低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板技术

本发明专利技术提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括基板、依次设置在基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层；源极和漏极；源极接触区和漏极接触区分别掺杂有金属离子，源极穿过介电层与源极接触区相接形成欧姆接触，漏极穿过介电层与漏极接触区相接形成欧姆接触；金属离子包括Cu

Low temperature polysilicon thin film transistor and its preparation method and array substrate

The invention provides a low temperature poly silicon thin film transistor includes a substrate, which are sequentially arranged on the substrate buffer layer, low temperature polysilicon layer, source electrode contact area, drain contact region, a gate insulating layer, a gate layer and dielectric layer; source and drain; the source electrode contact area and drain contact area respectively doped with metal ion source through the dielectric layer and the source electrode contact area form ohmic contact is connected to the drain through the dielectric layer and the drain contact region is connected to form an ohmic contact; metal ions including Cu

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。
技术介绍
目前，传统的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-NTFT)的制作过程中，在低温多晶硅层定义源漏电极接触区域(SDcontact)时，需要利用光罩(mask)工艺定义离子植入区域后再利用离子植入机植入一定剂量的P离子(phosphorusion)以形成源漏电极接触区域。但是离子植入机成本非常高昂，且离子注入工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，用以简化低温多晶硅薄膜晶体管的制备工艺流程。本专利技术实施例第一方面提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板，依次设置在所述基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，源极和漏极；所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；所述源极接触区和所述漏极接触区分别掺杂有金属离子；所述源极穿过所述介电层与所述源极接触区相接形成欧姆接触，所述漏极穿过所述介电层与所述漏极接触区相接形成欧姆接触；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，依次设置在所述基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，源极和漏极；所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；所述源极接触区和所述漏极接触区分别掺杂有金属离子；所述源极穿过所述介电层与所述源极接触区相接形成欧姆接触，所述漏极穿过所述介电层与所述漏极接触区相接形成欧姆接触；所述金属离子包括Cu

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，依次设置在所述基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，源极和漏极；所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；所述源极接触区和所述漏极接触区分别掺杂有金属离子；所述源极穿过所述介电层与所述源极接触区相接形成欧姆接触，所述漏极穿过所述介电层与所述漏极接触区相接形成欧姆接触；所述金属离子包括Cu2+、Al3+、Mg2+、Zn2+和Ni2+中的至少一种。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述低温多晶硅层与所述介电层之间还设有绝缘金属氧化物层，所述源极依次穿过所述介电层和所述绝缘金属氧化物层与所述源极接触区相接形成欧姆接触，所述漏极依次穿过所述介电层和所述绝缘金属氧化物层与所述漏极接触区相接形成欧姆接触。3.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、待形成源极接触区、待形成漏极接触区、栅极绝缘层和栅极层；所述待形成源极接触区和所述待形成漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；在所述低温多晶硅层上沉积覆盖所述待形成源极接触区和所述待形成漏极接触区的绝缘金属氧化物层，退火后，使所述绝缘金属氧化物层中的金属离子分别掺杂至所述待形成源极接触区和所述待形成漏极接触区中形成源极接触区和漏极接触区；所述金属离子包括Cu2+、Al3+、Mg2+、Zn2+和Ni2+中的至少一种；在所述低温多晶硅层上形成与所述源极接触区接触的源极，以及形成与所述漏极接触区接触的漏极。4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述退火温度为300-450℃，所述退火时间为30-50mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42