薄膜晶体管、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：有源层、源极和漏极，有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形，源极覆盖各有源子图形的部分区域，漏极覆盖有源子图形的部分区域，有源子图形上未被源极和漏极所覆盖的区域为可导电区域；任意相邻的可导电区域与源极、漏极围成开口区域，至少一个开口区域内设置有与对应的两个相邻的可导电区域均连接的可导电连接图形，可导电连接图形至多与源极和漏极中的一者连接。本实用新型专利技术提供的薄膜晶体管具有良好的散热性以及能有效避免漏电流的产生。

Thin film transistors, array substrates and display devices

The utility model discloses a thin film transistor array substrate, and display device, the thin film transistor includes an active layer, a source electrode and a drain electrode, an active layer comprises a plurality of spaced and independent set of active sub graph, part of the region covered by the source of active sub graph, part of the area covered by the active leakage pole sub graph the sub graph is not active, the source and drain region covered as conductive region; any adjacent conductive region and the source electrode and the drain electrode formed opening area, at least one opening is arranged in the area with two adjacent corresponding the conductive areas are connected to a conductive connection graph that may be electrically connected to the graphics and the source and drain one pole connection. The film transistors provided by the utility model have good heat dissipation and can effectively avoid leakage current.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管可用作传送信号的开关元件或提供电流通路的驱动元件。有源层、源极和漏极为薄膜晶体管中的核心器件，常规的有源层为一个完整的板状图形，源极覆盖有源层的部分区域，漏极覆盖有源层的部分区域，有源层上未被源极和漏极所覆盖的部分为该薄膜晶体管的可导电区域。在薄膜晶体管上施加有一定的栅源电压后，在可导电区域中形成有导电沟道，薄膜晶体管中的源极和漏极导通。由于常规的可导电区域呈板状，其散热效果较差，使得可导电区域的温度升高，薄膜晶体管的电学特性发生偏移。为解决该技术问题，现有技术对常规的薄膜晶体管进行了改进。图1为现有技术中的一种薄膜晶体管的俯视图，图2为图1中C-C向的截面示意图，如图1和2所示，有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形3，源极1和漏极2均覆盖各有源子图形的部分区域，有源子图形3上未被源极1和漏极2所覆盖的部分为可导电区域。由于相邻可导电区域之间存在间隙，可导电区域可通过该间隙进行散热，从而有效防止有源层温度的升高。在通过刻蚀工艺对有源层薄膜进行刻蚀以形成各有源子图形时，不可避免的会在各有源子图形3的边缘区域形成斜坡，此时，可导电区域包括主可导电区域main和位于主可导电区域main两侧的边缘可导电区域sub。由于边缘可导电区域sub的阈值电压小于主可导电区域main的阈值电压，会使得边缘可导电区域sub先于主可导电区域main形成导电沟道(边缘可导电区域先于主可导电区域导通)，此时在边缘可导电区域sub中会存在漏电流，相应地薄膜晶体管的伏安特性曲线会出现驼峰(Humping)现象，薄膜晶体管的工作稳定性较差。随着有源子图形数量的增加，薄膜晶体管中的边缘可导电区域的数量增多，漏电流现象愈技术显，薄膜晶体管的伏安特性曲线中的Humping现象愈技术显。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。为实现上述目的，本技术提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层、源极和漏极，所述有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形，所述源极覆盖各所述有源子图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源子图形的部分区域，所述有源子图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的区域为可导电区域；任意相邻的可导电区域与所述源极、所述漏极围成开口区域，至少一个所述开口区域内设置有与对应的两个相邻的所述可导电区域均连接的可导电连接图形，所述可导电连接图形至多与所述源极和所述漏极中的一者连接。可选地，位于最外侧的所述有源子图形背向其他所述有源子图形的一侧形成有凸起图形。可选地，所述有源子图形为条状且沿第一方向延伸，全部所述有源子图形沿第二方向平行设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。可选地，所述源极包括一个第一导电条和沿所述第一方向平行设置的若干个第二导电条，所述第二导电条沿所述第二方向延伸，所述第二导电条覆盖所述有源子图形的部分区域，所述第一导电条连接各所述第二导电条的第一端；所述漏极包括一个第三导电条和沿所述第一方向平行设置的若干个第四导电条，所述第四导电条沿所述第二方向延伸，所述第四导电条覆盖所述有源子图形的部分区域，所述第三导电条连接各所述第四导电条的第二端；全部所述第二导电条和全部所述第四导电条沿所述第一方向交替设置。可选地，所述可导电连接图形与所述源极和所述漏极均不连接。可选地，所述可导电连接图形与所述源极和所述漏极之间的距离相等。可选地，所述可导电连接图形的面积与对应的所述开口区域的面积之比为：2/5～3/5。可选地，所述有源子图形的宽度的范围包括：5um～15um。为实现上述目的，本技术还提供了一种阵列基板，包括：如上述的薄膜晶体管。为实现上述目的，本技术还提供了一种显示装置，包括：如上述的阵列基板。本技术具有以下有益效果：本技术提供了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，通过在相邻的可导电区域、源极、漏极所围成的开口区域内设置与该两相邻可导电区域均连接的可导电连接图形，该可导电连接图形至多与源极和漏极中的一者连接，以使得边缘可导电区域的两端同时连接源极或漏极，从而有效解决边缘可导电区域中产生漏电流的问题。此外，有源子图形上的可导电区域和可导电连接图形可通过开口进行散热，因而可有效提升薄膜晶体管的稳定性。由此可见，本技术提供的薄膜晶体管具有良好的散热性以及能有效避免漏电流的产生。附图说明图1为现有技术中的一种薄膜晶体管的俯视图；图2为图1中C-C向的截面示意图；图3为本技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的俯视图；图4为图3中区域A的放大示意图；图5为本技术提供的薄膜晶体管与现有技术中的薄膜晶体管的伏安特性曲线示意图；图6为图3中区域B的放大示意图；图7为本技术实施例二提供的一种薄膜晶体管的俯视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术提供的一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置进行详细描述。本技术中的薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管，本技术中不作限定。图3为本技术实施例一提供的一种薄膜晶体管的俯视图，图4为图3中区域A的放大示意图，如图3和图4所示，该薄膜晶体管包括：有源层、源极1和漏极2，有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形3，源极1覆盖各有源子图形3的部分区域，漏极2覆盖有源子图形3的部分区域，有源子图形3上未被源极1和漏极2所覆盖的区域为可导电区域(又称为沟道区域)，任意相邻的可导电区域与源极1、漏极2围成开口区域6，至少一个开口区域6内设置有与对应的两个相邻的可导电区域均连接的可导电连接图形4，可导电连接图形4至多与源极1和漏极2中的一者连接。作为本实施例中的一种可选方案，有源子图形3为条状且沿第一方向延X伸，全部有源子图形3沿第二方向Y平行设置，第一方X向与第二方向Y垂直。在实际应用中发现，当有源子图形3的宽度较大时，由于有源子图形3尺寸过大而影响散热效果，而当有源子图形3的宽度较小时，主可导电区域main的宽度相应变窄，会使得薄膜晶体管的阈值电压升高从而导致高功耗。考虑到上述两点，本实施例中优选地，有源子图形3的宽度W1的范围为：5um～15um，此时可在实现薄膜晶体管散热效果较佳的同时，实现低功耗。可选地，相邻有源子图形3之间间距W2的范围为5um～15um。需要说明的是，本实施例中可导电连接图形4与有源子图形3是通过一次构图工艺一体成型。本实施例中的可导电连接图形4与可导电区域均连接具体是指，可导电连接图形4的侧面与有源子图形3上位于可导电区域的部分的侧面紧密连接。为方便描述，将图4中的两个有源子图形3分别称为第一有源子图形3a和第二有源子图形3b。在通过一次构图工艺形成该一体成型的第一有源子图形3a、第二有源子图形3b和可导电连接图形4时，在开口区域6内第一有源子图形3a和第二有源子图形3b的边缘均与可导电连接图形4的边缘连接，以构成一条两端同时与源极1连接或两端同时与漏极2连接的边缘可导电区域sub。由于该边缘可导电区域sub的两端同时连接至源极1(或漏极2)，则该边缘可导电区域sub在任意时刻其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，其特征在于，还包括有源层，所述有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形，所述源极覆盖各所述有源子图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源子图形的部分区域，所述有源子图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的区域为可导电区域；任意相邻的可导电区域与所述源极、所述漏极围成开口区域，至少一个所述开口区域内设置有与对应的两个相邻的所述可导电区域均连接的可导电连接图形，所述可导电连接图形至多与所述源极和所述漏极中的一者连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括源极和漏极，其特征在于，还包括有源层，所述有源层包括若干个间隔且独立设置的有源子图形，所述源极覆盖各所述有源子图形的部分区域，所述漏极覆盖所述有源子图形的部分区域，所述有源子图形上未被所述源极和所述漏极所覆盖的区域为可导电区域；任意相邻的可导电区域与所述源极、所述漏极围成开口区域，至少一个所述开口区域内设置有与对应的两个相邻的所述可导电区域均连接的可导电连接图形，所述可导电连接图形至多与所述源极和所述漏极中的一者连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，位于最外侧的所述有源子图形背向其他所述有源子图形的一侧形成有凸起图形。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源子图形为条状且沿第一方向延伸，全部所述有源子图形沿第二方向平行设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极包括一个第一导电条和沿所述第一方向平行设置的若干个第二导电条，所述第二导电条沿所述第二方向延伸，所述第二导电条覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：王孝林，刘珠林，汪锐，马晓峰，朴正淏，张朋月，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11