光部的转印图案而制成的相移掩模，所述相移掩模使透过所述相移部的光的相位和透过所述透光部的光的相位不同，由此使通过所述相移部和所述透光部的边界部附近的光相互抵消而提高边界部的对比度，所述相移掩模坯板中，在所述透明基板上依次形成有相移膜、蚀刻阻止膜、遮光膜，所述相移膜由含有铬和选自氧、氮、碳、氟中的至少一种的铬化合物构成，所述蚀刻阻止膜由含有金属和硅的金属硅化物构成，所述相移膜和所述遮光膜是能够用同一蚀刻液A进行蚀刻的材料，且调整为所述蚀刻液A对所述遮光膜的湿法蚀刻速度比所述蚀刻液A对所述相移膜的湿法蚀刻速度更快，所述蚀刻阻止膜是对于所述遮光膜的蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整所述蚀刻阻止膜的膜厚、材料、组成比，以使所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为15分钟以下。2.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜是对于所述遮光膜的蚀刻液A具有耐蚀刻性的材料，且调整所述蚀刻阻止膜的膜厚、材料、组成比，以使所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间成为10分钟以下。3.如权利要求1或2所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜的膜厚为5nm以上75nm以下。4.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜中的所述金属和所述硅的比例为金属:硅＝1:2以上1:9以下。5.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜是金属硅化物的氮化物、金属硅化物的氧氮化物、金属硅化物的碳氮化物或金属硅化物的氧碳氮化物，所述氮的含量为20原子％以上50原子％以下。6.如权利要求5所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜中的所述氮的含量为25原子％以上45原子％以下。7.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻液A对所述遮光膜的湿法蚀刻速度为所述蚀刻液A对所述相移膜的湿法蚀刻速度的1.5～5倍。8.如权利要求1所述的相移掩模坯板，其特征在于，所述蚀刻阻止膜被能够蚀刻所述蚀刻阻止膜的蚀刻液B剥离为止所需的时间为10秒以上。9.如权利要求1所述的相...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛田正男，坪井诚治，
申请(专利权)人：HOYA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP