薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括基板和设置在基板的第一面上的缓冲层，还包括抗紫外层，该抗紫外层设置在基板与缓冲层之间，和/或设置在缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。本发明专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法的技术方案中，可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。

Thin film transistors and their fabrication methods

The present invention provides a thin film transistor and its manufacturing method, the buffer layer of the thin film transistor includes a substrate and disposed on the substrate on the first surface, including UV resistant outer layer, the anti UV outer layer is disposed between the substrate and the buffer layer, and / or set in the buffer layer, and / or in the substrate second. In the technical scheme of the thin film transistor and the manufacturing method, the problem of negative voltage shift and off state current rise due to the influence of ultraviolet light can be avoided, so that the performance of the thin film transistor can be improved.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵液晶显示屏(AMLCD)和有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示屏的像素驱动部件，在实现大尺寸、高清晰度、高帧频率的显示中起着重要作用。目前TFT的有源层材料主要有氢化非晶硅、低温多晶硅、有机半导体和氧化物半导体，其中，氧化物半导体具有较高的电子迁移率和好的均匀性，适用于驱动AMLCD和AMOLED。有机电致发光器件根据光出射方向的不同，可以分为两种不同的类型，分别为底发射型器件(BEOLED)和顶发射型器件(OLED)。其中，顶发射型器件能够有效提高开口率，从而有利于获得显示亮度高、高分辨率的有机电致发光器件，同时也有利于器件与底部驱动电路的集成。但是，在上述顶发射型器件的制作工艺中，薄膜晶体管(有源层的沟道处)会受到外界光的影响而产生不同程度的损伤，从而会出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题。并且，光的波长越小，影响越严重，尤其是460nm以下的紫外光波段对薄膜晶体管的影响最为严重。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制作方法，其可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。为实现本专利技术的目的而提供一种薄膜晶体管，包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层，还包括抗紫外层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。优选的，所述抗紫外层为二氧化钛薄膜。优选的，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者设置在所述缓冲层之上；或者，所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者均设置在所述缓冲层之上；两层所述抗紫外层分别为第一抗紫外层和设置在所述第一抗紫外层上的第二抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。优选的，所述抗紫外层为两层，分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，二者分别设置在所述基板与所述缓冲层之间，和所述缓冲层之上；所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。优选的，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；或者，所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板的第二面之上；两层所述抗紫外层分别为设置在所述基板的第二面上的第二抗紫外层和设置在所述第二抗紫外层上的第一抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径；或者，所述抗紫外层为两层，分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，其中，所述第一抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；所述第二抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间；并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。优选的，所述第二抗紫外层的粒径的取值范围在10nm～50nm；所述第一抗紫外层的粒径的取值范围在50nm～100nm。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上形成缓冲层和抗紫外层；其中，所述缓冲层设置在所述基板上；所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。优选的，所述抗紫外层的形成包括：形成二氧化钛薄膜。优选的，采用气相沉积方法沉积所述抗紫外层；所述气相沉积方法是在高温条件下，通过氧气和四氯化钛发生反应生成所述二氧化钛薄膜；通过控制所述氧气的温度来调节所述二氧化钛薄膜的粒径大小。优选的，采用蒸镀方法沉积所述抗紫外层；所述蒸镀方法是利用保持预设压力的惰性气体对四氯化钛进行加热形成蒸汽，并对所述蒸汽进行冷凝形成所述二氧化钛薄膜；通过控制所述预设压力和加热温度来调节所述二氧化钛薄膜的粒径大小。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法的技术方案中，通过在基板与缓冲层之间，和/或设置在缓冲层之上设置抗紫外层，和/或在所述基板的第二面之上，可以在制作过程中起到阻隔紫外光的作用，从而可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。附图说明图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的剖视图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的另一个剖视图；图3为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的又一个剖视图；图4为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的再一个剖视图；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的又一个剖视图；图6A为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的第一过程图；图6B为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的第二过程图；图6C为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制作方法的第三过程图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的薄膜晶体管及其制作方法进行详细描述。请参阅图1，本专利技术实施例提供的薄膜晶体管，其包括基板1、设置在该基板1上的抗紫外层2、设置在该抗紫外层2上的缓冲层3，以及在缓冲层3上依次设置的有源层4(IGZO层)、栅绝缘层5、栅极层6、介质层7、源漏极层8、钝化层9、平坦层10和反射阳极层11。上述抗紫外层2为两层，分别为第一抗紫外层21和设置在该第一抗紫外层21上的第二抗紫外层22，二者均设置在基板1与缓冲层3之间，用于在制作过程中阻隔紫外光，从而可以避免因受到紫外光的影响而出现阈值电压负向移动和关态电流升高的问题，从而可以改善薄膜晶体管的性能。具体地，上述两层抗紫外层均为二氧化钛薄膜。并且，第二抗紫外层22的粒径小于第一抗紫外层21的粒径。所谓粒径，是指在二氧化钛薄膜中，二氧化钛颗粒的大小，是纳米级的。由于二氧化钛薄膜具有高折光性和高光活性，其抗紫外线的能力及其机理与粒径有关。当粒径较大时，二氧化钛薄膜对紫外光的阻隔以反射、散射为主，且对中波区和长波区的紫外光均能够有效起到阻隔作用。当粒径较小时，紫外光能够透过二氧化钛薄膜的粒子面，此时，二氧化钛薄膜对长波区的紫外光的反射、散射的作用较弱，而对中波区的紫外光的吸收性较强。基于此原理，通过使第二抗紫外层22的粒径小于第一抗紫外层21的粒径，首先利用第一抗紫外层21对紫外光进行反射、散射，以阻隔大部分紫外光；然后利用第二抗紫外层22对剩余的少量自第一抗紫外层21投射过去的中波区紫外光进行吸收，从而可以在制作过程中有效阻隔紫外光。当然，在实际应用中，上述抗紫外层还可以为单层、三层、四层或者五层以上。并且，可以根据具体需要设定各层抗紫外层所含有的纳米微粒的粒径。需要说明的是，在本实施例中，两层抗紫外层均设置在基板1与缓冲层3之间，但是本专利技术并不局限于此，如图2所示，也可以使缓冲层3设置在基板1上，且使两层抗紫外层均设置在缓冲层3上。或者，如图3所示，还可以使第一抗紫外层21设置在基板1与缓冲层3之间，而第二抗紫外层22设置在缓冲层3上。这两种设置方式同样能够实现在制作过程中有效阻隔紫外光。另外，在实际应用中，在基板1与缓冲层3之间也可以设置多层抗紫外层，且在缓冲层3上也设置多层抗紫外层。并且，根据具体需要设定各层抗紫外层所含有的纳米微粒的粒径。或者，如图4所示，抗紫外层2为两层，且均设置在基板1的第二面(与上述基板1的第一面相背离的表面)之上；两层抗紫外层分别为设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层，其特征在于，还包括抗紫外层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括基板和设置在所述基板的第一面上的缓冲层，其特征在于，还包括抗紫外层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，和/或设置在所述缓冲层之上，和/或在所述基板的第二面之上。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抗紫外层为二氧化钛薄膜。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者设置在所述缓冲层之上；或者，所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板与所述缓冲层之间，或者均设置在所述缓冲层之上；两层所述抗紫外层分别为第一抗紫外层和设置在所述第一抗紫外层上的第二抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抗紫外层为两层，分别为第一抗紫外层和第二抗紫外层，二者分别设置在所述基板与所述缓冲层之间，和所述缓冲层之上；所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述抗紫外层为单层，所述抗紫外层设置在所述基板的第二面之上；或者，所述抗紫外层为两层，且均设置在所述基板的第二面之上；两层所述抗紫外层分别为设置在所述基板的第二面上的第二抗紫外层和设置在所述第二抗紫外层上的第一抗紫外层，并且所述第二抗紫外层的粒径小于所述第一抗紫外层的粒径；或者，所述抗紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建业，李伟，顾鹏飞，李伟，张星，孙宏达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11