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本发明的内容为提供带压电介质层的GaN HEMT器件的结构及制备方法。以压电介质层的压电效应为原理实现电能和机械能的转换，通过在栅电极施加电压调控器件应力影响AlGaN/GaN异质结沟道二维电子气浓度，从而影响器件的导通电流。本文通过在传统...
该专利属于宁波海特创电控有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波海特创电控有限公司授权不得商用。

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