氧化物半导体薄膜晶体管制造技术

一种氧化物半导体薄膜晶体管，在沟道层和源漏电极之间设置有半导体保护层，半导体保护层为(MO)x(NO)y，其中，0.1<x≤0.8，0.2≤y<0.9，且x+y＝1；其中，M为Zr、Si、Hf和W中的至少一种元素，N为Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一种元素。M元素能够起到提供半导体保护层载流子传输路径的作用，N元素能够起到提高半导体保护层化学稳定性、增加半导体保护层抗酸刻蚀性及控制氧化物半导体保护层体内载流子浓度的作用，能够使得上述氧化物半导体薄膜晶体管既能避免湿法刻蚀时对背沟道的损伤问题，更好地保护沟道层，又不必增加一道制备刻蚀阻挡层的工序。还能调控氧化物薄膜晶体管的阈值电压。

Oxide semiconductor thin film transistors

【技术实现步骤摘要】
氧化物半导体薄膜晶体管
本专利技术涉及薄膜晶体管
，特别是涉及一种氧化物半导体薄膜晶体管。
技术介绍
随着信息时代的到来，显示器正在加速向平板化、节能化的方向发展。平板显示器(FlatPanelDisplay，FPD)是目前最为流行的一类显示设备。平板显示领域中应用最广泛的技术就是薄膜晶体管技术(ThinFilmTransistor，TFT)。当前主流的薄膜晶体管技术的有源层材料为Si材料，包括非晶硅、多晶硅等。然而非晶硅薄膜晶体管稳定性较差且迁移率较低，而多晶硅薄膜晶体管由于晶界的存在，其制备均一性较差且成本偏高。这些技术是无法同时满足现在以及将来超高分辨率、超大尺寸、柔性显示的要求。相比较而言，氧化物薄膜晶体管具有迁移率相对较高、均匀性良好、制程温度较低且与目前的非晶硅产线兼容等优点被认为是下一代最有前景的TFT技术之一，目前受到国内外学术界和产业界的广泛关注。目前主流的氧化物半导体材料化学稳定性较差，对酸相当敏感，在用湿法刻蚀工艺图案化源漏电极时容易出现背沟道损伤的问题。为了获得高性能的氧化物薄膜晶体管，需要额外通过光刻工艺添加一层图案化的刻蚀阻挡层，从而增加制备成本。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，在沟道层和源漏电极之间设置有半导体保护层，所述半导体保护层为(MO)x(NO)y，其中，0.1<x≤0.8，0.2≤y<0.9，且x+y＝1；其中，M为Zr、Si、Hf和W中的至少一种元素，N为Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一种元素。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，在沟道层和源漏电极之间设置有半导体保护层，所述半导体保护层为(MO)x(NO)y，其中，0.1&lt;x≤0.8，0.2≤y&lt;0.9，且x+y＝1；其中，M为Zr、Si、Hf和W中的至少一种元素，N为Zn、Ga、Ag、Ti和Cu中的至少一种元素。2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体保护层的厚度为2nm～20nm。3.根据权利要求2所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体保护层的厚度为2nm～10nm。4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体保护层的载流子浓度在1×1016cm-3到1×1019cm-3之间。5.根据权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体保护层采用物理气相沉积工艺、化...

【专利技术属性】
技术研发人员：林振国，谢志强，李建，任思雨，苏君海，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44