薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，其中，所述有源层包括多晶硅材料和非晶硅材料，所述有源层中的非晶硅材料与所述源极和所述漏极之间分别通过低接触电阻层接触，所述有源层中的非晶硅材料使得所述有源层与所述源极和所述漏极之间的电阻增加，以降低所述薄膜晶体管的漏电流。其通过局部晶化得到多晶硅，而未被晶化的区域仍保持非晶硅材料，这部分非晶硅材料使得薄膜晶体管在不进行轻掺杂漏区工艺的情况下能够达到减小显示面板在工作过程中的漏电流的目的，有效降低制造过程中的工艺难度，降低制备成本，提升产能，并提升产品的特性。

Thin film transistors and their preparation methods, array substrates and display devices

The invention belongs to the field of display technology, in particular to a thin film transistor and a preparation method, an array substrate and a display device. The thin film transistor includes a gate electrode, an active layer, a source electrode and a drain electrode, wherein the active layer includes polycrystalline silicon and amorphous silicon materials, amorphous silicon material of the active layer and the source electrode and the drain contact layer respectively through extremely low contact resistance between amorphous silicon materials the active layer in the active layer and the source electrode and the drain resistance between the increase in leakage current of the thin film transistor is reduced. The polysilicon by partial crystallization, without being crystallization region remains amorphous silicon material, the amorphous silicon thin film transistor can reduce the material makes the display panel leakage in the working process of the purpose of the lightly doped drain region process, effectively reduce the technological difficulty in the manufacturing process and to reduce the preparation cost, improve productivity, and improve product characteristics.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
常用的平板显示装置包括LCD(LiquidCrystalDisplay：液晶显示装置)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode:有机发光二极管)显示装置。薄膜晶体管是平板显示装置中重要的控制元件，薄膜晶体管的性能受到多种因素的影响，如半导体有源层的质量、栅介质层的质量、栅介质与有源层的界面质量，其中有源层的质量起到至关重要的作用，而在影响有源层方面，制备方法是其中一个重要的因素。随着人们对于高分辨率、窄边框以及低功耗的需求的日益增大，传统的单纯的非晶硅材料a-Si有源层已经不能够满足使用的要求，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，简称LTPS)由于具有更高的载流子迁移率成为有源层新的形成材料。相应的，LTPS背板技术带来显示屏高的开口率、可以实现栅极驱动(GateonArray，简称GOA)等原因，使得基于LTPS技术的显示面板相比于a-Si技术的显示面板具有更加优良的显示效果。现有的LTPS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括多晶硅材料和非晶硅材料，所述有源层中的非晶硅材料与所述源极和所述漏极之间分别通过低接触电阻层接触。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括多晶硅材料和非晶硅材料，所述有源层中的非晶硅材料与所述源极和所述漏极之间分别通过低接触电阻层接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述低接触电阻层中包括多晶硅材料以及用于提供载流子的杂质。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述低接触电阻层与所述有源层同层设置、且与所述有源层中的非晶硅材料相接，所述栅极设置于所述有源层的上方，所述源极和所述漏极设置于所述低接触电阻层的上方。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的正投影完全覆盖所述有源层，所述有源层中包括多晶硅材料的区域为有源区，包括非晶硅材料的区域为间隔区。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述低接触电阻层位于所述有源层对应着所述非晶硅材料的上方，所述栅极设置于所述有源层的下方，所述源极和所述漏极设置于所述低接触电阻层的上方。6.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、有源层、源极和漏极的步骤，其特征在于，所述有源层包括多晶硅材料和非晶硅材料，所述有源层中的非晶硅材料与所述源极和所述漏极之间分别通过低接触电阻层接触。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层通过分区局部晶化工艺形成。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述低接触电阻层采用对多晶硅材料掺杂用于提供载流子的杂质形成。9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述低接触电阻层与所述有源层同层设置、且与所述有源层中的非晶硅材料相接，所述栅极设置于所述有源层的上方，所述源极和所述漏极设置于所述低接触电阻层的上方，所述有源层中包括多晶硅材料的区域为有源区，包括非晶硅材料的区域为间隔区，所述方法包括步骤：进行非晶硅层的沉积；对所述非晶硅层进行分区局部晶化处理，使得所述非晶硅层中除所述间隔区以外的...

【专利技术属性】
技术研发人员：班圣光，曹占锋，姚琪，薛大鹏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11