带有具有凹槽的内插器的集成电路结构制造技术

本文公开了具有带有凹槽的内插器的集成电路（IC）结构。例如，IC结构可包含：具有抗蚀表面的内插器；部署在抗蚀表面中的凹槽，其中凹槽的底部是表面精加工的；以及位于抗蚀表面处的多个导电接触。可公开和/或要求保护其它实施例。

Integrated circuit structure with an interpolator with a groove

The integrated circuit (IC) structure with an interpolator with a groove is disclosed in this paper. For example, the IC structure can include: an interpolator with anti-corrosion surface; a groove disposed on the corrosion resistant surface, where the bottom of the groove is surface finishing, and several conductive contacts at the corrosion resistant surface. Other embodiments may be disclosed and / or required to be protected.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有具有凹槽的内插器的集成电路结构
本公开大体涉及集成电路（IC）的领域，以及更具体地涉及带有具有凹槽的内插器的IC结构。
技术介绍
在集成电路（IC）中，内插器有时被用于减少集成电路装置的占据空间。然而，带有内插器的传统结构的高度对于小型化设置（诸如智能手机）可能是过大的。附图说明实施例将通过以下详细描述结合附图而容易地理解。为了容易理解该描述，类似参考数字指代类似结构要素。在附图的图中，实施例通过示例方式以及没有通过限制方式而图示。图1是根据各种实施例的内插器的部分的截面侧视图。图2是根据各种实施例的具有内插器上封装结构的集成电路（IC）结构的部分的截面侧视图。图3-11是根据各种实施例按照制造顺序在各种阶段的IC结构的截面侧视图。图12是根据各种实施例制造内插器的方法的流程图。图13是根据各种实施例制造具有内插器上封装结构的IC结构的方法的流程图。图14是根据各种实施例的内插器的部分的截面侧视图。图15是根据各种实施例的具有内插器上封装结构的IC结构的部分的截面侧视图。图16是可包含本文公开的任何内插器和IC结构中的一个或多个的示例计算装置的框图。具体实施方式本文公开了带有具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路（IC）结构，包括：具有抗蚀表面的内插器；部署在所述抗蚀表面中的凹槽，其中所述凹槽的底部是表面精加工的；以及位于所述抗蚀表面处的多个导电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路（IC）结构，包括：具有抗蚀表面的内插器；部署在所述抗蚀表面中的凹槽，其中所述凹槽的底部是表面精加工的；以及位于所述抗蚀表面处的多个导电接触。2.如权利要求1所述的IC结构，其中，所述多个导电接触是第一多个导电接触，以及其中，所述IC结构还包括：IC封装，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、位于所述IC封装的所述第二表面处的第二多个导电接触、以及耦合到所述IC封装的所述第二表面的组件；其中，所述第二多个导电接触电耦合到所述第一多个导电接触，以及布置所述IC封装使得所述组件延伸到所述凹槽中。3.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件是具有大于0.5微法拉电容的电容器。4.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件具有大于200微米的高度。5.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述IC封装具有位于所述IC封装的所述第一表面处的处理核，以及所述组件是用于所述处理核的去耦合电容器。6.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述IC封装的所述第二表面与所述抗蚀表面之间的距离小于250微米。7.如权利要求2所述的IC结构，还包括：与所述第一多个导电接触中的一个物理接触以及还与所述第二多个导电接触中的一个物理接触的焊接材料。8.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件没有与所述内插器物理接触。9.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述凹槽具有大于100微米的深度。10.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述多个导电接触包括多个铜垫。11.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述内插器是无芯的。12.一种制造内插器的方法，包括：提供具有表面的结构；提供脱模层到所述表面的第一区域，其中，所述脱模层没有被提供到所述第一表面的第二区域；在提供所述脱模层之后，在所述表面的所述第一区域和所述第二区域上方提供积层材料；在所述第二区域上方形成多个导电接触；在所述多个导电接触上方提供阻焊；切割所述积层材料与所述脱模层；以及移除所述脱模层和部署在所述脱模层上的所述积层材料以暴露所述表面的所述第一区域。13.如权利要求12所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：KO李，IA萨拉马，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US