薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置，该薄膜晶体管包括有源层、栅极、第一源漏极和第二源漏极。有源层包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于第一沟道区和第二沟道区之间的第一源漏区、经第一沟道区或第二沟道区与第一源漏区相对的第二源漏区；栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极和第二栅极分别与第一沟道区和第二沟道区交叠；第一源漏极和第二源漏极分别与有源层的第一源漏区和第二源漏区电连接。

Thin film transistors, array substrates and their manufacturing methods and display devices

A thin film transistor, an array substrate, a manufacturing method and a display device are provided. The thin film transistor includes an active layer, a grid, a first source drain and a second source drain. The active layer includes the first channel region is tied to each other and the second channel region, located in the first source between the first channel and the second channel region of the drain region, the first channel region or second channel region and the first source and drain regions relative to the second source and drain regions; the gate includes a first gate and the second gate first. The gate and the second gate respectively with the first channel and the second channel region overlapping; the first source drain and source drain second respectively and the active layer of the first source drain region and the source and drain regions electrically connected to second.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
本专利技术的实施例涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置。
技术介绍
在显示领域，作为其产业核心的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)受到愈来愈多的关注。薄膜晶体管例如包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极等结构。薄膜晶体管技术例如可以应用于各种显示装置中，例如液晶显示器、有机发光二极管显示器、电子纸显示器等显示器件以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。在显示装置中，薄膜晶体管例如可以类似于一个开关的作用，例如在栅极控制下，外部数据信号可以通过薄膜晶体管向显示装置中的像素电极实施充电和放电。
技术实现思路
本专利技术至少一个实施例提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括有源层、栅极、第一源漏极和第二源漏极。有源层包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于第一沟道区和第二沟道区之间的第一源漏区、经第一沟道区或第二沟道区与第一源漏区相对的第二源漏区；栅极包括第一栅极和第二栅极，其中，第一栅极和第二栅极分别与第一沟道区和第二沟道区交叠；第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的第一源漏区、经所述第一沟道区或所述第二沟道区与所述第一源漏区相对的第二源漏区；栅极，包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别与所述第一沟道区和所述第二沟道区交叠；第一源漏极和第二源漏极，分别与所述有源层的第一源漏区和第二源漏区电连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：有源层，包括彼此并列的第一沟道区和第二沟道区、位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间的第一源漏区、经所述第一沟道区或所述第二沟道区与所述第一源漏区相对的第二源漏区；栅极，包括第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极和所述第二栅极分别与所述第一沟道区和所述第二沟道区交叠；第一源漏极和第二源漏极，分别与所述有源层的第一源漏区和第二源漏区电连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第二源漏区包括第一子源漏区和第二子源漏区，所述第二源漏极与所述第一子源漏区和所述第二子源漏区都电连接。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括设置层间绝缘层，其中，所述层间绝缘层形成在所述有源层和所述第一源漏极与所述第二源漏极之间，且具有多个过孔以允许所述第一源漏极和所述第二源漏极与所述有源层分别电连接。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层呈封闭图形，且所述第二源漏区位于所述第一沟道区和所述第二沟道区之间。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述封闭图形为圆形或多边形。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中，所述多边形为矩形。7.根据权利要求1-6任一所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层的材料包括多晶硅。8.根据权利要求1-6任一所述的薄膜晶体管，其中，所述第一栅极和所述第二栅极为同一结构。9.根据权利要求1-6任一所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管为顶栅型或底栅型。10.一种阵列基板，包括如权利要求1-9任一所述的薄膜晶体管。11.根据权利要求10所述的阵列基板，还包括：像素电极，与所述第一源漏极和所述第二源漏极之一电连接；公共电极，与所述像素电极构成第一电容的两个电极。12.根据权利要求11所述的阵列基板，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛进进，史大为，徐海峰，杨璐，王文涛，闫雷，姚磊，闫芳，司晓文，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11