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本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括基板、依次设置在基板上的缓冲层、低温多晶硅层、源极接触区、漏极接触区、栅极绝缘层、栅极层和介电层；源极和漏极；源极接触区和漏极接触区分别掺杂有金属离子，源极穿过介电层与源极接触区相接形成欧姆接触，漏...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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