本实用新型公开了一种GaN开关电源，包括：交流输入模块，用于将AC输入安全接入并滤除共模杂波后传输至AC

本实用新型涉及功率半导体模块技术领域，更具体地涉及一种直插式功率半导体模块测试夹具，包括测试桌、放置板、支撑板以及顶板，放置板水平安装于测试桌上，支撑板垂直安装于放置板一侧的测试桌上，顶板垂直安装于支撑板的上部，顶板位于放置板的上方，顶...

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种可自动散热的功率半导体器件，包括本体机构、水冷机构以及风冷机构，水冷机构安装于本体机构的两侧，风冷机构安装于本体机构的一侧，本体机构包括放置下外壳、放置上外壳、电路板、功率半导体器件本体以及...

本实用新型公开的一种Si基GaNHEMT的空气桥场板结构，包括Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、源极、漏极、栅极、SiN钝化层以及空气桥场板，Si衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层以及SiN钝化层由下至上依次层叠设置，源极的底...

本发明的内容为提供带压电介质层的GaN HEMT器件的结构及制备方法。以压电介质层的压电效应为原理实现电能和机械能的转换，通过在栅电极施加电压调控器件应力影响AlGaN/GaN异质结沟道二维电子气浓度，从而影响器件的导通电流。本文通过在...

公开了一种用于氮化镓场效应传感器的低频噪声定位方法，所述氮化镓场效应传感器具有参比电极、源极和漏极，所述定位方法包括：检测参比电极与源极和漏极之间漏电是否小于阈值，如果超过阈值则判定由封装质量主导低频噪声来源；否则对参比电极上漏电和源极...

本发明提供一种提高槽栅GaN MIS FET器件可靠性的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；表面处理形成GaO

本发明提供一种提高GaN HEMT界面质量的方法，包括如下步骤：外延生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；紫外/O

本发明提供一种新型增强型GaN HEMT器件结构，由如下步骤制备而成：外延生长；PN结栅叠层生长；Si基GaN外延晶片清洗；光刻及对准标记形成；台面隔离；刻蚀PN结叠层；源、漏欧姆接触；钝化层沉积；栅槽刻蚀；栅金属沉积；保护层沉积；开孔...

本发明涉及一种垂直型氮化镓肖特基二极管的制作工艺，包括从下至上依序设置的硅衬底层、N型氮化镓层和P型氮化镓层，该方法包括以下步骤：在P型氮化镓层上刻蚀上下贯通的氮化镓沟槽；在氮化镓沟槽内以及P型氮化镓上表面上生长肖特基金属层，在硅衬底层...

本发明公开了一种垂直结构的氮化镓异质结HEMT，其包括从下至上依序设置的Si衬底层、N型重掺杂的GaN层、N型掺杂的N‑GaN层、介质钝化层和欧姆金属电极，N型掺杂的N‑GaN层刻蚀有GaN沟槽，GaN沟槽内生长AlGaN层，AlGaN...