薄膜晶体管及阵列基板和显示装置制造方法及图纸

技术编号:16928573 阅读:43 留言:0更新日期:2018-01-01 01:12
本实用新型专利技术涉及一种薄膜晶体管及阵列基板和显示装置,涉及液晶面板加工技术领域,解决了现有技术中存在的薄膜晶体管容易出现暗点的技术问题。薄膜晶体管包括介质层,介质层上设置有数据线和防暗点装置,即使因制程中因存在异物而导致一个过孔未开,但是仍能通过防暗点装置将数据线与有源层连通,使相应像素结构即可正常显示,可以大大降低因过孔未开而出现暗点的概率,提升显示面板品质的同时,也改善了良品率。

Thin film transistors and array substrates and display devices

The utility model relates to a thin film transistor and array substrate and display device, relates to the field of liquid crystal panel processing technology, solves the thin film transistor in the prior art is easy to appear the technical problems of scotoma. The thin film transistor comprises a dielectric layer, a data line and the protection device is arranged on the dielectric layer scotoma, because even if the process due to the presence of foreign body caused a hole is not open, but can still through the anti scotoma device will be communicated with the data line active layer, the corresponding pixel structure can be displayed, can greatly reduce the hole opening the dark probability, enhance the quality of the display panel at the same time, but also improve the yield rate.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及阵列基板和显示装置
本技术涉及液晶显示
,特别地涉及一种薄膜晶体管及阵列基板和显示装置。
技术介绍
目前高解析度的低温多晶硅液晶显示器(LTPSLCD),其显示面板已成为主流,当每英寸所有的像素数目(PPI)越高时,人眼看到的画面就越细腻,因此要求显示面板单位面积的的像素结构越来越多。目前LTPSLCD像素的薄膜晶体管(TFT)多采用双栅(Dual-Gate)结构,每个像素结构(Pixel)中数据线(Date)与多晶硅层(P-Si)通过一个过孔(ILD孔)连接。高PPI显示面板带给我们更细腻显示画面的同时,也对生产工艺提出了更高的挑战,要求所有ILD孔都能正常导通。在实际生产过程中,经常会因个别孔未开导致整个显示面板出现暗点,影响显示面板品质与良率。
技术实现思路
本技术提供一种薄膜晶体管,用于解决现有技术中存在的薄膜晶体管容易出现暗点的技术问题。本技术提供一种薄膜晶体管,包括介质层,所述介质层上设置有数据线和防暗点装置,所述防暗点装置沿所述数据线设置;每条所述数据线上对应的所述防暗点装置的数量至少为两个。在一个实施方式中,所述防暗点装置为过孔。在一个实施方式中,还包括位于本文档来自技高网...
薄膜晶体管及阵列基板和显示装置

【技术保护点】
一种薄膜晶体管,其特征在于,包括介质层(1),所述介质层(1)上设置有数据线(2)和防暗点装置(3),所述防暗点装置(3)沿所述数据线(2)设置,每条所述数据线(2)上对应的所述防暗点装置(3)的数量至少为两个。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括介质层(1),所述介质层(1)上设置有数据线(2)和防暗点装置(3),所述防暗点装置(3)沿所述数据线(2)设置,每条所述数据线(2)上对应的所述防暗点装置(3)的数量至少为两个。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述防暗点装置(3)为过孔。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述介质层(1)下方的有源层(4),所述数据线(2)通过所述过孔与所述有源层(4)相连。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述有源层(4)由低温多晶硅薄膜进行图案化处理形成。5.根据权利要求3或4所述的薄膜晶体管,其特征在于,还包括位于所述介质层(1)上方的源电极(5)和漏电极(...

【专利技术属性】
技术研发人员:王威
申请(专利权)人:武汉华星光电技术有限公司
类型:新型
国别省市:湖北,42

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