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本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括：提供基板，在基板上依次形成缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层；通过干法刻蚀形成贯穿介电层和栅极绝缘层的第一接触孔和第二接触孔，以分别将源极接触区和漏...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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