薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置制造方法及图纸

提供一种薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置。所述薄膜晶体管包括基底、半导体层、第一绝缘层和栅电极。栅电极与半导体层叠置。薄膜晶体管包括位于栅电极上的第二绝缘层和位于第二绝缘层上的电极结构。电极结构通过通孔连接到栅电极。薄膜晶体管包括穿过第一绝缘层和第二绝缘层以连接到半导体层的源电极和漏电极。半导体层包括与栅电极叠置的沟道区、连接到源电极的源区、连接到漏电极的漏区、轻掺杂的源区和轻掺杂的漏区。电极结构与轻掺杂的源区和轻掺杂的漏区中的至少一个叠置。

Thin film transistors, their manufacturing methods, and display devices including them

A thin film transistor, a manufacturing method, and a display device including it are provided. The thin film transistors include a substrate, a semiconductor layer, a first insulating layer and a gate electrode. The gate electrode and the semiconductor are stacked. The thin film transistors include the second insulating layer on the gate electrode and the electrode structure on the second insulating layer. The electrode structure is connected to the gate electrode through a through hole. A thin film transistor consists of a source electrode and a leaky electrode that is connected to the semiconductor layer through the first insulating layer and the second insulating layer. The semiconductor layer includes the channel area superimposed with the gate electrode, the source area connected to the source electrode, the drain area connected to the drain electrode, the lightly doped source area and the lightly doped drain area. The electrode structure is at least one superimposition in the light doped source and light doped leaky regions.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示装置本申请要求于2016年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0106200号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术构思的示例实施例涉及一种薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及包括该薄膜晶体管的显示装置。
技术介绍
基于显示装置的器件结构和发光类型，显示装置可包括液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、等离子体显示面板(PDP)装置、电泳显示(EPD)装置等。显示装置可包括栅极线和数据线以及连接到栅极线和数据线的至少一个薄膜晶体管(TFT)。TFT可以是将数据电压施加到显示装置中的多个像素的开关元件。随着对具有较高集成度和较高性能的显示装置的趋势，使用短沟道TFT会是必须的。然而，在TFT的沟道长度变短的情况下，电子迁移率会由于由水平电场引起的热载流子应力而减小，因此导致增大的截止电流。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种薄膜晶体管包括基底、位于基底上的半导体层、位于半导体层上的第一绝缘层以及位于第一绝缘层上的栅电极。栅电极与半导体层叠置。薄膜晶体管还包括位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，位于所述基底上；第一绝缘层，位于所述半导体层上；栅电极，位于所述第一绝缘层上，所述栅电极与所述半导体层叠置；第二绝缘层，位于所述栅电极上；电极结构，位于所述第二绝缘层上，所述电极结构通过至少一个通孔连接到所述栅电极；以及源电极和漏电极，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以连接到所述半导体层，其中，所述半导体层包括：沟道区，与所述栅电极叠置；源区，连接到所述源电极；漏区，连接到所述漏电极；轻掺杂的源区，位于所述源区与所述沟道区之间；以及轻掺杂的漏区，位于所述漏区与所述沟道区之间，并且所述电极结构与所述轻掺杂的源区和所述轻掺杂的漏区中的至少一个...

【技术特征摘要】
2016.08.22 KR 10-2016-01062001.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；半导体层，位于所述基底上；第一绝缘层，位于所述半导体层上；栅电极，位于所述第一绝缘层上，所述栅电极与所述半导体层叠置；第二绝缘层，位于所述栅电极上；电极结构，位于所述第二绝缘层上，所述电极结构通过至少一个通孔连接到所述栅电极；以及源电极和漏电极，穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，以连接到所述半导体层，其中，所述半导体层包括：沟道区，与所述栅电极叠置；源区，连接到所述源电极；漏区，连接到所述漏电极；轻掺杂的源区，位于所述源区与所述沟道区之间；以及轻掺杂的漏区，位于所述漏区与所述沟道区之间，并且所述电极结构与所述轻掺杂的源区和所述轻掺杂的漏区中的至少一个叠置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述电极结构具有从与所述基底的表面垂直的方向的岛状形状。3.一种制造薄膜晶体管的方法，所述方法包括：在基底上形成包括沟道区、源区和漏区的半导体层；在所述半导体层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成栅电极；使用所述栅电极作为第一掩模来掺杂第一浓度的n型杂质；在所述栅电极上形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层中限定通孔，所述通孔暴露所述栅电极；在所述第二绝缘层上形成电极结构，所述电极结构通过所述通孔连接到所述栅电极；以及使用所述电极结构作为第二掩模来掺杂第二浓度的n型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张龙在，金曰濬，尹柱善，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR