一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管包括：栅电极和源漏电极，栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极，保护层包括：设置在导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，第二保护层用于阻隔氧化硅，通过在电极的导电层的侧面设置阻隔氧化硅的第二保护层，避免了氧化硅中的氢从导电层的侧面“游走”并进入导电层而导致的电极的接触电阻不均匀甚至断裂，进而改善了薄膜晶体管中电极的导电性，提高了薄膜晶体管的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
本技术实施例涉及显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
随着薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)液晶显示技术的不断发展，具备功耗低、分辨率高、反应速度快以及开口率高等特点的TFT显示装置逐渐成为主流，已被广泛应用于各种电子设备，如液晶电视、智能手机、平板电脑以及数字电子设备中。薄膜晶体管TFT可以包括：有源层、栅绝缘层、栅电极、层间绝缘层、源漏电极和钝化层。然而，薄膜晶体管在高温高湿的环境下，电极结构的表面易产生气泡甚至破裂进而影响其导电性，降低了薄膜晶体管的良品率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，改善了电极的导电性，提高了薄膜晶体管的良品率。为了达到本技术目的，本技术实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：栅电极和源漏电极；栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极；所述保护层包括：设置在所述导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，所述第二保护层用于阻隔氧化硅。进一步地，所述第一保护层包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在导电层靠近基底的下表面，所述第二金属层设置在导电层远离基底的上表面。进一步地，所述第二保护层的高度等于所述导电层的厚度。进一步地，所述第二保护层设置在所述第一金属层、所述导电层和所述第二金属层的侧面，所述第二保护层的高度等于第一金属层、导电层和第二金属层的厚度之和。进一步地，所述第二保护层的材料包括：氮化铝。进一步地，所述第二保护层的厚度为5-50纳米。进一步地，第一金属层和第二金属层的材料包括：钼。进一步地，导电层的材料包括：铝。另外，本技术实施例还提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管。另外，本技术实施例还提供一种显示装置，包括阵列基板。本技术实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，其中，该薄膜晶体管包括：栅电极和源漏电极，栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极，保护层包括：设置在导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，第二保护层用于阻隔氧化硅，通过在电极的导电层的侧面设置阻隔氧化硅的第二保护层，避免了氧化硅中的氢从导电层的侧面“游走”并进入导电层而导致的电极的接触电阻不均匀甚至断裂，进而改善了薄膜晶体管中电极的导电性，提高了薄膜晶体管的良品率。当然，实施本技术的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本技术的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。图1为传统薄膜晶体管的简化结构示意图；图2为本技术实施例一提供的电极的结构示意图；图3为本技术实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图；图4为本技术实施例二提供的电极的结构示意图；图5为本技术实施例二提供的薄膜晶体管的结构示意图；图6为本技术实施例三提供的薄膜晶体管制作方法的流程图；图6A为本技术实施例三提供的薄膜晶体管制作方法的示意图一；图6B为本技术实施例三提供的薄膜晶体管制作方法的示意图二；图6C为本技术实施例三提供的薄膜晶体管制作方法的示意图三；图6D为本技术实施例三提供的薄膜晶体管制作方法的示意图四；图7A为本技术实施例四提供的薄膜晶体管制作方法的示意图一；图7B为本技术实施例四提供的薄膜晶体管制作方法的示意图二。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。为了清晰起见，在用于描述本技术的实施例的附图中，层或微结构的厚度和尺寸被放大。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。图1为传统薄膜晶体管的简化结构示意图，如图1所述，在基底1上形成电极，电极之上设置材料为氧化硅的绝缘层5，电极包括：材料为钼的第一层2、材料为铝的第二层3和材料为钼的第三层4，其中，电极为栅电极或源漏电极，当电极为栅电极时，在顶栅结构中该绝缘层可以为层间绝缘层，在底栅结构中该绝缘层可以为栅绝缘层，当电极为源漏电极时，绝缘层为钝化层。在实际制作过程中，在形成绝缘层5之前，第二层3的边缘部分会被氧化形成氧化铝，因此，形成绝缘层5之后，第二层3边缘的氧化铝会与氧化硅接触。专利技术人发现，薄膜晶体管在制成之后，需要将其放置在高温高湿的环境下进行信赖性评价，氧化硅中始终存在氢原子，由于氧化铝的原子间隙比较大，在高温高湿的环境下，氢原子会随性“游走”，打破金属铝和氧化铝之间的联系，使得一部分铝原子可自由运动，从而在金属铝的一侧形成很多坑，随着坑的不断长大，“游走”的氢原子具有足够的空间形成氢分子并对金属铝的表面产生压力，当坑的直径大到某一临界尺寸时，金属铝的表面就会被撑得发生塑性变形，并向外鼓出形成气泡，而气泡密度足够大时，形成气泡的金属铝的表面会破裂，导致第二层的接触电阻不均匀甚至第二层的金属断裂，严重影响了电极的导电性，降低了薄膜晶体管的良品率。实施例一图2为本技术实施例一提供的电极的结构示意图；图3为本技术实施例一提供的薄膜晶体管的结构示意图，如图2和3所示，薄膜晶体管包括：栅电极23和源漏电极25，栅电极23和/或源漏电极25为包括保护层和导电层10的电极，保护层包括：设置在导电层10表面的第一保护层和设置在导电层10侧面的第二保护层13，第二保护层13用于阻隔氧化硅。在本实施例中，薄膜晶体管还包括：设置在基底20上的有源层21、栅绝缘层22、层间绝缘层24和钝化层26，需要说明的是，薄膜晶体管的结构可以为顶栅结构，也可以为底栅结构，图3是以顶栅结构为例进行说明的，另外，图3还是以栅电极和源漏电极均为本技术实施例提供的电极为例进行说明的。具体的，第一保护层包括：第一金属层11和第二金属层12，第一金属层11设置在导电层10靠近基底20的下表面，第二金属层12设置在导电层10远离基底20的上表面，需要了解的是，第一金属层11在基底20上的正投影大于或者等于导电层10在基底20上的正投影，导电层10在基底20上的正投影大于或者等于第二金属层12在基底20上的正投影，导电层10的形状可以为棱台或棱柱结构，或者还可以为圆台或圆柱结构，第一金属层11和第二金属层12的形状与导电层10的形状相同，本技术实施例对此不作任何限定。其中，第二保护层13设置在导电层10的侧面，且第二保护层13的高度h等于导电层10的厚度。需要了解的是，第二保护层13靠近基底20的下表面的长度l1的两倍与导电层10靠近基底10的下表面的长度l2之和小于或等于第一金属层11远离基底20的上表面的长度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极和源漏电极；栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极；所述保护层包括：设置在所述导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，所述第二保护层用于阻隔氧化硅。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅电极和源漏电极；栅电极和/或源漏电极为包括保护层和导电层的电极；所述保护层包括：设置在所述导电层表面的第一保护层和设置在导电层侧面的第二保护层，所述第二保护层用于阻隔氧化硅。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一保护层包括：第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在导电层靠近基底的下表面，所述第二金属层设置在导电层远离基底的上表面。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层的高度等于所述导电层的厚度。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二保护层设置在所述第一金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东方，袁广才，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11