薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置制造方法及图纸

公开了一种包括N型半导体层和P型半导体层二者的薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置，其中所述薄膜晶体管可包括：位于基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；位于所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和位于所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。

Thin film transistors and their manufacturing methods and display devices including them

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年7月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0097308和于2016年8月23日提交的韩国专利申请No.10-2016-0107224的权益，在此援引这些专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
本公开内容的实施方式涉及一种薄膜晶体管及其制造方法和包括其的显示装置。
技术介绍
随着信息导向社会的发展，对于显示图像的显示装置的各种需求逐渐增加。因而，存在液晶显示(LCD)装置、等离子显示面板(PDP)装置和有机发光显示(OLED)装置的各种显示装置。显示装置可包括显示面板、栅极驱动电路、数据驱动电路和时序控制器。显示面板可包括栅极线、数据线、以及设置在栅极线和数据线的每个交叉部分的像素，其中当栅极信号提供至栅极线时，数据线的数据电压提供至像素。像素根据数据电压发射具有预定亮度的光。显示装置通过使用对应于开关装置的薄膜晶体管驱动像素和栅极驱动电路。薄膜晶体管可以是用于通过电场控制电流的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。对应于反相器的互补金属氧化物半导体(CMOS)可用作用于适当输出输入信本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：设置在基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；设置在所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和设置在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。

【技术特征摘要】
2016.07.29 KR 10-2016-0097308;2016.08.23 KR 10-2011.一种薄膜晶体管，包括：设置在基板上的第一栅极电极；用于覆盖所述第一栅极电极的第一栅极绝缘膜；设置在所述第一栅极绝缘膜上的半导体层；用于覆盖所述半导体层的第二栅极绝缘膜；和设置在所述第二栅极绝缘膜上的第二栅极电极，其中所述半导体层包括N型半导体层和P型半导体层。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极电极不与所述第二栅极电极重叠。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述P型半导体层设置在所述N型半导体层上。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述P型半导体层的厚度小于所述N型半导体层的厚度。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层的第一部分与所述第一栅极电极重叠并且所述半导体层的第二部分与所述第二栅极电极重叠。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅极电极与所述N型半导体层之间的重叠区域定义为第一沟道区域，并且所述第二栅极电极与所述P型半导体层之间的重叠区域定义为第二沟道区域。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，进一步包括遮光层，所述遮光层由与所述第一栅极电极相同的材料形成、设置在与所述第一栅极电极相同的层中并且与所述第二沟道区域重叠。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：所述半导体层上的多个源极电极，所述多个源极电极包括第一源极电极和第二源极电极；以及所述半导体层上的多个漏极电极，所述多个漏极电极包括第一漏极电极和第二漏极电极，其中所述多个漏极电极位于所述第一源极电极和所述第二源极电极之间。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中所述第一源极电极和所述第一漏极电极与所述第一栅极电极重叠，并且所述第二源极电极和所述第二漏极电极与所述第二栅极电极重叠。10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，进一步包括：用于覆盖所述第二栅极电极的层间绝缘层；所述层间绝缘层上的多个源极电极，所述多个源极电极包括第一源极电极和第二源极电极；以及所述层间绝缘层上的多个漏极电极，所述多个漏极电极包括第一漏极电极和第二漏极电极，其中所述多个源极电极和所述多个漏极电极的每一个通过贯穿所述层间绝缘层和所述第二栅极绝缘膜的...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵俊贤，裵鐘旭，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR