一种适用于大直径硅片表面处理的提篮制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，包括：底板；以及支撑板，垂直设置在所述底板两侧；支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直；还包括通气管道，其平行设置在所述底板下方，所述通气管道的出气口与所述排气孔对应，所述通气管道的入气口通向外部，与所述支撑板垂直；所述支撑架包括交叉设置的支撑条。本实用新型专利技术所述的提篮，增大了酸液与硅片的接触面积，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力，可以一次处理多块硅片，提高处理效率。

A basket is suitable for large diameter silicon surface treatment

The utility model discloses a basket suitable for large diameter silicon surface treatment, including: the bottom plate; and the support plate, the bottom plate is vertically arranged on both sides; the vertical support frame, a bottom plate and a supporting plate arranged in parallel, laterally fixed on the bottom plate and the support plate; vent holes evenly arranged on on the base, the exhaust hole arranged in the direction vertical with the supporting frame; also includes a ventilation pipe which is arranged in parallel at the bottom of the bottom plate, the outlet of the vent pipe and the air exhaust hole corresponding to the ventilation pipe inlet to the outside, and the supporting board are vertical; the supporting frame comprises a cross brace bar set. The basket provided by the utility model can increase the contact area of acid and silicon, accelerate the reaction speed, improve the uniformity of the reaction, without manual stirring, improve the reaction efficiency, but also reduce the human, can be a multi piece of silicon, improve processing efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于大直径硅片表面处理的提篮
本技术涉及硅片表面处理
，更具体的是，本技术涉及一种适用于大直径硅片表面处理的提篮。
技术介绍
硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大影响，它会造成扩散界面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n结反向漏电增大等。晶体缺陷有很多种，位错也是其中一种，位错是在晶体生长过程中原子排列错误造成的。对硅棒位错的检测主要是利用择优腐蚀，针对大尺寸单晶，无法进行硅棒表面进行择优腐蚀，只能对硅片表面进行处理。如何尽量保证硅片完整，在不影响观测的前提下，对硅片尽量完整的分割是亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术设计开发了一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，能够对大尺寸硅片表面进行处理，保证硅片的完整性，也不影响观测。本技术提供的技术方案为：一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，包括：底板；以及支撑板，垂直设置在所述底板两侧；支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。优选的是，还包括通气管道，其平行设置在所述底板下方，所述通气管道的出气口与所述排气孔对应，所述通气管道的入气口通向外部，与所述支撑板垂直。优选的是，所述支撑架包括交叉设置的支撑条。优选的是，所述支撑架为网格状结构。优选的是，所述支撑板上设置有提手。优选的是，所述通气管道内通入气体为惰性气体。优选的是，所述支撑架之间的间距为10～50mm。优选的是，所述支撑板的高度为200～300mm。优选的是，还包括酸箱，其尺寸与所述提篮的尺寸相对应。本技术所述的有益效果为：本技术所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，所述支撑架采用交叉设置的支撑条或者为网格状结构，增大了酸液与硅片的接触面积，所述底板上设置有排气孔，其下方对应设置有通气管道，通过向通气管道内通入惰性气体，使酸液内产生大量的气泡，使其进行搅动，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力，所述支撑架为多个，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上，可以一次处理多块硅片，提高处理效率。附图说明图1为本技术所述适用于大直径硅片表面处理的提篮的结构示意图。图2为本技术所述酸箱的结构示意图。图3为本技术所述硅片的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。本技术可以有许多不同的形式实施，而不应该理解为限于再次阐述的实施例，相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的。在附图中，为了清晰起见，会夸大结构和区域的尺寸和相对尺寸。如图1-3所示，本技术提供一种适用于大直径硅片表面处理的提篮100，包括：底板110；以及支撑板120A、120B，垂直设置在所述底板110两侧；支撑架130，垂直所述底板110和支撑板120，横向平行排列固定在所述底板110和支撑板120上；排气孔140，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。还包括通气管道150，其平行设置在所述底板110下方，所述通气管道150的出气口与所述排气孔140对应，所述通气管道150的入气口151通向外部，与所述支撑板120A垂直。所述支撑架130包括交叉设置的支撑条131，可以让更多的溶液接触硅片表面。当然，所述支撑架130并不限于上述结构，也可以为网状结构，硅片同样能与更多的溶液接触。其他能满足上述目的结构均可。所述支撑板120A、120B上设置有提手160，方便操作者对其进行提取和放置。还包括酸箱170，其尺寸与所述提篮的尺寸相对应。所述通气管道150内通入气体为惰性气体，通过通气管道150输入惰性气体，使得酸箱170中的溶液内部产生大量的气泡，使酸箱内的溶液进行搅动，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力。所述支撑架之间的间距为10～50mm，所述支撑板的高度为200～300mm。适用于17英寸以上的硅片，能够对大尺寸硅片表面进行处理。应当理解的是，本技术所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮100并不限于上述尺寸，只要能满足生产需要即可。硅片表面处理操作过程中，将硅片200分割成四片，横向平行放置在相邻两个支撑架130之间，将处理硅片表面的酸液倒入酸箱170中，手提提手170将所述适用于大直径硅片表面处理的提篮放入酸箱170中，外部通过通气管道150的入气口通入惰性气体，使得酸箱170中的溶液内部产生大量的气泡，使酸箱内的溶液进行搅动，增大酸液与硅片200的接触面积，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力。所述适用于大直径硅片表面处理的提篮的各个结构的材料均为聚四氟乙烯，其具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，几乎不溶于所有的溶剂。同时，聚四氟乙烯(PTFE)具有耐高温的特点，提高所述适用于大直径硅片表面处理的提篮100的使用寿命。本技术所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮100，所述支撑架130采用交叉设置的支撑条或者为网格状结构，增大了酸液与硅片的接触面积，所述底板110上设置有排气孔140，其下方对应设置有通气管道150，通过向通气管道150内通入惰性气体，使酸液内产生大量的气泡，使其进行搅动，加快反应速度，提高反应的均匀性，无需人工搅拌，提高了反应效率，也减少了人力，所述支撑架130为多个，横向平行排列固定在所述底板110和支撑板120上，可以一次处理多块硅片，提高处理效率。所述提篮100的各个结构的材料均为聚四氟乙烯，其具有耐高温、抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的优点，使得提篮100的使用寿命更长。尽管本技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，包括：底板；以及支撑板，垂直设置在所述底板两侧；支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。

【技术特征摘要】
1.一种适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，包括：底板；以及支撑板，垂直设置在所述底板两侧；支撑架，垂直所述底板和支撑板，横向平行排列固定在所述底板和支撑板上；排气孔，均匀设置在所述底板上，所述排气孔排列的方向与所述支撑架垂直。2.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，还包括通气管道，其平行设置在所述底板下方，所述通气管道的出气口与所述排气孔对应，所述通气管道的入气口通向外部，与所述支撑板垂直。3.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮，其特征在于，所述支撑架包括交叉设置的支撑条。4.如权利要求1所述的适用于大直径硅片表面处理的提篮...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦朗，李昀珺，何翠翠，
申请(专利权)人：锦州神工半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁,21