低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板技术

本发明专利技术提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基板，在基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层；通过干法刻蚀形成贯穿介电层和栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将源极接触区和漏极接触区暴露；其中，干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；在介电层上形成通过第一接触孔与源极接触区相接的源极，以及形成通过第二接触孔与漏极接触区相接的漏极。本发明专利技术在采用干法刻蚀工艺制备接触孔时，在刻蚀气体中增加了H2，增大对多晶硅的选择比，造成的多晶硅损耗很少。本发明专利技术还提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管和阵列基板。

Low temperature polysilicon thin film transistor and its preparation method and array substrate

The present invention provides a method for preparing a low temperature polycrystalline silicon thin film transistor includes: providing a substrate, a buffer layer, low-temperature polysilicon layer, source electrode contact area, drain contact region, a gate insulating layer, a gate layer and the dielectric layer are sequentially formed on the substrate; through dry etching dielectric formed through the first contact holes and the second the contact hole layer and the gate insulating layer, respectively, to the source and drain contact area contact zone wherein the etching gas exposure; dry etching used include fluorine gas and hydrogen; through the first contact hole and the source electrode contact area connected with the source electrode formed on the dielectric layer, and forming a drain through second contact holes and drain contact area. When the contact hole is prepared by dry etching process, the H2 is increased in the etching gas, increasing the selection ratio of polysilicon, resulting in little loss of polycrystalline silicon. The invention also provides a low temperature polysilicon thin film transistor and an array substrate.

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板
本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。
技术介绍
目前，传统的低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)制备过程中，用于连接源/漏极(SD)和低温多晶硅的接触孔(contacthole)可采用干法刻蚀的工艺制备。其中，干法刻蚀气体一般采用CF4或者SF6，但是这两种气体对多晶硅的选择比不好，对多晶硅(Poly-Si)的刻蚀速率(etchrate)比较大，容易造成多晶硅较大的损耗，影响SD和Poly-Si的欧姆接触，进而影响薄膜晶体管的电性，甚至导致电流拥挤现象(currentcrowded)的发生。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，用以减少干法刻蚀过程中多晶硅的损耗。本专利技术实施例第一方面提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；通过干法刻蚀分别形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；通过干法刻蚀分别形成贯穿所述介电层和所述栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将所述源极接触区和所述漏极接触区暴露；其中，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；在所述介电层上形成通过所述第一接触孔与所述源极接触区相接的源极，以及形成通过所述第二接触孔与所述漏极接触区相接的漏极。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层，所述源极接触区和所述漏极接触区与所述低温多晶硅层同层设置，且分别设置在所述低温多晶硅层相对的两端；通过干法刻蚀分别形成贯穿所述介电层和所述栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将所述源极接触区和所述漏极接触区暴露；其中，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括含氟气体和氢气；在所述介电层上形成通过所述第一接触孔与所述源极接触区相接的源极，以及形成通过所述第二接触孔与所述漏极接触区相接的漏极。2.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体包括CF4和SF6中的至少一种。3.如权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体与所述氢气的流量比为5-15:1。4.如权利要求3所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述含氟气体与所述氢气的流量比为10:1。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42