薄膜晶体管、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了薄膜晶体管、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖栅电极的栅电极绝缘层；位于栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；栅电极与有源层不接触，且向沟道区所在平面的正投影覆盖沟道区；绝缘层覆盖沟道区，源电极覆盖源极区和至少部分绝缘层，漏电极覆盖漏极区和至少部分绝缘层；其中，绝缘层中，向沟道区的正投影与沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与源电极和漏电极接触的部分的含氢量。该实施方式可适当提高源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的含氢量，从而增强源电极和漏电极与有源层之间的接触特性。

Thin film transistors, display panels and display devices

The application discloses a thin film transistor, a display panel and a display device. The thin film transistor includes a gate electrode; a gate electrode covering the gate electrode insulating layer; a gate electrode located in the insulating layer on the active layer, an insulating layer, a source electrode and a drain electrode, an active layer including a source region, a drain region and a source region and a drain region located between the channel region; a gate electrode and the active layer does not contact and, to the channel region where the projection plane is covering the channel region; an insulating layer covering the channel region, a source region and a source electrode covering at least a portion of the insulating layer, a drain electrode covering the drain region and at least a portion of the insulating layer; wherein, the insulating layer, the channel region is at least part of the hydrogen content the shadow and the channel region overlap in less than a source electrode and a drain electrode contact part of the hydrogen content. This way of implementation can appropriately increase the hydrogen content in the contact area between the source electrode and the drain electrode and the active layer, so as to enhance the contact characteristics between the source electrode and the drain electrode and the active layer.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板和显示装置
本申请涉及显示
，具体涉及薄膜晶体管、显示面板和显示装置。
技术介绍
目前，现有显示面板中的氧化物薄膜晶体管通常在有源层与源电极和漏电极之间形成双层刻蚀阻挡层。如图1所示，氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括基板10、栅电极11、栅电极绝缘层12、有源层13、刻蚀阻挡层14、源电极15和漏电极16。其中，刻蚀阻挡层包括下刻蚀阻挡层141和上刻蚀阻挡层142。为了降低刻蚀阻挡层的薄膜在沉积过程中对氧化物薄膜晶体管的特性产生影响(即在形成刻蚀阻挡层的氧化硅薄膜的过程中，减少分解产生的氢离子与有源层中的金属氧化物的反应发生，)，又保证其沉积速率，一般会使下刻蚀阻挡层141中的含氢量小于上刻蚀阻挡层142中的含氢量。然而，在制作上述氧化物薄膜晶体管的过程中，往往只重点考虑了刻蚀阻挡层与有源层之间的接触区域的特性，而忽略了源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的特性。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷，本申请实施例提供一种改善的薄膜晶体管、显示面板和显示装置，来解决以上
技术介绍
部分提到的技术问题。为了实现上述目的，第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管，该薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅电极绝缘层；位于所述栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述栅电极与所述有源层不接触，且向所述沟道区所在平面的正投影覆盖所述沟道区；所述绝缘层覆盖所述沟道区，所述源电极覆盖所述源极区和至少部分所述绝缘层，所述漏电极覆盖所述漏极区和至少部分所述绝缘层；其中，所述绝缘层中，向所述沟道区的正投影与所述沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与所述源电极和所述漏电极接触的部分的含氢量。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅电极绝缘层；位于所述栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；所述栅电极与所述有源层不接触，且向所述沟道区所在平面的正投影覆盖所述沟道区；所述绝缘层覆盖所述沟道区，所述源电极覆盖所述源极区和至少部分所述绝缘层，所述漏电极覆盖所述漏极区和至少部分所述绝缘层；其中，所述绝缘层中，向所述沟道区的正投影与所述沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与所述源电极和所述漏电极接触的部分的含氢量。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层包括第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层中未被所述源电极和所述漏电极覆盖的部分向所述沟道区的正投影与所述沟道区重叠；且所述第一刻蚀阻挡层中，未被所述源电极和所述漏电极覆盖的部分的含氢量小于被所述源电极和所述漏电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：何泽尚，楼均辉，吴天一，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31