【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种直拉法单晶硅生产作业中提高控制精度的测量工具，特别涉及一种坩祸液位测量仪。
技术介绍
在直拉法单晶规模化工业生产中，导流罩的使用已经非常普遍。随着导流罩的使用，在拉制工艺的设定方面，存在一个问题，就是如何控制坩祸上升速度。因为导流罩到液面的高度是有限的，若坩祸上升速度过快，有可能造成导流罩浸入硅液里，发生生产事故；若速度过慢，则会造成晶体生长缓慢。通过理论计算，能计算出坩祸上升的速度。但是随着坩祸的软化以及石墨坩祸的老化，液面的截面积会和理论计算不一致。因此导流罩下沿到液面的距离控制依靠人的感觉，无法进行精准测量。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种能够精确测量导流罩下沿到坩祸液面距离，从而可实现精确控制的坩祸液位测量仪。为解决上述问题，本技术采用如下技术方案:—种坩祸液位测量仪，包括一个环形底板框架，在底板框架的二个直段上表面对称设有导轨，在底板框架上设有可沿导轨直线滑动的镜头支架，在镜头支架上端设有与导轨垂直的滑道并在滑道上设有可沿滑道往复滑动的镜头座，在镜头座内设有调焦镜头；在镜头支架上端设有数显表，数显表的表头与镜头座...
【技术保护点】
一种坩埚液位测量仪，其特征是：它有一个环形底板框架，在底板框架的二个直段上表面对称设有导轨，在底板框架上设有可沿导轨直线滑动的镜头支架，在镜头支架上端设有与导轨垂直的滑道并在滑道上设有可沿滑道往复滑动的镜头座，在镜头座内设有调焦镜头；在镜头支架上端设有数显表，数显表的表头与镜头座连接，数显表的标尺两端与镜头支架连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦朗，
申请(专利权)人：锦州神工半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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