一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，包括从下至上依序设置的硅衬底层、N型氮化镓层和P型氮化镓层，该方法包括以下步骤：在P型氮化镓层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽；在氮化镓沟槽内以及P型氮化镓上表面上生长肖特基金属层，在硅衬底层上刻蚀上下贯通的硅通孔；在硅通孔内以及硅衬底层下表面上生长金属层。本发明专利技术结构设置合理，通过垂直传输，有效提升肖特基势垒高度而达到降低漏电流和增高击穿电压的目的。

Fabrication process of a vertical gallium nitride Schottky diode

The invention relates to a manufacturing process of vertical Gan Schottky diodes, including from the bottom are orderly arranged in the silicon substrate layer, N type gallium nitride layer and the P type gallium nitride layer, the method includes the following steps: Gan groove in the etching through P type gallium nitride layer on the groove; in GaN and P type gallium nitride on the growth of Schottky on the surface of the metal layer on the silicon substrate layer, through etching on the silicon vias in silicon through hole; and a silicon substrate layer grown on the surface of the metal layer. The structure of the invention is reasonable, and through vertical transmission, the Schottky barrier height is effectively raised to reduce the leakage current and increase the breakdown voltage.

【技术实现步骤摘要】
一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺
本专利技术涉及二极管制作技术，特别涉及一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺。
技术介绍
现有技术中，氮化镓肖特基二极管是在蓝宝石、硅或碳化硅衬底上生长N+氮化镓层和N-氮化镓层，蚀刻N-氮化镓层至N+氮化镓层，在N-氮化镓层上淀积肖特基金属层作为阳极，在N+氮化镓层上淀积欧姆金属层作为阴极，从而构成肖特基二极管。现有氮化镓肖特基二极管的缺点在于：由于氮化镓通过在生长过程中的掺杂来降低N型氮化镓层中的电子浓度有限，因此无法有效提升肖特基势垒高度而达到降低漏电流和增高击穿电压的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，在P型氮化镓层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽，通过在氮化镓沟槽内以及P型氮化镓上表面上生长肖特基金属，和在硅衬底层上刻蚀上下贯通的硅通孔，通过在硅通孔内以及硅衬底层下表面上生长金属，即通过垂直传输，有效提升肖特基势垒高度而达到降低漏电流和增高击穿电压的目的。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案。本专利技术所述的一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，包括从下至上依序本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，其特征在于，包括从下至上依序设置的硅衬底层（3）、N型氮化镓层（2）和P型氮化镓层（1），该方法包括以下步骤：步骤1：在P型氮化镓（1）层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽（4）；步骤2：在氮化镓沟槽（4）内以及P型氮化镓（1）上表面上生长肖特基金属层（5），在硅衬底层（3）上刻蚀上下贯通的硅通孔（6）；步骤3：在硅通孔（6）内以及硅衬底层（3）下表面上生长金属层（7）。

【技术特征摘要】
1.一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，其特征在于，包括从下至上依序设置的硅衬底层（3）、N型氮化镓层（2）和P型氮化镓层（1），该方法包括以下步骤：步骤1：在P型氮化镓（1）层上刻蚀上下贯通的氮化镓...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，
申请(专利权)人：宁波海特创电控有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33