薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：栅极图形、栅极绝缘层、有源层图形、源漏极图形和钝化层；其中，所述有源层图形的材料包括：碳纳米管材料，所述钝化层的材料为阻荷材料，所述阻荷材料用于减少所述碳纳米管材料的表面的移动电荷。该钝化层的材料为阻荷材料，可以减少碳纳米管材料的表面的移动电荷，进而减少了薄膜晶体管出现回滞现象的概率。本发明专利技术用于显示装置中。

Thin film transistors and their manufacturing methods and driving methods and display devices

The invention discloses a thin film transistor and a manufacturing method, a driving method and a display device, which belong to the field of display technology. The thin film transistor includes: a gate pattern, a gate insulating layer, active layer pattern, source drain pattern and a passivation layer; wherein, the material including the active layer graph: carbon nanotubes, the passivation layer material for resistance bearing material, the resistance of bearing materials for the reduction of the mobile charges on the surface of carbon the nanotube materials. The material of passivation layer is resistance material, which can reduce the mobile charge of the surface of the carbon nanotubes, and further reduce the probability of hysteresis. The invention is used in the display device.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置。
技术介绍
随着显示
的发展，各种具有显示功能的产品出现在日常生活中，例如手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等，这些产品都无一例外的需要装配显示面板。目前，大部分显示面板可以包括阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，阵列基板包括衬底基板以及形成在衬底基板上的阵列排布的多个薄膜晶体管(英文：ThinFilmTransistor；简称TFT)。由于碳纳米管材料具有半导体性质，且碳纳米管材料的载流子迁移率较高厚度较薄，因此当TFT中的有源层的材料为的碳纳米管材料时，可以提高TFT的电学性能。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：当TFT中的有源层材料为碳纳米管材料时，碳纳米管材料表面的电荷与空气中的水分子和氧分子电荷掺杂，可能会导致TFT出现严重的回滞现象。
技术实现思路
本申请提供了一种薄膜晶体管及其制造方法及驱动方法、显示装置，可以解决现有的可能会导致TFT出现严重的回滞现象问题。所述技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极图形、栅极绝缘层、有源层图形、源漏极图形和钝化层；其中，所述有源层图形的材料包括：碳纳米管材料，所述钝化层的材料为阻荷材料，所述阻荷材料用于减少所述碳纳米管材料的表面的移动电荷。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极图形、栅极绝缘层、有源层图形、源漏极图形和钝化层；其中，所述有源层图形的材料包括：碳纳米管材料，所述钝化层的材料为阻荷材料，所述阻荷材料用于减少所述碳纳米管材料的表面的移动电荷。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极图形、所述栅极绝缘层、所述有源层图形、所述源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置，所述栅极图形包括同层设置且相互绝缘的第一栅极和第二栅极；所述栅极绝缘层包括同层设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；所述有源层图形包括同层设置且相互绝缘的第一有源层和第二有源层；所述源漏极图形包括同层设置的第一源漏极图形和第二源漏极图形，所述第一源漏极图形包括相互绝缘的第一源极和第一漏极，所述第二源漏极图形包括相互绝缘的第二源极和第二漏极，其中，所述第一漏极和所述第二源极电连接，或者，所述第一源极与所述第二漏极电连接；所述第一栅极、所述第一栅绝缘层、所述第一有源层、所述第一源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置，所述第二栅极、所述第二栅绝缘层、所述第二有源层、所述第二源漏极图形和所述钝化层依次叠加设置。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层图形、所述栅极绝缘层、所述栅极图形、所述钝化层和源漏极图形依次叠加设置，所述有源层图形包括同层设置且相互绝缘的第一有源层和第二有源层；所述栅极绝缘层包括同层设置的第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；所述栅极图形包括同层设置且相互绝缘的第一栅极和第二栅极；所述源漏极图形包括同层设置的第一源漏极图形和第二源漏极图形，所述第一源漏极图形包括相互绝缘的第一源极和第一漏极，所述第二源漏极图形包括相互绝缘的第二源极和第二漏极，其中，所述第一漏极和所述第二源极电连接，或者，所述第一源极与所述第二漏极电连接；所述第一有源层、所述第一栅绝缘层、所述第一栅极、所述钝化层和所述第一源漏极图形依次叠加设置，所述第二有源层、所述第二栅绝缘层、所述第二栅极、所述钝化层和所述第二源漏极图形依次叠加设置。4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极之间存在间隙；所述第一有源层和所述第二有源层之间存在间隙；所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层之间存在间隙，或者，所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层为整层结构。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隙中设置有第一填充介质，所述第一填充介质的材料为绝缘且透明的材料。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一填充介质的材料包括：二氧化硅或氮化硅。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层图形上设置有过孔，所述过孔中设置有第二填充介质，所述第二填充介质的材料为高迁移率材料。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛德丰，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11