带有具有凹槽的内插器的集成电路结构制造技术

本文公开了具有带有凹槽的内插器的集成电路（IC）结构。例如，IC结构可包含：具有抗蚀表面的内插器；部署在抗蚀表面中的凹槽，其中凹槽的底部是表面精加工的；以及位于抗蚀表面处的多个导电接触。可公开和/或要求保护其它实施例。

Integrated circuit structure with an interpolator with a groove

The integrated circuit (IC) structure with an interpolator with a groove is disclosed in this paper. For example, the IC structure can include: an interpolator with anti-corrosion surface; a groove disposed on the corrosion resistant surface, where the bottom of the groove is surface finishing, and several conductive contacts at the corrosion resistant surface. Other embodiments may be disclosed and / or required to be protected.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带有具有凹槽的内插器的集成电路结构
本公开大体涉及集成电路（IC）的领域，以及更具体地涉及带有具有凹槽的内插器的IC结构。
技术介绍
在集成电路（IC）中，内插器有时被用于减少集成电路装置的占据空间。然而，带有内插器的传统结构的高度对于小型化设置（诸如智能手机）可能是过大的。附图说明实施例将通过以下详细描述结合附图而容易地理解。为了容易理解该描述，类似参考数字指代类似结构要素。在附图的图中，实施例通过示例方式以及没有通过限制方式而图示。图1是根据各种实施例的内插器的部分的截面侧视图。图2是根据各种实施例的具有内插器上封装结构的集成电路（IC）结构的部分的截面侧视图。图3-11是根据各种实施例按照制造顺序在各种阶段的IC结构的截面侧视图。图12是根据各种实施例制造内插器的方法的流程图。图13是根据各种实施例制造具有内插器上封装结构的IC结构的方法的流程图。图14是根据各种实施例的内插器的部分的截面侧视图。图15是根据各种实施例的具有内插器上封装结构的IC结构的部分的截面侧视图。图16是可包含本文公开的任何内插器和IC结构中的一个或多个的示例计算装置的框图。具体实施方式本文公开了带有具有凹槽的内插器的集成电路（IC）结构以及相关结构和方法。本文公开的各种实施例中的一些可实现其中内插器包含凹槽的IC结构，使得耦合到内插器的IC封装的一个或多个组件延伸到凹槽中。基于内插器的结构已经被用于提供高密度逻辑（例如通过堆叠存储器组件）用于小型化装置，诸如智能电话和平板式计算机。尤其，内插器可被用于将IC封装耦合到母板或其它组件以减少装置的占据空间。这可被称为“内插器上封装”或“内插器上贴片”（PoINT）结构。内插器可通过使用电路板制造技术（例如减成工艺）来制造，其成本远少于对于制造IC封装（例如使用半加成工艺）的成本。传统上，IC封装可采用中级互连（MLI）技术耦合到内插器。这样的技术可包含球状网格阵列（BGA）耦合。当期望高密度时，BGA凸点之间的节距可小于600微米。IC封装与内插器之间的该精细节距在传统上意味着IC封装与内插器之间的“MLI间隙”是非常小的。虽然小MLI间隙对于限制装置的高度可能看似是可期望的，但是传统基于内插器的结构不能够在无需折衷电力传递性能的情况下实现减少的高度。尤其，部署在内插器上的IC封装通常包含布置的处理装置（例如包含在中央处理单元（CPU）中的处理核）使得IC封装部署在处理装置与内插器之间。当这样的包含处理装置的IC封装部署在内插器上时，电力必须经过内插器传递到处理装置。去耦合电容器传统上布置在电源与其目的地之间以减少噪声，但内插器与IC封装之间的小MLI间隙意味着在内插器与IC封装之间包含足够强的（以及因此大型的）去耦合电容器是不可能的。一些传统方式将去耦合电容器放置在内插器“下面”，在母板与内插器之间。然而，从这样的去耦合电容器经过内插器以及经过IC封装到处理装置的长路径产生以及吸引使处理装置的性能降级的噪声。其它传统方式使用了在IC封装与内插器之间固定到IC封装的“低轮廓（lowprofile）”电容器（为了减少电容器与处理装置之间的路径的长度），但这些电容器的有限尺寸（例如高度小于200微米）意味着这些电容器提供了不足以实现期望的噪声抑制的电容。确实，低轮廓电容器可具有期望电容的一半或更少的最大电容。本文公开的各种实施例中的一些将凹槽包含在内插器中以实现在内插器与其上部署的IC封装之间更大相隔（standoff）高度的区域。IC封装的组件可延伸到内插器中的凹槽中。比起先前在无需折衷基于内插器的结构的总体高度的情况下可实现的，这可允许这样的组件在物理上更靠近IC封装上的其它组件。例如，足够强的去耦合电容器（例如具有大约0.47微法拉电容以及大于200微米的高度）可被放置在IC封装的“下侧”上，以及可延伸到在其上部署IC封装的内插器的凹槽中。当处理装置耦合到IC封装的“顶侧”时，去耦合电容器可足够强以及足够靠近处理装置以在无需牺牲MLI密度的情况下实现期望的性能。在以下详细描述中参考附图，这些附图形成本文的一部分，其中通篇类似数字指派类似部件，以及其中通过可实践图示实施例的方式示出。将要理解的是，在无需脱离本公开范围的情况下，可利用其它实施例以及可进行结构或逻辑改变。因此，以下详细描述不以限制的方式理解，以及实施例的范围由附加的权利要求及其等效来限定。各种操作通过最有助于理解要求保护的主题的方式，可被依次描述为多个离散动作或操作。然而，描述的顺序不应被理解为意指这些操作是必然依赖顺序的。尤其，这些操作可以不以表示的顺序来执行。描述的操作可以以不同于描述的实施例的顺序来执行。各种额外操作可被执行和/或描述的操作可在额外实施例中被省略。出于本公开的目的，词组“A和/或B”表示（A）、（B）或（A和B）。出于本公开的目的，词组“A、B、和/或C”表示（A）、（B）、（C）、（A和B）、（A和C）、（B和C）、或（A、B、和C）。本描述使用词组“在一实施例中”或“在实施例中”，其每个可指相同或不同实施例中的一个或多个。此外，术语“包括”、“包含”、“具有”及其类似（如针对本公开的实施例所使用）是同义的。如本文中使用，术语“内插器”可指配置成放置在电路板（例如母板）与封装之间的组件。可使用电路板构造技术（例如母板构造技术）来构造内插器。图1是根据各种实施例的内插器100的部分的截面侧视图。内插器100可具有抗蚀表面102和部署在抗蚀表面102中的凹槽106。凹槽106的底部108可以是表面精加工的。在一些实施例中，凹槽106的底部108可由已经被表面精加工的导电材料112（诸如机械抛光的铜）形成。在一些实施例中，表面精加工可包含镍-钯-金（NiPdAu）精加工或铜有机可焊性防护层（CuOSP）精加工的应用。在一些实施例中，凹槽106的底部108可由绝缘材料（诸如阻焊）形成，以及可不包含导电材料112。一个或多个导电接触110可位于抗蚀表面102处。根据任何适合的已知技术，抗蚀表面102可形成在积层材料190上，以及可被图案化以暴露导电接触110。任何适合的积层材料可用于本文论述的积层材料，诸如味之素积层膜（ABF）以及半固化（prepreg）积层膜。积层材料190可包含在其中的另外结构，诸如通孔、导电接触、其它装置、或任何其它适合的电或绝缘结构（示出了其中的一些非限制示例）。凹槽106可具有深度198（在抗蚀表面102下方的积层材料190的“顶部”与凹槽106下方的积层材料190的“顶部”之间测量）。凹槽106的深度198可采用任何适合的值（以及如参考图3-11在下文所论述，可以通过在制造期间改变积层厚度或堆积（stackup）的数量来容易地调节）。例如，在一些实施例中，凹槽106可具有在50微米与300微米之间的深度198。在一些实施例中，至少两个导电接触110可位于抗蚀表面102处，以及可通过小于600微米的距离间隔开（未在图1中图示），尽管可使用任何适合的间隔。导电接触110中的一个或多个可由铜（例如作为铜垫）形成。在使用中，内插器100可耦合到放置在内插器100“下方”的母板（未示出）。如上文论述，内插器100可路由电信号从母板至耦合到内插器100的其它组件（本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路（IC）结构，包括：具有抗蚀表面的内插器；部署在所述抗蚀表面中的凹槽，其中所述凹槽的底部是表面精加工的；以及位于所述抗蚀表面处的多个导电接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路（IC）结构，包括：具有抗蚀表面的内插器；部署在所述抗蚀表面中的凹槽，其中所述凹槽的底部是表面精加工的；以及位于所述抗蚀表面处的多个导电接触。2.如权利要求1所述的IC结构，其中，所述多个导电接触是第一多个导电接触，以及其中，所述IC结构还包括：IC封装，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面、位于所述IC封装的所述第二表面处的第二多个导电接触、以及耦合到所述IC封装的所述第二表面的组件；其中，所述第二多个导电接触电耦合到所述第一多个导电接触，以及布置所述IC封装使得所述组件延伸到所述凹槽中。3.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件是具有大于0.5微法拉电容的电容器。4.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件具有大于200微米的高度。5.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述IC封装具有位于所述IC封装的所述第一表面处的处理核，以及所述组件是用于所述处理核的去耦合电容器。6.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述IC封装的所述第二表面与所述抗蚀表面之间的距离小于250微米。7.如权利要求2所述的IC结构，还包括：与所述第一多个导电接触中的一个物理接触以及还与所述第二多个导电接触中的一个物理接触的焊接材料。8.如权利要求2所述的IC结构，其中，所述组件没有与所述内插器物理接触。9.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述凹槽具有大于100微米的深度。10.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述多个导电接触包括多个铜垫。11.如权利要求1-8中任一项所述的IC结构，其中，所述内插器是无芯的。12.一种制造内插器的方法，包括：提供具有表面的结构；提供脱模层到所述表面的第一区域，其中，所述脱模层没有被提供到所述第一表面的第二区域；在提供所述脱模层之后，在所述表面的所述第一区域和所述第二区域上方提供积层材料；在所述第二区域上方形成多个导电接触；在所述多个导电接触上方提供阻焊；切割所述积层材料与所述脱模层；以及移除所述脱模层和部署在所述脱模层上的所述积层材料以暴露所述表面的所述第一区域。13.如权利要求12所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：KO李，IA萨拉马，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US