一种阵列基板及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板制备工艺繁琐，多道制程均会降低显示面板的光透过率的问题。本发明专利技术的阵列基板的制备方法中，以二硫化钼作为半导体材料形成有源层，同时以二硫化钼作为第一电极层的材料，通过将第一电极层的二硫化钼还原为钼金属的方式，形成金属的第一电极，并且还原得到的钼金属电极具有良好的透过率。此外，本发明专利技术的有源层可以与第一电极层同步形成，相当于减少一层ITO透明电极，减少溅射ITO材料的费用，增加了有源层的利用率。本发明专利技术的阵列基板适用于各种显示装置。

An array substrate and its preparation method and display device

The invention provides an array substrate, a preparation method and a display device, and belongs to the display technology field, which can solve the cumbersome preparation technology of the existing array substrate, and reduce the light transmittance of the display panel by multi-channel process. Preparation method of array substrate of the invention, the MoS2 semiconductor material as the active layer is formed, at the same time with MoS2 as the first electrode layer material, through the reduction of the first electrode layer MoS2 as molybdenum metal, forming a first metal electrode, and reduction of molybdenum metal electrode obtained has good transmittance. Besides, the active layer of the invention can be synchronously formed with the first electrode layer, which is equivalent to reducing a layer of ITO transparent electrode, reducing the cost of sputtering ITO material and increasing the utilization rate of the active layer. The array substrate of the invention is suitable for various display devices.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括：液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)及有机电致发光显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是平板显示装置的重要组成部分，可形成在玻璃基板或塑料基板上，通常作为开关装置或驱动装置用在LCD、OLED中。薄膜晶体管通常包括形成于衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极等。专利技术人发现现有技术中制备薄膜晶体管的上述结构一般需要9-14道制程，不仅使得制造成本居高不下，而且每一道制程均会降低显示面板的光透过率。
技术实现思路
本专利技术针对现有的阵列基板制备工艺繁琐，多道制程均会降低显示面板的光透过率的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种阵列基板，包括薄膜晶体管和第一电极，所述薄膜晶体管包括有源层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括薄膜晶体管和第一电极，所述薄膜晶体管包括有源层，其特征在于，所述有源层由二硫化钼构成，所述第一电极由钼构成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括薄膜晶体管和第一电极，所述薄膜晶体管包括有源层，其特征在于，所述有源层由二硫化钼构成，所述第一电极由钼构成。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层和第一电极的厚度均为3埃-100埃；所述第一电极包括板状电极。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极，位于所述栅极上的栅绝缘层，所述有源层位于所述栅绝缘层上；所述有源层上设有源极和漏极，所述第一电极与漏极电连接。5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用二硫化钼形成薄膜晶体管的有源层和第一电极层；将第一电极层的二硫化钼还原为钼以形成第一电极。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，周婷婷，孙雪菲，舒适，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11