带压电介质层的GaNHEMT器件制造技术

本发明专利技术的内容为提供带压电介质层的GaN HEMT器件的结构及制备方法。以压电介质层的压电效应为原理实现电能和机械能的转换，通过在栅电极施加电压调控器件应力影响AlGaN/GaN异质结沟道二维电子气浓度，从而影响器件的导通电流。本文通过在传统GaN HEMT器件结构的基础上，通过压电材料替换传统的栅介质层，发明专利技术了一种全新的带压电介质层的GaN HMET器件结构。HMET器件结构。HMET器件结构。

【技术实现步骤摘要】
带压电介质层的GaN HEMT器件


[0001]本专利技术涉及电子元器件制造
，具体涉及一种带压电介质层的GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)器件结构。

技术介绍

[0002]作为第三代宽禁带半导体氮化镓具有硅材料无法比拟的许多性能优势，包括宽禁带，高耐压，高电子饱和速度，高临界击穿电场等。目前，氮化镓主要应用LED(发光二极管)和射频领域，在功率器件方面起步较晚但是也发展迅速。
[0003]在功率器件方面，大部分的GaN器件主要做成异质结横向结构GaN HEMT(高电子迁移率功率晶体管)结构，同时在栅下添加栅介质层，提高界面质量，降低栅极漏电流，提高器件性能。目前市面上主流的栅介质层主要包括Al2O3、Si3N4、SiO2或HfO2中的任意一种或多种的组合等。
[0004]压电材料包括压电单晶、压电陶瓷、压电半导体或有机高分子压电材料等，由于压电效应其压电效应实现电能与机械能的转换，同时具有价格低廉，生长工艺简便的优点，作为栅介质层具有巨大的潜力。
[0005]本文通过在传统GaN HEMT器件结构的基础本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带压电介质层的GaN HMET器件，其特征为：衬底(1)；GaN缓冲层(2)；AlGaN势垒层(3)；欧姆接触源极(4)；欧姆接触漏极(5)；压电介质栅层(6)；栅电极(7)。2.根据权利要求1所述的一种带压电介质层的GaN HMET结构，其特征为：所述衬底(1)表面外延GaN缓冲层(2)，所述GaN缓冲层(2)上生长AlGaN势垒层(3)。3.根据权利要求2所述的一种带压电介质层的GaN HMET结构，其特征为：所述衬底(1)厚度在500μm左右，所述GaN缓冲层(2)厚度在1～3μm左右，所述AlGaN势垒层(3)厚度在10～30nm左右。4.根据权利要求3所述的一种带压电介质层的GaN HMET结构，其特征为：在所述AlGaN势垒层(3)上沉积欧姆接触源极(4)和欧姆接触漏极(5)。5.根据权利要求4所述的一种带压电介质层的GaN HMET结构，其特征为：所述欧姆接触源...

【专利技术属性】
技术研发人员：周炳，翁加付，施宁萍，毛建达，
申请(专利权)人：宁波海特创电控有限公司，
类型：发明
国别省市：