薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板。该薄膜晶体管在源极(4)与漏极(6)之间设置间隔层(5)，在所述间隔层(5)与漏极(6)一侧设置接触部分漏极(6)上表面、漏极(6)与有机物间隔层(5)的侧面、及部分源极(4)上表面的氧化物半导体沟道层(7)作垂直沟道，沟道长度即间隔层(5)的厚度，可通过改变间隔层的厚度将垂直沟道的长度降到亚微米量级，能够大幅减小薄膜晶体管的尺寸，减小像素面积；垂直沟道不会发生短沟道效应，有助于提高薄膜晶体管的电性；采用多层的六方氮化硼薄膜作水氧阻隔层(2)，采用双层石墨烯薄膜作源极(4)与漏极(6)，能够显著提高薄膜晶体管的耐弯折性。

Thin film transistors and their fabrication methods and array substrates

The present invention provides a thin film transistor and a fabrication method and an array substrate. The thin film transistor source (4) and drain (6) is arranged between the spacer layer (5), in the room (5) and drain (6) is arranged on one side of the contact part of the drain (6) on the surface, the drain layer (6) and organic matter (5) between the side and part of the source (4) oxide semiconductor channel layer on the surface of (7) as a vertical channel, the channel length is the thickness of the spacer layer (5), by changing the thickness of the spacer layer will be perpendicular to the length of the channel is reduced to sub micron level, can significantly reduce the size of the thin film transistor, reduced pixel area; short channel effect in vertical channel will help to improve the electrical properties of thin film transistor; multilayer six boron nitride film as water oxygen barrier layer (2), using bilayer graphene film as source (4) and drain (6), can significantly improve the thin film transistor bending resistance.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法以及阵列基板。
技术介绍
在显示
，液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示屏(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(CathodeRayTube，CRT)显示屏。目前，主流的LCD是由薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)与彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)贴合而成，且在阵列基板与彩色滤光片基板之间灌入液晶，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。OLED具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED同样需要阵列基板，以阵列基板上的薄膜晶体管作为开关部件和驱动部件。如今，如何设计与制备高性能、小尺寸的薄膜晶体管已经成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：柔性衬底(1)；设置在所述柔性衬底(1)上的水氧阻隔层(2)；设置在所述水氧阻隔层(2)上的缓冲层(3)；设置在所述缓冲层(3)上的源极(4)；设置在所述源极(4)上并至少暴露出源极(4)一侧的间隔层(5)；设置在所述间隔层(5)上的漏极(6)；在所述间隔层(5)与漏极(6)一侧设置的接触部分漏极(6)上表面、漏极(6)与有机物间隔层(5)的侧面、及部分源极(4)上表面的氧化物半导体沟道层(7)；设置在所述氧化物半导体沟道层(7)上的栅极绝缘层(8)；以及设置在所述栅极绝缘层(8)上的栅极(9)。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：柔性衬底(1)；设置在所述柔性衬底(1)上的水氧阻隔层(2)；设置在所述水氧阻隔层(2)上的缓冲层(3)；设置在所述缓冲层(3)上的源极(4)；设置在所述源极(4)上并至少暴露出源极(4)一侧的间隔层(5)；设置在所述间隔层(5)上的漏极(6)；在所述间隔层(5)与漏极(6)一侧设置的接触部分漏极(6)上表面、漏极(6)与有机物间隔层(5)的侧面、及部分源极(4)上表面的氧化物半导体沟道层(7)；设置在所述氧化物半导体沟道层(7)上的栅极绝缘层(8)；以及设置在所述栅极绝缘层(8)上的栅极(9)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述水氧阻隔层(2)为多层的六方氮化硼薄膜，所述源极(4)与漏极(6)均为双层石墨烯薄膜，所述氧化物半导体沟道层(7)的材料为氧化铟、铟镓锌氧化物、或氧化锌。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔层(5)暴露出源极(4)的两侧，所述源极(4)远离氧化物半导体沟道层(7)的一侧上设置源极接触电极(41)，所述漏极(6)远离氧化物半导体沟道层(7)的一侧上设置漏极接触电极(61)。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括覆盖所述缓冲层(3)、源极(4)、源极接触电极(41)、漏极(6)、漏极接触电极(61)、与栅极(9)的平坦层(10)。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隔层(5)的材料为聚酰亚胺，厚度为400nm～800nm。6.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极接触电极(41)与漏极接触电极(61)的材料为金；所述栅极(9)的材料为掺铝氧化锌。7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供玻璃基板(1’)，在所述玻璃基板(1’)上形成柔性衬底(1)；步骤S2、形成覆盖所述柔性衬底(1)的水氧阻隔层(2)；步骤S3、形成覆盖所述水氧阻隔层(2)的缓冲层(3)；步骤S4、形成层叠在所述缓冲层(3)上的源极(4)；步骤S5、形成层叠在所述源极(4)上并至少暴露出源极(4)一侧的间隔层(5)；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜呈浩，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42